PD- 91317C
IRLR/U2705
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR2705 ）
直铅（ IRLU2705 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.040
I
D
= 28A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
28
20
110
68
0.45
± 16
110
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
www.irf.com
1
4/1/03
IRLR/U2705
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.065 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
––– 0.040
V
GS
= 10V ，我
D
= 17A
–––
––– 0.051
W
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 17A
–––
––– 0.065
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 14A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
11
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
–––
––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 25
I
D
= 16A
–––
––– 5.2
NC V
DS
= 44V
––– ––– 14
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
8.9 –––
V
DD
= 28V
––– 100 –––
I
D
= 16A
ns
–––
21 –––
R
G
= 6.5, V
GS
= 5.0V
–––
29 –––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
4.5
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 880 –––
V
GS
= 0V
––– 220 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
94 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 28
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 76 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 190 290
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
270A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRLZ34N数据和试验条件。
2
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IRLR/U2705
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR2705 ）
直铅（ IRLU2705 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.040
I
D
= 28A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
28
20
110
68
0.45
± 16
110
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
www.irf.com
1
4/1/03
IRLR/U2705
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.065 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
––– 0.040
V
GS
= 10V ，我
D
= 17A
–––
––– 0.051
W
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 17A
–––
––– 0.065
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 14A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
11
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
–––
––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 25
I
D
= 16A
–––
––– 5.2
NC V
DS
= 44V
––– ––– 14
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
8.9 –––
V
DD
= 28V
––– 100 –––
I
D
= 16A
ns
–––
21 –––
R
G
= 6.5, V
GS
= 5.0V
–––
29 –––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
4.5
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 880 –––
V
GS
= 0V
––– 220 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
94 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 28
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 76 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 190 290
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
270A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRLZ34N数据和试验条件。
2
www.irf.com
PD- 91317C
IRLR/U2705
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR2705 ）
直铅（ IRLU2705 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.040
I
D
= 28A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
28
20
110
68
0.45
± 16
110
16
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.2
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
www.irf.com
1
4/1/03
IRLR/U2705
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.065 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
–––
––– 0.040
V
GS
= 10V ，我
D
= 17A
–––
––– 0.051
W
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 17A
–––
––– 0.065
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 14A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
11
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 16A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
–––
––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 25
I
D
= 16A
–––
––– 5.2
NC V
DS
= 44V
––– ––– 14
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
8.9 –––
V
DD
= 28V
––– 100 –––
I
D
= 16A
ns
–––
21 –––
R
G
= 6.5, V
GS
= 5.0V
–––
29 –––
R
D
= 1.8Ω ，见图。 10
铅之间，
4.5
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 880 –––
V
GS
= 0V
––– 220 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
94 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 28
展示
A
G
整体反转
––– ––– 110
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
––– 76 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 16A
––– 190 290
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 610μH
R
G
= 25, I
AS
= 16A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图16A ， di / dt的
≤
270A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRLZ34N数据和试验条件。
2
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
