【高级技术信息HiPerFETTM功率MOSFET单个MOSFET模IXFX 120N25IXFK 1】,IC型号IXFX120N25,IXFX120N25 PDF资料,IXFX120N25经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

HiPerFET

功率MOSFET

单个MOSFET模

IXFX 120N25

IXFK 120N25

DSS

D25

DS （ ON）

= 250 V

= 120 A

22 m

≤

250纳秒

符号

DSS

DGR

GSM

D25

D104

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25 ° C（ MOSFET芯片的能力）

= 104 ° C（外部引线的能力）

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

最大额定值

250

±20

±30

120

480

560

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

PLUS 247

（ IXFX ）

（ TAB ）

TO- 264 AA （ IXFK ）

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

（ TAB ）

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

安装力矩

TO-264

PLUS 247

TO-264

300

0.7 / 6牛米/ lb.in 。

特点

国际标准封装

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

低封装电感

- 易于驾驶和保护

快速内在整流器

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

250

2.0

4.0 V

±200

= 25°C

= 125°C

3毫安

22 m

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 8毫安

±20

V, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

注1

应用

DC- DC转换器

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

温度和照明控制

优势

PLUS 247

包夹子或弹簧

MOUNTING

节省空间

高功率密度

98912 (2/02)

IXFK 120N25

IXFX 120N25

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

注1

9400

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1730

550

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1.5

（外部）

175

400

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

155

0.22

0.15

K / W

DIM 。

终端：

1 - GATE

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

PLUS 247

概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复;

脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V ，注1

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

120

480

1.5

250

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

TO- 264 AA大纲

= 30A ， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 100 V

0.8

DIM 。

注： 1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

分钟。

英寸

马克斯。

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

6,306,728B1

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地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

IXFX120N25

IXYS

24+

326

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

IXFX120N25

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2024

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