IS61C3216B
32K ×16高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间：10， 12，15，和20纳秒
CMOS低功耗运行
- 450毫瓦（典型值）的操作
- 250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单5V ±10 ％电源
I / O与3.3V器件兼容
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业应用温度
提供44引脚400密耳SOJ封装
44针TSOP （ II型）
ISSI
2000年12月
描述
该
ISSI
IS61C3216B是一个高速， 512K静态RAM
16位组织为32,768字。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度可靠
再加上创新的电路设计技能的过程
niques ，产率快的存取时间，功耗低。
该设备被激活，当CE为高电平。当CE为低电平
（取消）时，器件呈现在待机模式在哪
的功耗可以减小到250微瓦
（典型值）， CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入， CE和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制着写作的memory.A和阅读
数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61C3216B打包在JEDEC标准的44引脚
400万SOJ和44引脚TSOP （ II型） 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们假设任何不承担责任
它可能出现在本出版物中的错误。 版权所有2000年，集成硅解决方案公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
12/19/00
1
IS61C3216B
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
NC
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
ISSI
44针TSOP （ II型）
NC
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
引脚说明
A0-A14
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
L
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I/O0-I/O7
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
写
I
CC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
REV 。一
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IS61C3216B
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
V
°C
W
mA
ISSI
注意：
1.应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能会造成永久性损坏
装置。这是一个值仅为
该装置的功能操作
这些或以上的任何其他条件
在操作这些节表示
本规范的地方也是不im-
合股。暴露在绝对最大
额定条件下长时间
会影响其可靠性。
1
2
3
4
5
工作范围
范围
环境温度
广告
0 ° C至+ 70°C
产业
-40 ° C至+ 85°C
速度
-10, -12
-15, -20
-12
-15, -20
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 5%
5V ± 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND - V
IN
- V
CC
GND - V
OUT
- V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.5
–2
–2
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
6
7
8
注意事项：
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE = V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE = V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
- 0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
300
—
40
—
5
—
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
270
290
40
45
5
10
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
250
270
40
45
5
10
-20 NS
分钟。马克斯。单位
—
—
—
—
—
—
230
250
40
45
5
10
mA
mA
9
10
11
12
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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3
IS61C3216B
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
ISSI
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE访问时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE到高阻输出
CE为低阻抗输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
-10
分钟。马克斯。
10
—
3
—
—
0
0
0
4
—
0
5
—
10
—
10
5
5
—
5
—
5
5
—
-12
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
0
0
0
4
—
0
5
—
12
—
12
5
6
—
6
—
6
6
—
-15
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
0
0
0
4
—
0
5
—
15
—
15
7
7
—
7
—
7
7
—
-20
分钟。马克斯。
20
—
3
—
—
—
0
0
4
—
—
5
—
20
—
20
8
8
—
8
—
8
8
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0至3.0V ，并在图1a中指定输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
319
3.3V
3.3V
319
AC测试负载
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
产量
353
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1A 。
4
图1B 。
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IS61C3216B
AC波形
读周期1号
(1,2)
（地址控制） （ CE = V
IH
,
OE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
)
t
RC
ISSI
1
2
地址
t
AA
t
OHA
t
OHA
数据有效
D
OUT
以前的数据有效
3
4
读周期2号
(1,3)
t
RC
5
t
OHA
地址
t
AA
OE
t
美国能源部
t
HZOE
6
7
CE
t
LZCE
t
LZOE
t
ACE
t
HZCE
LB ， UB
t
BA
t
HZB
数据有效
8
高-Z
t
LZB
D
OUT
9
10
11
12
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。 CE = V
IH
,
OE ， UB ，
or
LB
= V
IL
.
3.地址是有效的之前或暗合了CE高电平跳变。
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