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HiPerFET
TM
功率MOSFET
单个MOSFET模
初步数据表
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D（ RMS）
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25 ° C（ MOSFET芯片的能力）
外部导线（限流）
T
C
= 25 ° C，注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
IXFK 180N07
IXFX 180N07
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
=
70 V
= 180 A
=
6
m
t
rr
≤
250纳秒
最大额定值
70
70
±20
±30
180
76
720
180
60
3
5
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
0.9/6
V
V
V
V
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
6
10
g
g
PLUS 247
TM
G
D（ TAB ）
D
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
70
2.0
V
4.0 V
±100
nA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
A
2毫安
6 m
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注2
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
优势
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间
高功率密度
版权所有 2003 IXYS所有权利。
DS98556C(01/03)
IXFK 180N07
IXFX 180N07
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
注2
55
90
9400
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
4600
2550
65
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
90
140
55
420
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
65
220
0.22
0.15
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
DIM 。
终端：
1 - GATE
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60A
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0 V ，注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
180
720
1.3
250
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。
马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264 AA大纲
I
F
= 50A ， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 50 V
1.2
10
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91
26.16
19.81
19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32
20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
5,187,117
5,237,481
分钟。
英寸
马克斯。
注：1，脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
5,049,961
5,063,307
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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ispLSI2192VE
IDT49FCT805APB
IM-2
IRL830T
ICL7611CMPD
IS61C3216B-15K
ISO7230CDWR
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IT503
IDA-07318
IDT6167SA
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    IXFX180N07
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    -
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