IXFH 20N80P IXFT 20N80P
IXFV 20N80P IXFV 20N80PS
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。典型值。马克斯。
14
23
4685
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
356
26
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 10 A
R
G
= 2
（外部）
24
85
24
86
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 10 A
27
24
0.25
（TO- 247 ， PLUS220 ）
0.21
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 10 A，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。典型值。马克斯。
20
50
1.5
250
0.8
6.0
A
A
V
ns
C
A
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V; V
GS
= 0 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFH 20N80P IXFT 20N80P
IXFV 20N80P IXFV 20N80PS
图。 1.输出Characte RIS抽动
@ 25
C
20
18
16
14
V
GS
= 10V
7V
6V
36
32
28
6V
V
GS
= 10V
7V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte RIS抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
5V
I
D
- 安培
24
20
16
12
8
4
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
5V
V
S
- V OLTS
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125
C
20
18
16
14
V
GS
= 10V
7V
2.6
2.4
2.2
V
GS
= 10V
V
S
- V OLTS
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我
D
= 10A
价值VS 。结テ米PE ratur ê
R
S（O N）
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
I
D
= 20A
I
D
= 10A
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
6V
5V
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- V OLTS
图。 5.
DS （ ON）
也不米艾莉婕d可
I
D
= 10A价值VS 。漏Curre新台币
2.6
2.4
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
22
20
18
16
T
J
- 摄氏
图。 6.艾因币种博士鄂西北VS 。 CAS ê
TE米PE ATURE
R
S（O N）
- 归
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
15
20
25
I
D
- 安培
T
J
= 25
C
30
35
40
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 一个mperes
T
C
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXFH 20N80P IXFT 20N80P
IXFV 20N80P IXFV 20N80PS
图。 7.输入上将ittance
24
40
35
30
T
J
= -40
C
25
C
125
C
图。 8. Tr的导答
20
16
T
J
= 125
C
12
25
C
-40
C
8
4
I
D
- 安培
- 西门子
25
20
15
10
5
0
0
3.5
3.75
4
4.25
4.5
4.75
5
5.25
5.5
5.75
g
0
fs
5
10
15
20
25
V
的s
- V OLTS
图。 9.源姜黄素鄂西北VS 。
酸味CE以诚医生艾因V oltage
60
50
40
10
9
8
7
V
DS
= 400V
I
D
= 10A
I
G
=一千万
I
D
- 一个mperes
图。 10.门戈字符
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.9
1
1.1
1.2
6
5
4
3
2
1
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
T
J
= 125
C
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
S.D。
- V OLTS
图。 11.电容
10000
1.00
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. M的Axim嗯Tr的ANS即新台币RM人
再s是tance
电容 - 皮法
C为S
1000
R
T H， J·C
-
C / W
0.10
OS s
100
F = 1MH
10
0
5
10
15
RS s
20
25
30
35
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
S
- V OLTS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
脉冲宽度 - 毫秒
IXFH 20N80P IXFT 20N80P
IXFV 20N80P IXFV 20N80PS
封装外形图
TO- 247AD （ IXFH ）大纲
TO- 268 （ IXFT ）大纲
1
2
3
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
PLUS220 （ IXFV ）大纲
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
2006 IXYS所有权利
IXYS REF ： F_20N80P （ 7J ） 06年3月1日， A.XLS
QQ：2880707522 复制
