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IMD10A
晶体管
电源管理（双数字晶体管）
IMD10A
特点
1 ）在SMT封装两个数字级的晶体管。
2 ）高达500mA ，可驱动。
3 ）低V
CE （ SAT ）
的驱动晶体管，用于低功率
耗散。
尺寸
（单位：毫米）
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
IMD10A
SMT6
D10
T108
3000
等效电路
(4)
(5)
R2
R1
DTr1
DTr2
R1
(3)
(2)
(1)
R1=10k
R2=100
(6)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
DTR
1
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
符号
V
CC
V
IN
I
C
范围
50
5
to
+5
500
单位
V
V
mA
DTR
2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
总
参数
功耗
结温
储存温度
符号
Pd
Tj
TSTG
范围
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
mW
°C
°C
每个元素为200mW不得超过。
REV.B
1/3
IMD10A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
DTR
1
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/ R
1
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
V
mA
A
条件
1.5
68
0.1
200
100
100
0.3
0.3
25
0.5
130
120
70
80
兆赫
该装置的过渡频率。
DTR
2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
典型值。
马克斯。
V
CC
=
50V , V
I
=0V
I
O
=
100mA时V
O
=
5V
V
CE
=
10V ，我
E
= 50mA时F = 100MHz的
V
CC
= 5V ，我
O
= 100A
V
O
= 0.3V时，我
O
= 100毫安
I
O
= 100mA时我
I
= 5毫安
V
I
= 2V
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
100
250
250
10
0.5
0.5
0.3
600
13
7
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
E
=
该装置的过渡频率。
5毫安中，f = 100MHz的
REV.B
2/3
IMD10A
晶体管
电气特性曲线
1k
500
直流电流增益：摹
I
输出电压： V
O（上）
(V)
输入电压： V
我（上）
(V)
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
V
O
= 5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
Ta=100°C
25°C
40°C
I
O
/I
I
=20/1
100
50
20
10
5
2
1
500m
200m
TA
40°C
25°C
100°C
V
O
= 0.3V
1
500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m200m 500m
1m
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m 200m
500m
100m
500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m 200m 500m
输出电流：我
O
(A)
输出电流：我
O
(A)
输出电流：我
O
(A)
图1直流电流增益与
输出电流特性
图2输出电压 -
输出电流特性
图3输入电压与输出电流
（ON特性）
10m
5m
输出电流：木卫一
(A)
V
CC
=5V
直流电流增益：H
FE
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m
10m
20m
Ta=100°C
25°C
40°C
l
C
/l
B
=10
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100°C
25°C
40°C
1
2
3
1
100 200
500
1m
2m
5m
10m
20m
50m 100m
50m 100m
输入电压： V
我（关闭）
(V)
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图4输出电流 -
输入电压（关特征）
图5直流电流增益与集电极电流
图6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
REV.B
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。
ROHM
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版权所有
2008罗姆股份有限公司。
美洲
/
欧洲
/
亚洲
/
日本
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TEL ： + 81-75-311-2121
传真： + 81-75-315-0172
Appendix1-Rev2.0
晶体管
IMD10A
(96-555-IMD10)
582
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IDT74FCT646C
IDT709269S15PF
IRFD9010
IRKL26-04
IDT54FCT257ATLB
IRG4ZH50KD
ISL1221IUZ
ICS843021AGI-01LF
ISL3297EIRTZ-T
IP137MAH
I048C480T030P1
ICL7616ACSD
IDT7025L17FB
供货商
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    IMD10A
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IMD10A
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IMD10A
ROHM
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联系人：米小姐，黄小姐
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58900
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