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ISL1221
实时时钟/日历与事件检测和频率输出
数据表
2010年7月15日
FN6316.1
低功耗RTC,带有电池供电
SRAM和事件检测
该ISL1221器件是低功耗实时时钟
事件检测和时间戳功能,时间和晶
补偿,时钟/日历,电源故障指示器,定期
或轮询报警,智能电池备份与切换
独立F
OUT
电池供电的用户的输出和2个字节
SRAM 。
该振荡器采用外接,低成本的32.768kHz晶体。
实时时钟跟踪时间为独立的寄存器
小时,分钟和秒。该装置具有日历
登记日期,月,年和星期几。该
日历是通过2099精确,具有自动闰年
校正。
特点
实时时钟/日历
- 跟踪时间以小时,分钟和秒
- 周,日,月和年的一天
安全和事件功能
- 篡改检测与时间标记,在正常和
电池备份模式
- 事件检测在电池供电或正常
模式
- 可选择的事件输入采样率允许低
权力运行
- 对事件输入监视器可选毛刺滤波器
独立F
OUT
引脚15可选频率
单报警
- 可设置的秒,分,小时,星期几,
日或月
- 单事件或脉冲中断模式
自动备份到电池或超级电容
电源故障检测
片上振荡器补偿
2个字节电池备份SRAM用户
I
2
C接口
- 400kHz的数据传输速率
400nA电池供电电流
小包装
- 10引脚MSOP
无铅(符合RoHS )
订购信息
部分
(注)
ISL1221IUZ
部分
记号
1221Z
V
DD
范围
温度
范围
(°C)
(无铅)
2.7V至5.5V -40至+85 10引脚MSOP
2.7V至5.5V -40至+85 10引脚MSOP
磁带和卷轴
ISL1221IUZ -T * 1221Z
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装
特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料,
和100 %雾锡板加退火( E3终止完成,这是
符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接兼容
操作)。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅
达到或超过了无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
引脚
ISL1221
( 10引脚MSOP )
顶视图
X1
X2
V
BAT
GND
EVIN
1
2
3
4
5
10 V
DD
9
8
7
6
IRQ / EVDET
SCL
SDA
F
OUT
应用
电表
机顶盒/调制解调器
POS设备
网络路由器,集线器,交换机,网桥
蜂窝基础设施设备
固定宽带无线设备
测试仪表/夹具
自动贩卖机管理
安全性和防篡改的应用
- 面板/机箱状态
- 质量保证报告
- 时间戳应用
- 巡逻/安全检查(消防或灯光设备)
- 汽车上的应用
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006年, 2010年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL1221
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
控制
逻辑
分钟
小时
星期几
X1
X2
V
DD
V
开关
V
BAT
国内
供应
水晶
振荡器
RTC
分频器
日期
MONTH
POR
频率
OUT
YEAR
报警
控制
注册
用户
SRAM
IRQ /
EVDET
I
2
C
接口
EVIN
F
OUT
GND
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
X1
X2
V
BAT
GND
EVIN
F
OUT
SDA
SCL
描述
X1.
X1引脚是一个反相放大器的输入端,并用于连接到外部的一个销
32.768kHz的石英晶体。 X 1也可直接驱动一个32.768kHz的源。
X2.
X2脚是一个反相放大器的输出端和被设计为连接到一个外部的一个销
32.768kHz的石英晶体。 X2应由开放时, X1是从外部源驱动。
V
BAT 。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 V
BAT
将电力提供给装置中的事件
在V
DD
电源出现故障。该引脚应连接,如果不使用接地。
地面上。
事件输入
( EVIN ) 。该EVIN是一个输入引脚,用于检测外部监视事件。当一个高电平信号
存在于一个“事件”被检测出的EVIN销。
频率输出端F
OUT
,频率输出引脚, 15个可选频率。开漏输出。
串行数据
(SDA) 。 SDA是用于串行数据传送进入和离开设备的双向引脚。它有一个开放的
漏极开路输出,可能是电线或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。
串行时钟
( SCL ) 。在SCL输入用于时钟的所有串行数据移入和移出device.Open漏输出。
IRQ / EVDET
中断( IRQ ) /事件检测( EVDET )输出。
多功能引脚可以用作中断对报警和事件
察觉。开漏输出。
V
DD
V
DD.
电源。
2
FN6316.1
2010年7月15日
ISL1221
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
, SCL , SDA和IRQ / EVDET销
(对地) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在X1和X2引脚电压
(对地) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至V
DD
+ 0.5 (V
DD
模式)
-0.5V到V
BAT
+ 0.5 (V
BAT
模式)
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
ESD额定值(人体模型) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>2kV
ESD额定值(机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>175V
输出电流吸入(F
OUT
, IRQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
( ° C / W)
10Ld MSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
湿气敏感度(见技术简介TB363 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
推荐工作条件
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
V
DD
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.5V
V
BAT
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8V至5.5V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
直流工作特性 - RTC
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
电源电流
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
I
DD2
I
DD3
I
BAT
I
BATLKG
I
LI
I
LO
V
V
TRIPHYS
V
BATHYS
EVIN
V
IL
V
IH
迟滞
I
EVPU
EVIN上拉电流
V
SUP
= 3V
-0.3
0.7× V
DD
0.05× V
DD
1.5
0.3× V
DD
V
DD
+ 0.3
V
V
V
A
6
电源电流随着我
2
C动态
电源电流(低功耗模式)
电池供电电流
电池输入漏
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
V
BAT
模式阈值
V
迟滞
V
BAT
迟滞
1.6
10
10
V
DD
= 5V
V
DD
= 5V , LPMODE = 1
V
BAT
= 3V
V
DD
= 5.5V, V
BAT
= 1.8V
100
100
2.2
35
50
2.64
60
100
条件
(注9 )
2.7
1.8
2
1.2
40
1.4
400
典型值
(注5 )
最大
(注9 )
5.5
5.5
6
4
120
5
950
100
单位备注
V
V
A
A
A
A
nA
nA
nA
nA
V
mV
mV
2, 3
2, 8
2
2, 3
IRQ / EVDET和F
OUT
V
OL
输出低电压
V
DD
= 5V ,我
OL
= 3毫安
V
DD
= 2.7V ,我
OL
= 1毫安
I
LO
输出漏电流
V
DD
= 5.5V
V
OUT
= 5.5V
100
0.4
0.4
400
V
V
nA
掉电时序
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
符号
V
SR- DD
参数
V
DD
消极的压摆率
条件
(注9 )
典型值
(注5 )
最大
(注9 )
10
单位
V / ms的
笔记
4
3
FN6316.1
2010年7月15日
ISL1221
I
2
C接口规范
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有规定。
符号
V
IL
V
IH
迟滞
V
OL
CPIN
f
SCL
t
IN
t
AA
参数
SDA和SCL输入缓冲器低
电压
SDA和SCL输入缓冲器高
电压
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
SDA输出缓冲器的低电压,
下沉3毫安
SDA和SCL引脚电容
SCL频率
脉冲宽度抑制时间
SDA和SCL输入
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
任何脉冲比最大窄
规范被抑制。
SCL下降沿穿越30 %
V
DD
直到SDA退出30%至
V 70 %
DD
窗口。
SDA渡V的70 %
DD
一个停止条件,以SDA
穿越的V 70 %
DD
下面的启动条件。
测量V的30 %
DD
道口。
测量V的70 %
DD
道口。
SCL上升沿下降沿SDA
边缘。两个过路的V 70 %
DD
.
从SDA下降沿穿越
Ⅴ的30%的
DD
到SCL下降沿
穿越的V 70 %
DD
.
从SDA退出30%至
V 70 %
DD
窗口,以SCL
上升沿穿越V的30 %
DD.
从SCL下降沿穿越
Ⅴ的30%的
DD
到SDA进入
30%至V的70%
DD
窗口。
从SCL上升沿交叉
V 70 %
DD
到SDA上升沿
穿越的V 30 %
DD
.
从SDA上升沿SCL
下降沿。这两个跨越70 %
V的
DD
.
从SCL下降沿穿越
Ⅴ的30%的
DD
直到SDA进入
30%至V的70%
DD
窗口。
从30%到V的70%
DD.
从70%到V的30%
DD.
总片上和片外
1300
V
DD
= 5V ,我
OL
= 3毫安
T
A
= + 25 ° C,F = 1MHz时, V
DD
= 5V,
V
IN
= 0V, V
OUT
= 0V
测试条件
(注9 )
-0.3
0.7× V
DD
0.05× V
DD
0.4
10
400
50
900
TYP (注5 )
最大
(注9 )
0.3× V
DD
V
DD
+ 0.3
单位备注
V
V
V
V
pF
千赫
ns
ns
t
BUF
ns
t
t
t
SU : STA
t
高清: STA
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
START条件保持时间
1300
600
600
600
ns
ns
ns
ns
t
苏: DAT
输入数据建立时间
100
ns
t
高清: DAT
输入数据保持时间
0
900
ns
t
苏: STO
停止条件的建立时间
600
ns
t
高清: STO
停止条件保持时间
600
ns
t
DH
输出数据保持时间
0
ns
t
R
t
F
Cb
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
电容式SDA或SCL的加载
20 + 0.1× Cb的
20 +
0.1× Cb的
10
300
300
400
ns
ns
pF
7
7
7
4
FN6316.1
2010年7月15日
ISL1221
I
2
C接口规范
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有规定。
(续)
符号
RPU
参数
测试条件
(注9 )
1
TYP (注5 )
最大
(注9 )
单位备注
7
SDA和SCL总线上拉电阻最大为t确定
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时,最大的约
2 2.5kΩ 。用于CB = 40pF ,最大为
约15 20kΩ的
注意事项:
2. IRQ和f
OUT
和EVDET无效。
3. LPMODE = 0 (默认值) 。
4.为了确保适当的计时,在V
SR- DD
规范必须遵守。
5.典型值是T = 25 ° C和3.3V电源电压。
6. V
SUP
= V
DD
如果V
DD
模式下,V
SUP
= V
BAT
如果V
BAT
模式。
7.这是我
2
具体参数,并且不直接测试,但是它们是设备的测试过程中使用,以验证设备规范。
8.写寄存器08H应该只有V进行
DD
& GT ; V
BAT
,否则器件将无法使用I通信
2
C.
9.参数与MIN和/或最大极限100%经过测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
SDA与SCL时序
t
F
t
t
t
R
SCL
t
SU : STA
SDA
(输入计时)
t
苏: DAT
t
高清: DAT
t
苏: STO
t
高清: STA
t
AA
SDA
(输出时序)
t
DH
t
BUF
符号表
波形
输入
必须是稳定的
输出
将稳中
可能改变
从低
到HIGH
可能改变
从高
以LOW
不在乎:
允许更改
不适用
将改变
从低
到HIGH
将改变
从高
以LOW
更改:
国家不知道
中心线
高阻抗
5
FN6316.1
2010年7月15日
ISL1221
实时时钟/日历与事件检测和频率输出
数据表
2006年6月22日
FN6316.0
低功耗RTC,带有电池供电
SRAM和事件检测
该ISL1221器件是低功耗实时时钟
事件检测和时间戳功能,时间和晶
补偿,时钟/日历,电源故障指示器,定期
或轮询报警,智能电池备份与切换
独立F
OUT
电池供电的用户的输出和2个字节
SRAM 。
该振荡器采用外接,低成本的32.768kHz晶体。
实时时钟跟踪时间为独立的寄存器
小时,分钟和秒。该装置具有日历
登记日期,月,年和星期几。该
日历是通过2099精确,具有自动闰年
校正。
特点
实时时钟/日历
- 跟踪时间以小时,分钟和秒
- 周,日,月和年的一天
安全和事件功能
- 篡改检测与时间标记,在正常和
电池备份模式
- 事件检测在电池供电或正常
模式
- 可选择的事件输入采样率允许低
权力运行
- 对事件输入监视器可选毛刺滤波器
独立F
OUT
引脚15可选频率
单报警
- 可设置的秒,分,小时,星期几,
日或月
- 单事件或脉冲中断模式
自动备份到电池或超级电容
电源故障检测
片上振荡器补偿
2个字节电池备份SRAM用户
I
2
C接口
- 400kHz的数据传输速率
400nA电池供电电流
小包装
- 10引脚MSOP
订购信息
部分
(注)
ISL1221IUZ
部分
记号
1221Z
V
DD
范围
温度
范围
(°C)
(无铅)
2.7V至5.5V -40至+85 10引脚MSOP
2.7V至5.5V -40至+85 10引脚MSOP
磁带和卷轴
ISL1221IUZ -T 1221Z
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成,
模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类,可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
引脚
ISL1221
( 10引脚MSOP )
顶视图
X1
X2
V
BAT
GND
EVIN
1
2
3
4
5
10 V
DD
9
8
7
6
IRQ / EVDET
SCL
SDA
F
OUT
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
电表
机顶盒/调制解调器
POS设备
网络路由器,集线器,交换机,网桥
蜂窝基础设施设备
固定宽带无线设备
测试仪表/夹具
自动贩卖机管理
安全性和防篡改的应用
- 面板/机箱状态
- 质量保证报告
- 时间戳应用
- 巡逻/安全检查(消防或灯光设备)
- 汽车上的应用
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL1221
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
I
2
C
接口
控制
逻辑
分钟
小时
星期几
X1
X2
V
DD
水晶
振荡器
RTC
分频器
日期
MONTH
POR
V
开关
频率
OUT
YEAR
报警
控制
注册
用户
SRAM
IRQ /
EVDET
V
BAT
国内
供应
EVIN
F
OUT
GND
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
X1
X2
V
BAT
GND
EVIN
F
OUT
SDA
SCL
描述
X1.
X1引脚是一个反相放大器的输入端,并用于连接到外部的一个销
32.768kHz的石英晶体。 X 1也可直接驱动一个32.768kHz的源。
X2.
X2脚是一个反相放大器的输出端和被设计为连接到一个外部的一个销
32.768kHz的石英晶体。 X2应由开放时, X1是从外部源驱动。
V
BAT 。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 V
BAT
将电力提供给装置中的事件
在V
DD
电源出现故障。该引脚应连接,如果不使用接地。
地面上。
事件输入
( EVIN ) 。该EVIN是一个输入引脚,用于检测外部监视事件。当一个高电平信号
存在于一个“事件”被检测出的EVIN销。
频率输出端F
OUT
,频率输出引脚, 15个可选频率。开漏输出。
串行数据
(SDA) 。 SDA是用于串行数据传送进入和离开设备的双向引脚。它有一个开放的
漏极开路输出,可能是电线或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。
串行时钟
( SCL ) 。在SCL输入用于时钟的所有串行数据移入和移出device.Open漏输出。
IRQ / EVDET
中断( IRQ ) /事件检测( EVDET )输出
.
多功能引脚可以用作中断对报警和事件
察觉。开漏输出。
V
DD
V
DD.
电源。
2
FN6316.0
2006年6月22日
ISL1221
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
, SCL , SDA和IRQ / EVDET销
(对地) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在X1和X2引脚电压
(对地) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至V
DD
+ 0.5 (V
DD
模式)
-0.5V到V
BAT
+ 0.5 (V
BAT
模式)
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
ESD额定值(人体模型) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>2kV
ESD额定值(机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>175V
输出电流吸入(F
OUT
, IRQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3毫安
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
( ° C / W)
10Ld MSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
120
湿气敏感度(见技术简介TB363 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
推荐工作条件
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
V
DD
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.7V至5.5V
V
BAT
电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.8V至5.5V
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
直流工作特性 - RTC
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
电源电流
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
I
DD2
I
DD3
I
BAT
I
BATLKG
I
LI
I
LO
V
V
TRIPHYS
V
BATHYS
EVIN
V
IL
V
IH
迟滞
I
EVPU
EVIN上拉电流
V
SUP
= 3V
-0.3
0.7 x
V
DD
0.05 x
V
DD
1.5
0.3 x
V
DD
V
DD
+
0.3
V
V
V
A
6
电源电流随着我
2
C动态
电源电流(低功耗模式)
电池供电电流
电池输入漏
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
V
BAT
模式阈值
V
迟滞
V
BAT
迟滞
1.6
10
10
V
DD
= 5V
V
DD
= 5V , LPMODE = 1
V
BAT
= 3V
V
DD
= 5.5V, V
BAT
= 1.8V
100
100
2.2
35
50
2.64
60
100
条件
2.7
1.8
2
1.2
40
1.4
400
典型值
(注5 )
最大
5.5
5.5
6
4
120
5
950
100
单位
V
V
A
A
A
A
nA
nA
nA
nA
V
mV
mV
2, 3
2, 8
2
2, 3
笔记
IRQ / EVDET和F
OUT
V
OL
输出低电压
V
DD
= 5V ,我
OL
= 3毫安
V
DD
= 2.7V ,我
OL
= 1毫安
I
LO
输出漏电流
V
DD
= 5.5V
V
OUT
= 5.5V
100
0.4
0.4
400
V
V
nA
3
FN6316.0
2006年6月22日
ISL1221
掉电时序
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有说明。
符号
V
SR- DD
参数
V
DD
消极的压摆率
条件
典型值
(注5 )
最大
10
单位
V / ms的
笔记
4
I
2
C接口规范
符号
V
IL
V
IH
迟滞
V
OL
CPIN
f
SCL
t
IN
t
AA
参数
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有规定。
测试条件
-0.3
0.7 x
V
DD
0.05 x
V
DD
V
DD
= 5V ,我
OL
= 3毫安
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, V
DD
= 5V,
V
IN
= 0V, V
OUT
= 0V
0.4
10
400
任何脉冲比最大规格窄
被抑制。
SCL下降沿穿越V的30 %
DD
,
直到SDA退出的30%70 %的V
DD
窗口。
SDA渡V的70 %
DD
期间
停止条件,以SDA跨越70 %
V的
DD
下面的启动过程
条件。
测量V的30 %
DD
道口。
测量V的70 %
DD
道口。
SCL上升沿到SDA下降沿。
两个过路的V 70 %
DD
.
从SDA下降沿穿越30 %
V的
DD
到SCL下降沿穿越
V 70 %
DD
.
从SDA退出的30%至70%
V
DD
窗口,以SCL上升沿
穿越的V 30 %
DD.
从SCL下降沿穿越30 %
V
DD
到的SDA进入30 %至70%
V的
DD
窗口。
从SCL上升沿跨越70 %
V
DD
到SDA上升沿穿越30 %
V的
DD
.
从SDA上升沿SCL下降
边缘。两个过路的V 70 %
DD
.
从SCL下降沿穿越30 %
V
DD
直到SDA进入30 %至70%
V的
DD
窗口。
从30%到V的70%
DD.
1300
50
900
典型值
(注5 )
最大
0.3 x
V
DD
V
DD
+
0.3
单位
V
V
V
V
pF
千赫
ns
ns
笔记
SDA和SCL输入缓冲器低
电压
SDA和SCL输入缓冲器高
电压
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
SDA输出缓冲器的低电压,
下沉3毫安
SDA和SCL引脚电容
SCL频率
脉冲宽度抑制时间
SDA和SCL输入
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
t
BUF
ns
t
t
t
SU : STA
t
高清: STA
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
START条件保持时间
1300
600
600
600
ns
ns
ns
ns
t
苏: DAT
输入数据建立时间
100
ns
t
高清: DAT
输入数据保持时间
0
900
ns
t
苏: STO
停止条件的建立时间
600
ns
t
高清: STO
t
DH
停止条件保持时间
输出数据保持时间
600
0
ns
ns
t
R
SDA和SCL上升时间
20 +
0.1× Cb的
300
ns
7
4
FN6316.0
2006年6月22日
ISL1221
I
2
C接口规范
符号
t
F
Cb
RPU
参数
SDA和SCL下降时间
电容式SDA或SCL的加载
测试条件: V
DD
= +2.7至+ 5.5V ,温度= -40 ° C至+ 85°C ,除非另有规定。
测试条件
从70%到V的30%
DD.
总片上和片外
20 +
0.1× Cb的
10
1
典型值
(注5 )
最大
300
400
单位
ns
pF
k
笔记
7
7
7
SDA和SCL总线上拉电阻最大为t确定
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时,最大的约
2 2.5kΩ 。用于CB = 40pF ,最大约为
15~20k
注意事项:
2. IRQ和f
OUT
和EVDET无效。
3. LPMODE = 0 (默认值) 。
4.为了确保适当的计时,在V
SR- DD
规范必须遵守。
5.典型值是T = 25 ° C和3.3V电源电压。
6. V
SUP
= V
DD
如果V
DD
模式下,V
SUP
= V
BAT
如果V
BAT
模式。
7.这是我
2
具体参数,并且不直接测试,但是它们是设备的测试过程中使用,以验证设备规范。
8.写寄存器08H应该只有V进行
DD
& GT ; V
BAT
,否则器件将无法使用I通信
2
C.
SDA与SCL时序
t
F
t
t
t
R
SCL
t
SU : STA
t
高清: STA
SDA
(输入计时)
t
苏: DAT
t
高清: DAT
t
苏: STO
t
AA
SDA
(输出时序)
t
DH
t
BUF
符号表
波形
输入
必须是稳定的
输出
将稳中
可能改变
从低
到HIGH
可能改变
从高
以LOW
不在乎:
允许更改
不适用
将改变
从低
到HIGH
将改变
从高
以LOW
更改:
国家不知道
中心线
高阻抗
5
FN6316.0
2006年6月22日
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