IXFR 200N10P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
60
97
7600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2900
860
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 3.3
（外部）
35
150
90
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
50
135
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42 K / W
0.15
K / W
ISOPLUS247大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
200
400
1.5
100
0.4
6
A
A
V
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 100 V
140纳秒
C
A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
IXFR 200N10P
图。 1.输出特性
@ 25
C
200
175
150
V
GS
= 10V
9V
350
V
GS
= 10V
300
250
8V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
125
100
75
50
25
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
D
- 安培
200
150
100
8V
7V
7V
6V
50
0
6V
1.2
1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
200
175
150
V
GS
= 10V
9V
8V
2.4
2.2
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我0.5
D25
值与结特温度
R
S（O N）
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 100A
I
D
= 200A
I
D
- 安培
125
100
75
50
25
0
0
0.5
1
6V
7V
5V
V
S
- 伏特
1.5
2
2.5
3
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 摄氏
图。 6.漏Curre NT VS 。 CAS ê
TEM PE叉涂抹
80
70
T
J
= 175
C
60
图。 5.
DS （ ON）
规范alized 0.5我
D25
价值VS 。漏Curre新台币
2.4
2.2
R
S（O N）
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
50
100
V
GS
= 15V
I
D
- 安培
50
40
30
20
V
GS
= 10V
T
J
= 25
C
150
200
250
300
350
10
0
I
D
- 安培
-50
-25
0
T
C
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
版权所有2005 IXYS所有权利
IXFR 200N10P
图。 7.输入上将ittance
300
140
120
100
图。 8.跨导
250
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
200
T
J
= -40
C
25
C
150
C
80
60
40
20
0
150
T
J
= -40
C
25
C
150
C
100
50
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
350
300
250
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 100A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
0
25
50
Q
G
- nanocoulombs
75
100 125 150 175 200 225 250
图。 11.电容
100,000
F = 1MHz的
1000
100 0
图。
.
12. FORW ARD偏置
图12.佛R W AR -Bias
安全工作区
安全运ê ATIN克A R E A
R
DS （ ON）
极限
R
S（O N）
LIM它
国际空间站
OSS
T
J
=
= 1 75
C
C
T
J
175
T
T
=
= 25
C
C
25
C
C
电容 - 皮法
10,000
I
D
D
- 安培
I
- 安培
100s
10 0s
100
1 00
1ms
1米s
10ms
10米每秒
DC
1,000
RSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
10
DC
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
1
1
10
10
V
- 伏特
V
S
- V OLTS
S
100
100
1000
10 00
IXFR 200N10P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
60
97
7600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
2900
860
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 60 A
R
G
= 3.3
（外部）
35
150
90
240
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
50
135
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42 K / W
0.15
K / W
ISOPLUS247大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
200
400
1.5
100
0.4
6
A
A
V
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
R
= 100 V
140纳秒
C
A
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
IXFR 200N10P
图。 1.输出特性
@ 25
C
200
175
150
V
GS
= 10V
9V
350
V
GS
= 10V
300
250
8V
9V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
125
100
75
50
25
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
D
- 安培
200
150
100
8V
7V
7V
6V
50
0
6V
1.2
1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150
C
200
175
150
V
GS
= 10V
9V
8V
2.4
2.2
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我0.5
D25
值与结特温度
R
S（O N）
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I
D
= 100A
I
D
= 200A
I
D
- 安培
125
100
75
50
25
0
0
0.5
1
6V
7V
5V
V
S
- 伏特
1.5
2
2.5
3
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 摄氏
图。 6.漏Curre NT VS 。 CAS ê
TEM PE叉涂抹
80
70
T
J
= 175
C
60
图。 5.
DS （ ON）
规范alized 0.5我
D25
价值VS 。漏Curre新台币
2.4
2.2
R
S（O N）
- 归
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
50
100
V
GS
= 15V
I
D
- 安培
50
40
30
20
V
GS
= 10V
T
J
= 25
C
150
200
250
300
350
10
0
I
D
- 安培
-50
-25
0
T
C
- 摄氏
25
50
75
100
125
150
175
版权所有2005 IXYS所有权利
IXFR 200N10P
图。 7.输入上将ittance
300
140
120
100
图。 8.跨导
250
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
200
T
J
= -40
C
25
C
150
C
80
60
40
20
0
150
T
J
= -40
C
25
C
150
C
100
50
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
50
100
150
200
250
300
350
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
350
300
250
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 100A
I
G
= 10毫安
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
200
150
100
50
0
6
5
4
3
2
1
0
V
S.D。
- 伏特
0
25
50
Q
G
- nanocoulombs
75
100 125 150 175 200 225 250
图。 11.电容
100,000
F = 1MHz的
1000
100 0
图。
.
12. FORW ARD偏置
图12.佛R W AR -Bias
安全工作区
安全运ê ATIN克A R E A
R
DS （ ON）
极限
R
S（O N）
LIM它
国际空间站
OSS
T
J
=
= 1 75
C
C
T
J
175
T
T
=
= 25
C
C
25
C
C
电容 - 皮法
10,000
I
D
D
- 安培
I
- 安培
100s
10 0s
100
1 00
1ms
1米s
10ms
10米每秒
DC
1,000
RSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
10
DC
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
1
1
10
10
V
- 伏特
V
S
- V OLTS
S
100
100
1000
10 00
QQ：2880707522 复制
