【IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78C】,IC型号IPI80CN10NG,IPI80CN10NG PDF资料,IPI80CN10NG经销商,ic,电子元器件-51电子网

IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹

IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹

的OptiMOS

2电源晶体管

特点

N沟道，正常水平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

R

DS （ ON）

175 ° C的工作温度

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

根据JEDEC合格

1)

针对目标应用程序

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）最大值（ TO252 ）

I

D

100

78

13

V

m

A

适用于高频开关和同步整流

TYPE

IPB80CN10N摹

IPD78CN10N摹

IPI80CN10N摹

IPP80CN10N摹

IPU78CN10N摹

包

记号

PG-TO263-3

80CN10N

PG-TO252-3

78CN10N

PG-TO262-3

80CN10N

PG-TO220-3

80CN10N

PG-TO251-3

78CN10N

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

3)

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

1)

价值

13

9

52

17

6

±20

单位

A

I

D，脉冲

E

AS

的dV / dt

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

I

D

=13 A,

R

GS

=25

I

D

=13 A,

V

DS

=80 V,

的di / dt = 100 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

mJ

KV / μs的

V

W

°C

T

C

=25 °C

31

-55 ... 175

55/175/56

J- STD20和JESD22

见图3

2)

3)

T

JMAX

= 150 ℃，占空比D = 0.01 Vgs<-5V

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IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

热阻，结 -

环境（ TO220 ， TO262 ， TO263 ）

热阻，结 -

环境（ TO252 ， TO251 ）

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6平方厘米散热面积

4)

最小的足迹

6平方厘米散热面积

4)

-

4.9

62

40

75

50

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=12 A

V

DS

=80 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=80 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=13 A,

(TO252)

V

GS

=10 V,

I

D

=13 A,

(TO251)

V

GS

=10 V,

I

D

=13 A,

(TO263)

V

GS

=10 V,

I

D

=13 A,

（ TO220 ， TO262 ）

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13 A

100

2

-

3

0.1

-

4

1

A

V

-

10

1

59

100

78

nA

m

-

59

78

-

61

80

-

7

61

0.8

13

80

-

S

4)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

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参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

5)

门源费

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

5)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=50 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=13 A,

R

G

=2.4

V

GS

=0 V,

V

DS

=50 V,

f

= 1兆赫

-

538

76

8

9

4

13

3

716

101

12

13

6

18

4

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Q

gs

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

OSS

V

DD

=50 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=50 V,

I

D

=13 A,

V

GS

= 0到10伏

-

3

2

3

8

5.7

8

4

3

5

11

-

10

nC

V

nC

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=13 A,

T

j

=25 °C

V

R

=50 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

1

67

114

13

52

1.2

-

A

V

ns

nC

参见图16栅极电荷参数定义

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1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

40

15

30

10

P

合计

[W]

20

I

D

[A]

5

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

10

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

2

1 s

10 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

1

100 s

0.5

1毫秒

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

0.2

1

0.1

0.05

10

0

DC

10毫秒

0.02

0.01

单脉冲

10

-1

10

-1

0.1

10

0

10

1

10

2

10

3

V

DS

[V]

t

p

[s]

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5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

60

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

200

180

160

140

8V

10 V

40

5V

5.5 V

6V

6.5 V

7V

R

DS （ ON）

[m

]

120

100

80

60

8V

10 V

I

D

[A]

20

6.5 V

6V

40

5.5 V

5V

20

0

4

5

0

10

20

30

40

0

1

2

4.5 V

3

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

30

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

20

25

15

20

15

g

fs

[S]

175 °C

25 °C

I

D

[A]

10

5

0

2

4

6

8

0

10

20

30

V

GS

[V]

I

D

[A]

修订版1.01

第5页

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