IXFN110N60P3
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 55A
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 55A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 55A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
65
105
18
1650
5.5
1.0
63
19
77
11
245
83
53
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.083
° C / W
° C / W
（ M4螺钉（ 4X ）提供）
SOT- 227B （ IXFN ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 55A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
1.6
14.0
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
110
440
1.5
A
A
V
250纳秒
μC
A
记
1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN110N60P3
图。 13.最大瞬态热阻抗
1
图。 13.最大瞬态热阻抗
0.2
AAAAA
0.1
Z
（日） JC
- C / W
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2011 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： F_110N60P3 （ K9 ） 11年3月16日
QQ：2881677436 复制
