添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第923页 > IPD78CN10NG
IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹
IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
N沟道，正常水平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC合格
1)
针对目标应用程序
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）最大值（ TO252 ）
I
D
100
78
13
V
m
A
适用于高频开关和同步整流
TYPE
IPB80CN10N摹
IPD78CN10N摹
IPI80CN10N摹
IPP80CN10N摹
IPU78CN10N摹
包
记号
PG-TO263-3
80CN10N
PG-TO252-3
78CN10N
PG-TO262-3
80CN10N
PG-TO220-3
80CN10N
PG-TO251-3
78CN10N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
3)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
价值
13
9
52
17
6
±20
单位
A
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
I
D
=13 A,
R
GS
=25
I
D
=13 A,
V
DS
=80 V,
的di / dt = 100 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
31
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
见图3
2)
3)
T
JMAX
= 150 ℃，占空比D = 0.01 Vgs<-5V
第1页
2006-06-02
修订版1.01
IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹
IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境（ TO220 ， TO262 ， TO263 ）
热阻，结 -
环境（ TO252 ， TO251 ）
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4.9
62
40
75
50
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=12 A
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=80 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=13 A,
(TO252)
V
GS
=10 V,
I
D
=13 A,
(TO251)
V
GS
=10 V,
I
D
=13 A,
(TO263)
V
GS
=10 V,
I
D
=13 A,
（ TO220 ， TO262 ）
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=13 A
100
2
-
-
3
0.1
-
4
1
A
V
-
-
-
10
1
59
100
100
78
nA
m
-
59
78
-
61
80
-
-
7
61
0.8
13
80
-
-
S
4)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版1.01
第2页
2006-06-02
IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹
IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=13 A,
R
G
=2.4
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
538
76
8
9
4
13
3
716
101
12
13
6
18
4
pF
ns
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=50 V,
I
D
=13 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
3
2
3
8
5.7
8
4
3
5
11
-
10
nC
V
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=13 A,
T
j
=25 °C
V
R
=50 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
1
67
114
13
52
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.01
第3页
2006-06-02
IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹
IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
40
15
30
10
P
合计
[W]
20
I
D
[A]
5
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
10
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
2
1 s
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
10
1
100 s
0.5
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
0.2
1
0.1
0.05
10
0
DC
10毫秒
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
0.1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.01
第4页
2006-06-02
IPB80CN10N摹IPD78CN10N摹
IPI80CN10N摹IPP80CN10N摹IPU78CN10N摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
180
160
140
8V
10 V
40
5V
5.5 V
6V
6.5 V
7V
7V
R
DS （ ON）
[m
]
120
100
80
60
8V
10 V
I
D
[A]
20
6.5 V
6V
40
5.5 V
5V
20
0
4
5
0
10
20
30
40
0
0
1
2
4.5 V
3
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
30
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
20
25
15
20
15
g
fs
[S]
175 °C
25 °C
I
D
[A]
10
10
5
5
0
0
2
4
6
8
0
0
10
20
30
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版1.01
第5页
2006-06-02
查看更多IPD78CN10NGPDF信息
推荐型号
IDT70V9099L12PFI
IXFH42N20S
IDT7015S35J
IRGPC50FD2
IDT54FCT533TQB
IRKUF71-10HJ
IP137MEA
IDT74FCT827ATE
IDT74FCT162841ATPV
IC42S32800L-7T
IRKL210-04
IDT54FCT162511CTPAB
IDT54FCT166H244ETEB
IRKLF132-08CL
IDC73D120T6H
IDT7201LA50XE
IDT70V3319S166PRFI
IC62LV25616L-70BI
IXFN110N60P3
IDT7134S70CB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IPD78CN10NG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
IPD78CN10NG
Infineon(英飞凌)
22+
189710
原装原厂公司现货
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
IPD78CN10NG
INFINEON/英飞凌
22+
12000
DPAK(TO-252)-3
原装现货超低价，可拆包
深圳市珩瑞科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ：1840507767 复制

电话：0755-82578309/18898790342
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
IPD78CN10NG
INFINEON
21+
4267
TO-252
███全新原装正品，支持实单
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IPD78CN10NG
INFINEON正品原装
20+
4750
TO-252
只做原装实单申请
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IPD78CN10NG
INFINEON
21+
10000
TO-252
只做原装实单申请
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
IPD78CN10NG
INFINEON
6666
17+18
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
芯惠（深圳）电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881724897 复制

电话：0755-82525087
联系人：肖
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
IPD78CN10NG
INFINEON支持实单
21+
10000
TO-252
原装正品,特价
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IPD78CN10NG
INFINEON
21+
18600
TO-252
全新原装正品/质量有保证
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制
电话：0755-23915992/23140719
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IPD78CN10NG
INFINEON
24+
68500
TO-252
一级代理/放心采购
深圳市芯珵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1115451969 复制

电话：13316817713
联系人：张先生
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
IPD78CN10NG
INFINEON
24+
9850
TO-252
进口原装正品现货
查询更多IPD78CN10NG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！