HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
符号
测试条件
V
DSS
IXFK 90 N 20
IXFN 100 N 20
IXFN 106 N 20
I
D25
R
DS （ ON）
23毫瓦
23毫瓦
20毫瓦
200 V
90 A
200 V 100 A
200 V
106 A
t
rr
200纳秒
TO- 264 AA
TO- 264 AA （ IXFK ）
最大额定值
IXFK
IXFN
IXFN
90N20 100N20 106N20
200
200
200 V
200
±20
±30
90
76
360
50
30
5
500
200
±20
±30
100
-
400
50
30
5
520
150
-55 ... +150
200 V
20 V
20 V
106 A
A
424 A
A
30兆焦耳
5 V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D80
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
T
C
= 80℃ ，受限于外部引线
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
G
D
S
（ TAB ）
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
D
G
G
S
S
S
D
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
-55 ... +150
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
300
-
-
0.9/6
-
10
-
2500
3000
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
特点
国际标准封装
JEDEC TO- 264 AA ，环氧见面
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
l
q
q
q
q
q
q
q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
4
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
400
2
0.023
0.023
0.020
V
V
nA
mA
mA
W
W
W
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
q
q
q
q
q
q
q
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
q
q
q
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
92804H (7/97)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFK100N20
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
60
9000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1600
590
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
80
75
30
380
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
70
190
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
0.05
0.15
0.24
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
IXFN90N20
IXFN106N20
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
90
100
106
360
424
1.5
200
A
A
A
A
A
V
ns
mC
A
miniBLOC ， SOT- 227 B
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 50 A， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
3
38
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
25.07 0.968
0.1 -0.002
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFK100N20
图7栅极电荷特性曲线
9000
14
12
V
DS
= 100V
I
D
= 50A
I
G
= 10毫安
IXFN90N20
IXFN106N20
图8电容曲线
C
国际空间站
8000
电容 - pF的
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C
RSS
C
OSS
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
100
80
图9源电流和源
漏极电压
I
D
- 安培
60
40
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
20
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图10瞬态热阻抗
0.5
热响应 - K / W
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
符号
测试条件
V
DSS
IXFK 90 N 20
IXFN 100 N 20
IXFN 106 N 20
I
D25
R
DS （ ON）
23毫瓦
23毫瓦
20毫瓦
200 V
90 A
200 V 100 A
200 V
106 A
t
rr
200纳秒
TO- 264 AA
TO- 264 AA （ IXFK ）
最大额定值
IXFK
IXFN
IXFN
90N20 100N20 106N20
200
200
200 V
200
±20
±30
90
76
360
50
30
5
500
200
±20
±30
100
-
400
50
30
5
520
150
-55 ... +150
200 V
20 V
20 V
106 A
A
424 A
A
30兆焦耳
5 V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
V~
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
D80
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
M
d
重量
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
T
C
= 80℃ ，受限于外部引线
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
G
D
S
（ TAB ）
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
D
G
G
S
S
S
D
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
-55 ... +150
或者可以使用在miniBLOC源终端
作为主要或开尔文源
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
300
-
-
0.9/6
-
10
-
2500
3000
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
特点
国际标准封装
JEDEC TO- 264 AA ，环氧见面
UL 94 V - 0阻燃等级
miniBLOC与氮化铝
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
快速内在整流器
l
q
q
q
q
q
q
q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
200
2
4
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
400
2
0.023
0.023
0.020
V
V
nA
mA
mA
W
W
W
V
DSS
V
GH （日）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
应用
DC- DC转换器
同步整流
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
低电压继电器
q
q
q
q
q
q
q
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
q
q
q
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
92804H (7/97)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFK100N20
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
60
9000
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1600
590
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1
W
（外部）
80
75
30
380
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
70
190
TO- 264 AA
TO- 264 AA
miniBLOC ， SOT- 227 B
miniBLOC ， SOT- 227 B
0.05
0.15
0.24
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
K / W
IXFN90N20
IXFN106N20
TO- 264 AA大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
IXFK90N20
IXFN100N20
IXFN106N20
90
100
106
360
424
1.5
200
A
A
A
A
A
V
ns
mC
A
miniBLOC ， SOT- 227 B
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
重复;
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= 50 A， -di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
3
38
供应M4螺丝（4次）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
25.07 0.968
0.1 -0.002
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
IXFK100N20
图7栅极电荷特性曲线
9000
14
12
V
DS
= 100V
I
D
= 50A
I
G
= 10毫安
IXFN90N20
IXFN106N20
图8电容曲线
C
国际空间站
8000
电容 - pF的
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C
RSS
C
OSS
F = 1MHz的
V
DS
= 25V
V
GE
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
100
80
图9源电流和源
漏极电压
I
D
- 安培
60
40
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
20
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图10瞬态热阻抗
0.5
热响应 - K / W
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
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