【以前的数据表指数下一页数据表PD - 9.1253IRFR2605IRFU2605HEXFET功率M】,IC型号IRFR2605,IRFR2605 PDF资料,IRFR2605经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

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PD - 9.1253

IRFR2605

IRFU2605

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

ESD保护

表面贴装（ IRFR2605 ）

直铅（ IRFU2605 ）

150 ° C工作温度

额定重复性雪崩

快速开关

描述

D

V

DSS

= 55V

G

R

DS （ ON）

= 0.075

I

D

= 19A

S

国际整流器第四代HEXFETs利用先进

即达到极低的导通电阻每硅片面积的加工技术

并允许静电放电保护被集成在所述栅极结构。

这些优势，结合坚固耐用的设备设计， HEXFETs是

众所周知，为设计者提供了非常有效和可靠的设备使用

在各种各样的应用中。

对D-朴被设计用于使用气相，红外，或波面安装

焊接技术。直导线版本（ IRFU系列）是用于通孔

安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特是可能的

典型的表面贴装应用。

D- PAK

TO-252AA

I- PAK

TO-251AA

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

功耗（ PCB安装） **

线性降额因子

线性降额因子（ PCB安装） **

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

焊接温度，持续10秒

人体模型，100pF电容， 1.5K

马克斯。

19

12

76

50

3.1

0.40

0.025

±20

100

12

5.0

4.5

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

2000

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J,

T

英镑

V

ESD

热阻

参数

R

θ

JC

R

θ

JA

R

θ

JA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

分钟。

—

典型值。

—

马克斯。

2.5

40

62

单位

° C / W

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

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指数

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IRFR2605

IRFU2605

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

55

–––

2.0

3.6

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.085

V

GS

= 10V ，我

D

= 11A

4.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 11A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

10

V

GS

= 20V

A

-10

V

GS

= -20V

23

I

D

= 11A

5.4

NC V

DS

= 44V

10

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 25V

–––

I

D

= 11A

ns

–––

R

G

= 20

–––

R

D

= 2.2Ω ，见图。 10

铅之间，

––– 4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

––– 7.5 –––

而中心的模具接触

––– 420 –––

V

GS

= 0V

––– 250 –––

pF

V

DS

= 25V

––– 67 –––

= 1.0MHz的，见图。五

D

G

S

典型值。

–––

0.051

–––

7.1

56

31

39

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

18

A

72

V

ns

C

––– 1.5

67 100

0.18 0.26

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 11A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 11A

的di / dt = 100A / μs的

G

D

S

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

如图11A所示， di / dt的

≤

110A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 830μH

R

G

= 25, I

AS

= 11A 。（参见图12）

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指数

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IRFR2605

IRFU2605

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

我，漏 - 源电流（A ）

D

10

我，漏 - 源电流（A ）

D

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

10

4.5V

1

4.5V

1

0.1

0.01

20μs的脉冲宽度

T

C

= 25°C

0.1

1

10

1 00

A

0.1

0.01

20μs的脉冲宽度

T

C

= 150°C

0.1

1

10

100

A

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

T

C

= 25

o

C

图2 。

典型的输出特性，

T

C

= 150

o

C

100

2.0

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 19A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 150°C

10

1.0

0.5

1

4

5

6

7

V

DS

= 25V

20μs的脉冲宽度

8

9

10

A

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160

A

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

TO ORDER

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指数

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IRFR2605

IRFU2605

1000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

800

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 11A

V

DS

= 44V

V

DS

= 26V

16

C，电容（pF ）

600

12

C

国际空间站

400

C

OSS

8

200

4

C

RSS

0

1

10

100

A

0

5

10

测试电路

见图13

15

20

25

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

100

10s

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

1

10

100s

0.1

0.0

0.4

0.8

1.2

V

GS

= 0V

A

1.6

1

0.1

T

C

= 25°C

T

J

= 150°C

单脉冲

1

10

1ms

A

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

TO ORDER

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指数

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IRFR2605

IRFU2605

V

DS

20

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

V

DD

16

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

10 V

12

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

8

4

0

25

50

75

100

125

A

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

N 2 O TE S：

1 。 ü TY前言与r D =吨

P

D M

t

1

t

2

1

/ t2

0.01

0.00001

2 。 P·E A K牛逼

J

= P

D M

X Z

日J·C

+ T C

A

1

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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