IXFK 64N60P
IXFX 64N60P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
40
63
12
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
1150
80
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
=0.5 I
D25
R
G
= 1
（外部）
23
79
24
200
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
70
68
S
nF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.12
°
C / W
0.15
°
C / W
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
PLUS 247
TM
概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
注意事项：
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
64
150
1.5
200
0.6
6.0
A
A
V
ns
C
A
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
TO- 264外形
1.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
QQ：2880707522 复制
