技术参数
IN74HC4015
双4位移位寄存器
高性能硅栅CMOS
该器件输入与标准CMOS输出兼容;
与上拉电阻，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
此设备由两个相同的独立的4阶段serial-
输入/并行输出寄存器。每个寄存器有独立的时钟
和复位输入，以及一个串行数据输入。 “Q”输出
得自各在两个寄存器中的四个阶段。所有的寄存器
阶段是D型，主从触发器。的逻辑电平存在于
在数据输入被传输到第一级寄存器和移位
在每个正向时钟跳变一个阶段。重置所有
级是由一个高级别上的复位线来实现的。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC4015N塑料
IN74HC4015D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
时钟
数据
L
引脚16 = V
CC
PIN 8 = GND
X
*
输出
RESET
L
L
L
H
Q
0
L
H
Q
0*
L
Q
n
Q
n-1
Q
n-1
Q
n*
L
H
X
X
=无变化
X =无关
474
IN74HC4015
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
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