技术参数
低功率J-FET DUAL
运算放大器
该IL082是高速J- FET输入双通道运算放大器
收纳有方匹配，高压J- FET和双极型晶体管
在一个单片集成电路中。
该器件具有高转换率，低输入偏置和失调电流，
和低偏移电压的温度系数。
低功耗
宽共模和差分电压范围
低输入偏置和失调电流
低噪声E.
n
= 18纳伏/ √Hz的（典型值）
输出短路保护
高输入阻抗J- FET输入级
低谐波失真： 0.01 ％ （典型值）
内部频率补偿
闭锁自由运作
高压摆率： 13 V / μs（典型值）
IL082
订购信息
IL082N塑料
IL082D SOIC
T
A
= -40 ° 85 ℃下进行包
引脚连接
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
输出1
反相输入1
非反相输入1
V
CC
-
非反相输入端2
反相输入2
输出2
V
CC
+
IL082
原理图
V
C
+
非反相
INPU
反相
INPU
100
100
200
产量
1/2 IL082
V
C
_
最大额定值
符号
V
CC
V
i
V
id
P
合计
T
OPER
T
英镑
笔记
1.
.
参数
电源电压 - （注1 ）
输入电压 - （注3）
差分输入电压 - （注2 ）
功耗
输出短路持续时间（注4 ）
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
IL082
±18
±15
±30
680
无限
-40到85
-65到+150
单位
V
V
V
mW
0
0
C
C
2.
3.
4.
所有电压值，除了差分电压，是相对于电源的零参考电平（地）
电压，其中所述零参考电平为V之间的中点
CC+
和V
CC
-
.
差分电压是在相对于反相输入端的非反相输入端。
输入电压的幅度绝不能超过电源电压或15伏的数量级，取
减。
该输出可以被短路至地或以任一电源。温度和/或电源电压必须限制在
确保额定功耗不超过。
IL082
电气特性
V
CC
=
±
15V ，T
AMB
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
IO
ParametersI
输入失调电压（R
S
= 50Ω, V
0
=0)
T
AMB
=25°C
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
马克斯。
输入失调电压漂移
输入失调电流*
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
马克斯。
I
IB
输入偏置电流*
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
马克斯。
A
VD
T
AMB
=25°C
65
400
20
pA
nA
V / MV
T
AMB
=25°C
5
100
10
pA
nA
IL082
典型值。
3
18
单位
mV
μV/°C
分钟。
马克斯。
10
13
DV
IO
I
IO
SVR
I
CC
V
ICM
CMR
±V
OPP
大信号电压增益（R
L
=为2kΩ ，V
O
=± 10V)
T
AMB
=25°C
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
马克斯。
电源电压抑制比（R
S
= 50Ω, V
0
=0)
T
AMB
=25°C
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
马克斯。
电源电流（每个放大器）
T
AMB
=25°C
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
最大
输入共模电压范围
共模抑制比（R
S
= 50Ω, V
0
=0)
T
AMB
=25°C
输出电压摆幅
R
L
=2 kΩ
T
AMB
= 25 ° C R
L
=10kΩ
R
L
=2kΩ
T
分钟。
≤
T
AMB 。
≤
T
马克斯。
R
L
=10kΩ
压摆率（V
i
= 10V ，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的，
T
AMB
= 25 ° C，单位增益）
上升时间（V
i
= 20mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
=100pF,
T
AMB
= 25 ° C，单位增益）
过冲（V
i
= 20mV的，R
L
=为2kΩ ，C
L
=100pF,
T
AMB
= 25 ° C，单位增益）
增益带宽积
输入阻抗
总谐波失真（ F = 1kHz时，R
L
= 2kΩ,
T
AMB
=25°C)
等效输入噪声电压
(R
S
= 100Ω ， F = 1kHz时）
25
15
70
70
200
86
dB
1.4
±11
70
10
12
10
12
8
+15
-12
86
12
13.5
2.5
2.5
mA
V
dB
V
13
0.1
20
3
10
12
0.01
18
V / μs的
μs
%
兆赫
Ω
%
nV
SR
t
r
K
OV
英镑
R
I
THD
e
n
Hz
V
O1
/V
O2
声道分离度（A
V
=100)
120
dB
0
*输入偏置电流是结漏电流，这大约增加一倍，每10℃上升的交界处
温度。
QQ：2880707522 复制
