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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第603页 > IXFH69N30P
POLAR
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
IXFH69N30P
IXFT69N30P
V
DSS
I
D25
t
rr
R
DS ( ON)
=
=
300V
69A
49m
200ns
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米( 0.063in )从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 247 )
TO-247
TO-268
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
300
300
± 20
± 30
69
200
69
1.5
20
500
-55到+150
+150
-55到+150
300
260
1.13/10
6
4
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
TO- 247 ( IXFH )
G
D
S
D( TAB )
TO- 268 ( IXFT )
G
S
D( TAB )
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
和Q
G
低封装电感
优势
高功率密度
易于安装
节省空间
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
300
2.5
5.0
V
V
±100 nA的
25 A
250 A
49 m
应用
的DC-DC Coverters
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
AC和DC马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
2009 IXYS公司,版权所有
DS99220F(10/09)
IXFH69N30P
IXFT69N30P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-247
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 34.5A
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 69A
R
G
= 4Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
30
48
4960
760
190
25
25
75
27
156
32
79
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.25
° C / W
° C / W
e
1
2
3
TO- 247 ( IXFH )大纲
P
端子: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 25A , -di / DT = 100A / μs的,
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
100
500
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
69
270
1.5
200
A
A
V
ns
nC
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268 ( IXFT )大纲
注1.脉冲检验,t
300μS ,占空比D
2%.
端子: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFH69N30P
IXFT69N30P
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
70
V
GS
= 10V
8V
180
160
140
50
V
GS
= 10V
9V
8V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
60
I
D
- 安培
7V
40
120
I
D
- 安培
100
7V
80
60
30
6V
20
40
10
5V
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
0
2
4
6
8
10
6V
5V
0
12
14
16
18
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
70
V
GS
= 10V
8V
7V
50
3.4
3.0
2.6
2.2
1.8
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 34.5A价值
- 结温
V
GS
= 10V
60
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
40
6V
I
D
= 69A
30
I
D
= 34.5A
1.4
1.0
0.6
0.2
20
5V
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 34.5A价值
与漏电流
4.0
3.5
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
60
80
70
图。 6,最大漏极电流
与外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
3.0
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2009 IXYS公司,版权所有
IXFH69N30P
IXFT69N30P
图。 7.输入导纳
90
80
70
80
70
60
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
60
25C
50
40
30
20
10
0
125C
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
200
180
160
140
10
9
8
7
V
DS
= 150V
I
D
= 34.5A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
120
100
80
60
40
20
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
1,000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS ( ON)
极限
电容 - 皮法
西塞
100.0
25s
100s
1,000
科斯
I
D
- 安培
10.0
1ms
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
DC
10ms
100ms
f
= 1兆赫
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
1,000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXFH69N30P
IXFT69N30P
图。 12.最大瞬态热阻抗
1.000
0.100
Z
(日) JC
- C / W
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司,版权所有
IXYS REF : T_69N30P ( 7S ) 09年10月16日-A
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFH69N30P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFH69N30P
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885134554 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885134398 复制

电话:0755-22669259 83214703
联系人:李先生,夏小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
IXFH69N30P
IXYS
2116+
44500
TO-247
全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IXFH69N30P
IXYS
24+
11758
TO-247
全新原装现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:421123133 复制

电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
IXFH69N30P
IXYS(艾赛斯)
24+
7800
TO-247-3
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
IXFH69N30P
IXYS(艾赛斯)
24+
13000
TO-247-3
原装正品热卖
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXFH69N30P
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-247AD(IXFH)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXFH69N30P
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-247
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXFH69N30P
IXYS/艾赛斯
24+
8640
TO-247
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
IXFH69N30P
IXYS
23+
1980
TO-247
绝对进口原装,公司现货
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电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698微信同号,无线联通更快捷!
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IXYS
24+
326
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