【POLARTMHiPerFETTM功率MOSFETIXFH69N30PIXFT69N30PVDSSI】,IC型号IXFH69N30P,IXFH69N30P PDF资料,IXFH69N30P经销商,ic,电子元器件-51电子网

POLAR

HiPerFET

功率MOSFET

IXFH69N30P

IXFT69N30P

DSS

D25

DS （ ON）

≤

300V

69A

49m

200ns

N沟道增强模式

额定雪崩

快速内在二极管

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

dv / dt的

英镑

出售

重量

1.6毫米（ 0.063in ）从案例10秒

塑料机身10秒

安装扭矩（ TO- 247 ）

TO-247

TO-268

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

, V

≤

DSS

, T

≤

150°C

= 25°C

最大额定值

300

± 20

± 30

200

1.5

500

-55到+150

+150

-55到+150

300

260

1.13/10

V / ns的

°C

纳米/ lb.in 。

TO- 247 （ IXFH ）

D（ TAB ）

TO- 268 （ IXFT ）

D（ TAB ）

G =门

S =源

=漏

TAB =漏

特点

国际标准封装

快速内在二极管

额定雪崩

低R

DS （ ON）

和Q

低封装电感

优势

高功率密度

易于安装

节省空间

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0V时，我

= 250A

= V

, I

= 4毫安

= ±20V, V

= 0V

= V

DSS

, V

= 0V

= 125°C

= 10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

300

2.5

5.0

±100 nA的

25 A

250 A

49 m

应用

的DC-DC Coverters

电池充电器

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

AC和DC马达驱动器

不间断电源

高速电源开关

应用

DS99220F(10/09)

IXFH69N30P

IXFT69N30P

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

TO-247

0.21

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 34.5A

电阻开关时间

= 10V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 69A

= 4Ω （外部）

= 0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

= 10V ，我

= 0.5 I

D25

注意1

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

4960

760

190

156

0.25

° C / W

TO- 247 （ IXFH ）大纲

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= I

, V

= 0V ，说明1

= 25A ， -di / DT = 100A / μs的，

= 100V, V

= 0V

100

500

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

270

1.5

200

毫米

分钟。马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 268 （ IXFT ）大纲

注1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXFH69N30P

IXFT69N30P

图。 1.输出特性@ T

= 25C

= 10V

180

160

140

= 10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

- 安培

120

- 安培

100

0.4

0.8

1.2

1.6

2.4

2.8

3.2

3.6

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 125C

= 10V

3.4

3.0

2.6

2.2

1.8

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 34.5A价值

- 结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

- 安培

= 69A

= 34.5A

1.4

1.0

0.6

0.2

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 34.5A价值

与漏电流

4.0

3.5

= 10V

= 125C

图。 6，最大漏极电流

与外壳温度

DS （ ON）

- 归

3.0

- 安培

= 25C

100

120

140

160

180

-50

-25

100

125

150

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

- 安培

- 摄氏

IXFH69N30P

IXFT69N30P

图。 7.输入导纳

= - 40C

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

25C

125C

- 安培

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

= 125C

25C

- 40C

- 伏特

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

200

180

160

140

= 150V

= 34.5A

= 10毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

- 伏特

= 125C

= 25C

120

100

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

100

120

140

160

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

1,000.0

图。 12.正向偏置安全工作区

DS （ ON）

极限

电容 - 皮法

西塞

100.0

25s

100s

1,000

科斯

- 安培

10.0

1ms

1.0

= 150C

= 25C

单脉冲

10ms

100ms

= 1兆赫

CRSS

100

0.1

100

1,000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXFH69N30P

IXFT69N30P

图。 12.最大瞬态热阻抗

1.000

0.100

（日） JC

- C / W

0.010

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度 - 秒

IXYS REF ： T_69N30P （ 7S ） 09年10月16日-A

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355

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一级授权代理IGBT模块可控硅模块二极管晶闸管熔断器保证全新原装正品

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