PD-96019A
IRF7750PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
双P沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型（ < 1.1毫米）
可在磁带卷&
LEAD -FREE
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.030
描述
HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现EX-
tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合加固装置的设计，即Interna-
tional整流器是众所周知的，
提供设计师
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用一个非常有效和可靠的装置，用于
电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45％的占位面积比
标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想
其中，印刷电路板空间设备的应用
是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）允许它适应
易成非常薄的环境中，例如便携
电子和PCMCIA卡。
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
±4.7
±3.8
±38
1.0
0.64
0.008
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
125
单位
° C / W
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1
05/14/09
IRF7750PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
-0.45
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
0.012 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
––– 0.030
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.7A
––– 0.055
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.8A
––– -1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -4.7A
––– -1.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
A
––– -25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
26
39
I
D
= -4.7A
3.9 5.8
nC
V
DS
= -16V
8.0
12
V
GS
= -5.0V
15 –––
V
DD
= -10V
54 –––
I
D
= -1.0A
ns
180 –––
R
D
= 10
210 –––
R
G
= 24
1700 –––
V
GS
= 0V
380 –––
pF
V
DS
= -15V
270 –––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
26
16
-1.0
A
-38
-1.2
39
24
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.0A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRF7750PbF
2500
2000
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
-4.7A
V
DS
=-16V
8
C，电容（pF ）
西塞
1500
6
1000
4
500
科斯
CRSS
1
10
100
2
0
0
0
10
20
30
40
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1.00
1000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
-V GS （ TH） ， Variace （ V）
-I
D
，漏电流（ A）
I
0.80
100
10us
10
100us
1ms
1
10ms
0.60
ID = -250μA
0.40
0.20
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
0.1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
T J ，温度（° C）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
阈值电压与温度的关系
图8 。
最大安全工作区
4
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