PD- 91335D
IRLR/U2703
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR2703 ）
直铅（ IRLU2703 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.045
I
D
= 23A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
23
16
96
45
0.30
± 16
77
14
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
www.irf.com
1
7/30/03
IRLR/U2703
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
30
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.030 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.045
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
––– ––– 0.065
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12A
1.0
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
6.4
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 14A
––– ––– 25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 15
I
D
= 14A
––– ––– 4.6
NC V
DS
= 24V
––– ––– 9.3
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
8.5 –––
V
DD
= 15V
––– 140 –––
I
D
= 14A
ns
–––
12 –––
R
G
= 12, V
GS
= 4.5V
–––
20 –––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
铅之间，
–––
4.5
--- nH的
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 450 –––
V
GS
= 0V
––– 210 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 110 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 23
展示
A
G
整体反转
––– –––
96
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14A ，V
GS
= 0V
––– 65
97
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14A
––– 140 210
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 15V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 570μH
R
G
= 25, I
AS
= 14A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
D- PAK的被测量
间
铅和模具联络中心。
使用IRL2703数据和试验条件。
2
www.irf.com
PD- 9.1335B
初步
IRLR/U2703
HEXFET
功率MOSFET
D
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR2703 ）
直铅（ IRLU2703 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.045
I
D
= 23A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
-P AK
T O服务-2 52 A A
I-P AK
T O服务-25 1 A A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
23
16
96
45
0.30
± 16
77
14
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
www.irf.com
1
IRLR/U2703
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
30
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.030 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.045
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
W
–––
––– 0.065
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12A
1.0
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
6.4
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 14A
––– –––
25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
–––
––– 250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– –––
15
I
D
= 14A
––– ––– 4.6
nC
V
DS
= 24V
–––
––– 9.3
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
8.5 –––
V
DD
= 15V
–––
140 –––
I
D
= 14A
ns
–––
12 –––
R
G
= 12, V
GS
= 4.5V
–––
20 –––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
–––
450 –––
V
GS
= 0V
–––
210 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 110 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 23
展示
A
G
整体反转
96
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14A ，V
GS
= 0V
–––
65
97
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14A
––– 140 210
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 15V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 570μH
R
G
= 25, I
AS
= 14A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具联络中心。
使用IRL2703数据和试验条件。
2
www.irf.com
IRLR/U2703
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
1000
I
D
，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
100
I
D
，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
10
1
1
2.5V
2.5V
0.1
0.1
1
20μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 25°C
10
A
0.1
0.1
1
20μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 175°C
10
100
A
100
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 7 5 °C
10
R
S（上）
，D雨来-S环境允许 n个R esistance
（N ORM alized ）
I
D
=
23A
24A
I
D
，D RA在-to -S URC式C urren T（A ）
1.5
1.0
1
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
S
= 1 5 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
7
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR/U2703
1000
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
800
V
GS
C
为s
C
RS s
C
OSS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
gs
+ C
gd
, C
ds
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 14A
V
S
= 24V
V
S
= 15V
12
C，C apacitanc E（ pF）的
C
国际空间站
600
C
OSS
9
400
6
C
RS s
200
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
12
16
20
A
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
S.D。
，R EVERSE 雨光凭目前 （A ）
P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE
B Y形
S（上）
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
I
D
，D雨光凭目前 （A ）
100
10 s
100 s
10
1米s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
2.0
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
S英格尔P ulse
10
10米s
2.4
A
100
V
S.D。
，S环境允许的模 - 数雨V oltage （Ⅴ）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最高安全工作
区域
4
www.irf.com
IRLR/U2703
25
不限按包
V
DS
V
GS
R
D
20
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
R
G
-
V
DD
15
4.5V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
10
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
牛逼赫姆人 ES ponse （Z
日J·C
)
D = 0.5 0
1
0.2 0
0.1 0
0.0 5
0.02
0.0 1
S荷兰国际集团乐P ü LS ê
（前作RM A L RE S·P 北南E）
释：
1 。 ü TY FAC器D =吨
P
D M
0.1
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日JC
+ T C
A
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，R ê CTAN克ü拉; R P ü LSE ü比n （ SE C）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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PD- 91335D
IRLR/U2703
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
超低导通电阻
表面贴装（ IRLR2703 ）
直铅（ IRLU2703 ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.045
I
D
= 23A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
23
16
96
45
0.30
± 16
77
14
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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1
7/30/03
IRLR/U2703
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
30
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.030 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.045
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A
––– ––– 0.065
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12A
1.0
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
6.4
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 14A
––– ––– 25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 15
I
D
= 14A
––– ––– 4.6
NC V
DS
= 24V
––– ––– 9.3
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
8.5 –––
V
DD
= 15V
––– 140 –––
I
D
= 14A
ns
–––
12 –––
R
G
= 12, V
GS
= 4.5V
–––
20 –––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
铅之间，
–––
4.5
--- nH的
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 450 –––
V
GS
= 0V
––– 210 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 110 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 23
展示
A
G
整体反转
––– –––
96
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 14A ，V
GS
= 0V
––– 65
97
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 14A
––– 140 210
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 15V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 570μH
R
G
= 25, I
AS
= 14A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图14A中， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;套餐限制电流= 20A 。
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
D- PAK的被测量
间
铅和模具联络中心。
使用IRL2703数据和试验条件。
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