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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第783页 > IXFH32N50Q
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
500
V
32
A 0.16
500
V
32
A 0.16
t
rr
≤
250纳秒
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，高dv / dt
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C ;脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
32
128
32
45
1500
5
416
-55 ... + 150
150
-55 ... + 150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
300
1.13/10
6
4
特点
IXYS先进的低Q
g
过程
低栅极电荷和电容
- 容易驾驶
- 更快的切换
国际标准封装
低R
DS （ ON）
非钳位感应开关（ UIS）
评级
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
500
2.5
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
1
0.16
V
V
nA
A
mA
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS98596E(02/04)
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
18
28
3950 4925
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
640
210
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
42
75
20
153
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
26
85
800
260
45
50
95
25
190
32
105
0.30
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
1
2
3
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
32
128
1.5
250
A
A
V
ns
C
A
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.75
7.5
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
图1.输出特性25
O
C
80
70
60
T
J
= 25
O
C
V
GS
=10V
9V
8V
7V
6V
图2.输出特性，在125
O
C
50
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
40
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
30
5V
20
10
4V
5V
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。R
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与我
D
2.8
V
GS
= 10V
图4.
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与T
J
2.8
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
TJ = 125℃
0
R
DS （ ON）
- 归
2.4
2.0
1.6
2.4
I
D
= 32A
2.0
1.6
1.2
0.8
25
I
D
= 16A
Tj=25
0
C
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图5.漏电流与外壳温度
40
IXF_32N50Q
32
图6.导纳曲线
50
40
I
D
- 安培
24
16
8
0
I
D
- 安培
IXF_30N50Q
30
20
10
0
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
2
3
4
5
6
T
C
- 摄氏度
V
GS
- 伏特
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
图7.栅极电荷
14
12
10
Vds=300V
I
D
=16A
I
G
=10mA
图8.电容曲线
10000
西塞
F = 1MHz的
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
1000
科斯
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - 数控
图中的9正向电压降
征二极管
100
V
GS
= 0V
V
DS
- 伏特
80
I
D
- 安培
60
40
20
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图10.瞬态热阻
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
-3
10
-2
IXYS储备
10
向右改变限制，测试条件，和尺寸。
该
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个
：下列美国专利
10
-1
10
0
10
1
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343 6,583,505
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
V
DSS
IXFH / IXFT 30N50Q
IXFH / IXFT 32N50Q
I
D25
R
DS （ ON）
500 V 30 A 0.16
500 V 32 A 0.15
t
rr
≤
250纳秒
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，高dv / dt
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C,
脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
30N50Q
32N50Q
30N50Q
32N50Q
最大额定值
500
500
±20
±30
30
32
120
128
32
45
1500
5
360
-55 ... + 150
150
-55 ... + 150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
AD TO- 247 （ IXFH ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
300
1.13/10
6
4
特点
l
l
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
500
2.5
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
30N50Q
32N50Q
100
1
0.16
0.15
V
V
nA
A
mA
l
l
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
l
IXYS先进的低Q
g
过程
低栅极电荷和电容
- 容易驾驶
- 更快的切换
国际标准封装
低R
DS （ ON）
非钳位感应开关（ UIS）
评级
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有2001 IXYS所有权利。
98596D (03/01)
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
18
28
3950 4925
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
640
210
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
42
75
20
153
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
26
85
800
260
45
50
95
25
190
32
105
0.35
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
1
2
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注意1
3
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
32
128
1.5
A
A
V
R
S
TO- 268外形
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，注1
250
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.75
7.5
ns
C
A
注1 ：脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
图1.输出特性25
O
C
80
70
60
T
J
= 25
O
C
V
GS
=10V
9V
8V
7V
6V
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
图2.输出特性，在125
O
C
50
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
40
I
D
- 安培
50
40
30
20
10
0
I
D
- 安培
30
5V
20
10
4V
5V
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。R
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与我
D
2.8
V
GS
= 10V
图4.
DS （ ON）
标准化为15A / 25
O
与T
J
2.8
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
TJ = 125℃
0
R
DS （ ON）
- 归
2.4
2.0
1.6
Tj=25
0
C
2.4
I
D
= 32A
2.0
I
D
= 16A
1.6
1.2
0.8
25
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图5.漏电流与外壳温度
40
IXF_32N50Q
32
图6.导纳曲线
50
40
I
D
- 安培
24
16
8
0
I
D
- 安培
IXF_30N50Q
30
20
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
10
0
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
V
GS
- 伏特
版权所有2001 IXYS所有权利。
IXFH 30N50Q
IXFT 30N50Q
图7.栅极电荷
14
12
10
Vds=300V
I
D
=16A
I
G
=10mA
IXFH 32N50Q
IXFT 32N50Q
图8.电容曲线
10000
西塞
F = 1MHz的
电容 - pF的
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
科斯
1000
CRSS
100
0
5
10
15
20
25
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
100
图中的9正向电压降
征二极管
V
GS
= 0V
80
I
D
- 安培
60
T
J
=125
O
C
40
20
T
J
=25
O
C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 伏特
图10.瞬态热阻
0.40
0.20
R（日）
JC
- K / W
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
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