HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，高dv / dt
V
DSS
IXFH / IXFT 24N50Q
IXFH / IXFT 26N50Q
I
D25
R
DS （ ON）
0.23
0.20
500 V
24 A
500 V
26 A
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
24N50
26N50
24N50
26N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
24
26
96
104
24
26
30
1.5
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°
C
°
C
°
C
°
C
纳米/ lb.in 。
g
g
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ） （ IXFT ）机箱样式
G
S
（ TAB ）
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
特点
l
l
l
l
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
测试条件
300
1.13/10
6
4
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
低R
DS （ ON）
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
500
2.5
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
24N50Q
26N50Q
25
1
0.23
0.20
V
V
nA
A
mA
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
快速开关
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注2
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有2001 IXYS所有权利。
98512G (5/01)
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
14
24
3900
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
500
130
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
30
55
16
95
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
27
40
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
1
2
3
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注2
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
24N50Q
26N50Q
24N50Q
26N50Q
24
26
96
104
1.3
A
A
A
A
V
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.85
8
250
ns
C
A
注1.脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
闵推荐足迹
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
12
10
V
DS
= 250 V
I
D
= 13 A
I
G
= 10毫安
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
10000
F = 1MHz的
电容 - pF的
西塞
科斯
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
1000
CRSS
100
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7栅极电荷特性曲线
50
45
40
35
图8电容曲线
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 伏特
图9漏极电流与漏极至源极电压
1.00
D=0.5
R（日）
JC
- K / W
0.10
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
0.01
D=0.01
单脉冲
0.00
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图10瞬态热阻抗
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，高dv / dt
V
DSS
IXFH / IXFT 24N50Q
IXFH / IXFT 26N50Q
I
D25
R
DS （ ON）
0.23
0.20
500 V
24 A
500 V
26 A
t
rr
≤
250纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，注1
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
24N50
26N50
24N50
26N50
24N50
26N50
最大额定值
500
500
±20
±30
24
26
96
104
24
26
30
1.5
5
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°
C
°
C
°
C
°
C
纳米/ lb.in 。
g
g
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
TO- 268 （ D3 ） （ IXFT ）机箱样式
G
S
（ TAB ）
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
特点
l
l
l
l
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
测试条件
300
1.13/10
6
4
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
低R
DS （ ON）
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
500
2.5
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
24N50Q
26N50Q
25
1
0.23
0.20
V
V
nA
A
mA
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
快速开关
l
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注2
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有2001 IXYS所有权利。
98512G (5/01)
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
14
24
3900
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
500
130
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
30
55
16
95
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
27
40
0.42
(TO-247)
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
DIM 。
1
2
3
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
注2
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
标签 - 漏
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;注1
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
24N50Q
26N50Q
24N50Q
26N50Q
24
26
96
104
1.3
A
A
A
A
V
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
0.85
8
250
ns
C
A
注1.脉冲宽度限制T
JM
2.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
闵推荐足迹
毫米
分钟。
马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXFH 24N50Q
IXFH 26N50Q
12
10
V
DS
= 250 V
I
D
= 13 A
I
G
= 10毫安
IXFT 24N50Q
IXFT 26N50Q
10000
F = 1MHz的
电容 - pF的
西塞
科斯
V
GS
- 伏特
8
6
4
2
0
0
1000
CRSS
100
20
40
60
80
100
120
0
5
10
15
20
25
30
35
40
栅极电荷 - 数控
V
DS
- 伏特
图7栅极电荷特性曲线
50
45
40
35
图8电容曲线
I
D
- 安培
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 伏特
图9漏极电流与漏极至源极电压
1.00
D=0.5
R（日）
JC
- K / W
0.10
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
0.01
D=0.01
单脉冲
0.00
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
脉冲宽度 - 秒
图10瞬态热阻抗
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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