高速64K （ 4K x 16位）
IDT70824S/L
顺序访问
随机存取存储器（ SARAM
)
特点
x
x
x
x
x
x
x
x
高速存取
- 军事： 35 /为45nS （最大）
- 商业：20 /25/ 35 /为45nS （最大）
低功耗工作
- IDT70824S
主动： 775mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT70824L
主动： 775mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
4K ×16的顺序存取随机存取存储器（ SARAM
)
- 从一个端口和标准随机顺序访问
从另一个端口访问
- 单独的上层字节和的低字节控制
随机接入端口
高速运行
- 为20ns吨
AA
用于随机接入端口
- 为20ns吨
CD
对于连续的端口
- 25ns的时钟周期时间
基于双端口RAM单元架构
x
x
x
x
x
兼容英特尔BMIC和82430 PCI套装
宽度和深度扩展
连续的方
- 基于地址的标志缓冲控制
- 最多指针逻辑支持两个内部缓冲区
电池备份操作 - 2V的数据保留
TTL兼容，单5V （ ±10％ ）电源
可提供80引脚TQFP和84引脚PGA
军工产品符合MIL -PRF- 38535 QML
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
描述
该IDT70824是一个高速的4K ×16位顺序存取随机
存取存储器（ SARAM ） 。该SARAM提供了单芯片解决方案
缓冲器中的数据顺序地在一个端口上，并且可以随机访问（异步
chronously ）至另一端口。该装置具有双端口RAM的
基于架构与标准SRAM接口用于随机
（异步）接入口，并用计数器SE-一个时钟接口
功能框图
A
0-11
CE
OE
读/写
LB
最低位
最高位
UB
CMD
I / O
0-15
12
随机
ACCESS
PORT
控制
顺序
ACCESS
PORT
控制
4K ×16
内存
ARRAY
16
12
12
12
12
12
RST
SCLK
CNTEN
国有企业
SSTRT
1
SSTRT
2
SCE
SR / W
SLD
SI / O
0-15
,
数据
L
ADDR
L
数据
R
ADDR
R
16
注册。
12
16
RST
指针/
计数器
起始地址缓冲区＃ 1
结束地址缓冲区＃ 1
起始地址缓冲区＃ 2
结束地址缓冲区＃ 2
流量控制缓冲区
标志状态
12
EOB
1
比较
EOB
2
3099 DRW 01
2000年4月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3099/5
6.07
IDT70824S/L
高速4K ×16的顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
quencing的顺序（同步）接入端口。
采用CMOS高性能技术制造的，这种记忆
设备通常运行在功率小于775mW最大高
高速时钟到数据和随机访问。自动断电
功能，通过控制
CE，
允许片上电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
该IDT70824封装在一个80引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
或84针针脚栅格阵列（ PGA ） 。军工级产品的制造
符合MIL -PRF- 38535 QML的最新版本，使之
非常适合军事应用温度要求最高
的性能和可靠性的水平。
指数
SI / O
1
SI / O
0
GND
N / C
SCE
SR / W
RST
SLD
SSTRT
2
SSTRT
1
GND
GND
CNTEN
国有企业
SCLK
GND
EOB
2
EOB
1
V
CC
I / O
0
1
80 79 78 77 76 75 74 73 72 71 70 69 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
2
58
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
57
56
55
54
53
SI / O
2
SI / O
3
V
CC
SI / O
4
SI / O
5
SI / O
6
SI / O
7
GND
SI / O
8
SI / O
9
SI / O
10
SI / O
11
V
CC
SI / O
12
SI / O
13
SI / O
14
SI / O
15
GND
N / C
GND
IDT70824PF
PN80-1
(4)
80引脚TQFP
顶视图
(5)
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
V
CC
V
CC
A
1
A
0
CMD
CE
LB
UB
读/写
OE
3099 DRW 02
,
63
61
I / O
1
GND
I / O
2
I / O
3
V
CC
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
60
58
55
54
51
48
46
45
42
I / O
1
66
V
CC
64
EOB
1
62
GND
CNTEN
GND
SSTRT2
SR / W
59
56
49
50
47
NC
44
GND
43
NC
40
11
10
09
08
07
06
05
04
03
02
01
,
I / O
2
67
NC
65
I / O
0
EOB
2
国有企业RST SLD
57
53
52
SSTRT1
SCE
SI / O
0
SI / O
1
SI / O
3
41
39
I / O
3
69
GND
68
SCLK GND
SI / O
2
38
V
CC
37
I / O
4
72
V
CC
71
73
33
SI / O
4
SI / O
5
35
34
I / O
7
75
I / O
6
GND
70
74
IDT70824G
G84-3
(4)
84针PGA
顶视图
(5)
SI / O
8
SI / O
7
GND
32
31
36
I / O
9
76
I / O
5
77
I / O
8
78
SI / O
9
SI / O
10
SI / O
6
28
29
30
I / O
10
I / O
11
V
CC
79
80
SI / O
12
V
CC
SI / O
11
26
27
I / O
12
I / O
13
81
83
7
11
12
SI / O
14
SI / O
13
23
25
I / O
14
82
1
NC
2
5
CMD
V
CC
8
10
A
2
14
17
20
NC SI / O
15
22
24
I / O
15
GND
84
3
4
OE
6
LB
9
A
0
A
1
E
V
CC
15
A
4
13
A
7
16
A
10
18
GND GND
19
21
NC
A
销1
代号
读/写
B
UB
C
CE
D
A
5
F
A
3
G
A
6
H
A
8
J
A
9
K
A
11
L
3099 DRW 03
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. PN80-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
G84-3包体约为1.12英寸x 1.12英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
2
IDT70824S/L
高速4K ×16的顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
引脚说明：随机访问端口
(1)
符号
A
0
-A
11
I / O
0
-I / O
15
CE
名字
地址线
输入/输出
芯片使能
I / O
I
I
I
描述
地址输入访问4096字（ 16位）内存阵列。
随机接入数据的输入/对16位宽的数据输出。
当
CE
为低时，该随机接入端口被启用。当
CE
为高电平时，该随机接入端口被禁用
进入掉电模式和I / O输出处于高阻抗状态。在所有的数据将被保留
CE
=
V
IH
的，除非它是由连续的端口改变
CE
和
CMD
未必低同时。
当
CMD
为低电平时，地址线A
0
-A
2
， R / W ，而输入和输出I / O
0
-I / O
12
，用于访问所述
控制寄存器，标志寄存器和缓冲寄存器的开始和结束。
CMD
和
CE
可能不低于
同一时间。
If
CE
低并且
CMD
是高电平时，数据被写入到所述阵列，当R / W为低电平，读阵列时的出
R / W为高电平。如果
CE
为HIGH和
CMD
为低电平时， R / W是用于访问缓冲命令寄存器。
CE
和
CMD
未必低同时。
当
OE
为LOW和R / W为高电平时， I / O的
0
-I / O
15
输出被使能。当
OE
为高电平时， I / O的输出是在
高阻抗状态。
当
LB
为低电平时， I / O
0
-I / O
7
对于重广告和写操作访问。当
LB
为高电平， I / O
0
-I / O
7
有三 -
并表示在读取和写入操作受阻。
UB
访问控制的I / O
8
-I / O
15
以同样的方式和
是异步的
从
LB。
七+ 5V电源引脚。所有V
CC
引脚都必须连接到相同的+ 5V V
CC
供应量。
十大接地引脚。所有接地引脚都必须连接到相同的地面供电。
3099 TBL 01
CMD
控制寄存器启用
I
读/写
读/写使能
I
OE
LB ， UB
OUTPUT ENABLE
低字节，高字节
使
I
I
V
CC
GND
电源
地
I
I
引脚说明：顺序访问端口
(1)
符号
SI/O0-15
SCLK
SCE
名字
输入/输出
时钟
芯片使能
I / O
I / O
I
I
描述
连续数据的输入/对16位宽的数据输出。
SI / O
0
-SI / O
15
， SCE ， SR / W ，和SLD注册在SCLK低到高的跳变。还有，顺序
接入端口地址指针递增1对每个低到高SCLK时的过渡
CNTEN
是低的。
当
SCE
为低电平时，顺序访问端口在SCLK的低到高transitio 启用。当
SCE
高，顺序访问端口被禁用成掉电模式的低到高的转变
SCLK和SI / O输出处于高阻抗状态。所有数据将被保留，除非改变由随机
接入端口。
当
CNTEN
为低，在SCLK低到高的跳变的地址指针递增。这个功能是
独立
CE 。
当SR / W和
SCE
低，一个写周期开始在SCLK低到高的跳变。当SR / W是
高，并
SCE
和
国有企业
低，一个读周期开始在SCLK低到高的跳变。终止
OFA写周期在SCLK的，如果SR / W或低到 - 高转换完成
SCE
为高。
当
SLD
采样为低电平，有一个周期前的地址指针变化的内部延时。当
SLD
为低电平，在输入数据SI / O
0
-SI / O
11
加载到数据寄存器上的低到高的转变
SCLK 。在周期以下
SLD ，
中包含的数据 - 地址指针充电到地址位置
在寄存器中。
SSTRT
1
和
SSTRT
2
未必低，而
SLD
为LOW或循环过程中以下
SLD 。
当
SSTRT
1
or
SSTRT
2
为低时，地址寄存器＃起始1或＃ 2被装载到地址指针上
SCLK的低到高的转变。起始地址存储在内部寄存器。
SSTRT
1
和
SSTRT
2
未必低，而
SLD
为LOW或循环过程中以下
SLD 。
EOB
1
or
EOB
2
是当地址指针递增，以匹配存储在末尾的地址，输出低
缓冲寄存器。这些标志可以通过ASSERTING被清除
RST
LOW或书面泽ロ到第0位和/或
位1的控制registe为r的地址101 。
EOB
1
和
EOB
2
依赖于不同的内部寄存器，并
因此，单独匹配的地址。
国有企业
控制数据输出是SCLK的independe新台币。当
国有企业
为低时，输出缓冲器和所述
SE quentially广告打扮数据输出。当
国有企业
为高电平时， SI / O输出总线处于高阻抗状态。
国有企业
是异步到SCLK 。
当
RST
为LOW ，所有内部寄存器被设置为它们的缺省状态时，地址指针设置到零，并且
EOB
1
和
EOB
2
标志设置为高。
RST
是异步到SCLK 。
3099 TBL 02
CNTEN
SR / W
柜台启用
读/写使能
I
I
SLD
地址指针负荷控制
I
SSTRT
1
,
SSTRT
2
EOB
1
,
EOB
2
加载地址的开始
注册
缓冲区标志结束
I
O
国有企业
OUTPUT ENABLE
I
RST
RESET
I
注意：
1. "I / O"是双向的输入和输出。 "I"是输入和"O"输出。
6.42
3
IDT70824S/L
高速4K ×16的顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
环境温度
军事
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
0V
0V
0V
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
3099 TBL 04
GND
VCC
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
广告
产业
o
mA
3099 TBL 03
注意事项：
1.这是参数T
A
.
2，工业级温度：特定速度，包和权力接触
您的销售办事处。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM >
Vcc的+ 10％ 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
3099 TBL 05
电容
符号
C
IN
C
OUT
V
IH
V
IL
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的，仅TQFP ）
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
____
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3099 TBL 06
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70824S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= + 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
70824L
马克斯。
5
5
0.4
___
分钟。
___
___
___
马克斯。
1
1
0.4
___
单位
A
A
V
V
3099 TBL 07
2.4
2.4
4
IDT70824S/L
高速4K ×16的顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,2,8)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
70824X20
Com'l只有
符号
I
CC
参数
工作动态
当前
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出打开
SCE
= V
IL
(5)
f = f
最大
(3)
SCE
和
CE
= V
IH
(7)
CMD
= V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
Com'l
MIL &
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
180
180
____
____
70824X25
Com'l只有
典型值。
(2)
170
170
____
____
70824X35
Com'l &
军事
典型值。
(2)
160
160
160
160
20
20
20
20
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
90
90
马克斯。
340
290
400
340
70
50
85
65
240
210
290
250
15
5
30
10
220
180
260
215
70824X45
Com'l &
军事
典型值。
(2)
155
155
155
155
16
16
16
16
90
90
90
90
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
马克斯。
340
290
400
340
70
50
85
65
240
210
290
250
15
5
30
10
220
180
260
215
3099 TBL 08
马克斯。
380
330
____
____
马克斯。
360
310
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
25
25
____
____
70
50
____
____
25
25
____
____
70
50
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
or
SCE
= V
IH
有源输出端口打开，
f=f
最大
(3)
115
115
____
____
260
230
____
____
105
105
____
____
250
220
____
____
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
和
SCE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(6)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
< 0 。
2V,
f = 0
(4)
一个端口
CE
or
SCE
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(6,7)
输出打开的（活动端口）
f = f
最大
(3)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
1.0
0.2
____
____
15
5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
110
110
____
____
240
200
____
____
100
100
____
____
230
190
____
____
mA
笔记
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ;根据设备特性保证，但未经生产测试。
3.在f = F
最大
，地址，控制线（除输出使能） ，和SCLK循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
.
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.
SCE
可转变的，但是低（SCE = V
IL
）时，由SCLK时钟输入。
6.
SCE
可能是 - 0.2V后，它的时钟频率中，由于SCLK = V
IH
时钟必须在之前断电。
7.如果一个端口被启用（或者
CE
or
SCE
=低），那么另一个端口被禁用（ SCE或
CE
=高，分别）。 CMOS HIGH >为VCC - 0.2V和LOW < 0.2V ，并
TTL HIGH = V
IH
低= V
IL
.
8.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
数据保持特性在所有温度范围
（只有L型）
(V
LC
＆ LT ; 0.2V ，V
HC
＆ GT ; V
CC
- 0.2V)
符号
V
DR
I
CCDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 2V
CE
= V
HC
V
IN
= V
HC
或者V
LC
t
CDR
(3)
t
R
(
3)
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
米尔。 &工业。
Com'l 。
测试条件
分钟。
2.0
___
典型值。
(1)
___
马克斯。
___
单位
V
A
100
100
___
4000
1500
___
___
SCE
= V
HC
(4)
当SCLK = U
CMD
＆ GT ; V
HC
___
V
V
3099 TBL 09
t
RC
(2)
___
___
注意事项：
1. T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 2V ;根据设备特性保证，但未经生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
4.要启动数据保留，
SCE
= V
IH
必须移入。
6.42
5
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