IXFA16N50P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
(TO-220)
(TO-247)
0.50
0.21
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 10Ω
（外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
9
16
2480
237
18
23
25
70
22
43
15
12
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
° C / W
° C / W
引脚：
1 - GATE
IXFP16N50P
IXFH16N50P
TO- 220 （ IXFP ）大纲
2 - 漏极
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 16A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
6.0
0.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.5
200
A
A
V
ns
A
nC
P
TO- 247 （ IXFH ）大纲
1
2
3
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXFA ）大纲
端子： 1 - 2号门 - 漏
3 - 来源
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFA16N50P
IXFP16N50P
IXFH16N50P
图。 7.跨导
28
T
J
= - 40C
24
20
60
50
70
图。 8.正向电压降
征二极管
g
F小号
- 西门子
16
125C
I
S
- 安培
25C
40
30
20
10
0
T
J
= 125C
T
J
= 25C
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
I
D
- 安培
V
SD
- 伏特
图。 9.栅极电荷
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 8A
I
G
= 10毫安
10,000
图。 10.电容
电容 - 皮法
1,000
西塞
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
100
科斯
10
CRSS
f
= 1兆赫
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
G
- nanocoulombs
V
DS
- 伏特
图。 11.正向偏置安全工作区
100
1.00
图。 12.最大瞬态热阻抗
R
DS （ ON）
极限
25s
10
100s
1ms
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
1
10
100
1000
DC
10ms
Z
（日） JC
- C / W
I
D
- 安培
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_16N50P （ 5J - 745 ） 09年5月1日-C
QQ：2881677436 复制
