IS42S16100
512K字×16位×2组（ 16兆位）
同步动态RAM
特点
时钟频率： 200 ， 166 ， 143 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
两个银行可以同时操作，
独立地
双内部银行通过控制A11
（银行选择）
单3.3V电源
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
2048刷新周期每32毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发站，
预充电命令
字节由LDQM和UDQM控制
包400万50针TSOP -II和60球
BGA
无铅封装选项
可在工业级温度
2008年2月
描述
ISSI
的16Mb的同步DRAM IS42S16100是
组织为524,288字×16位×2 ，银行
改进的性能。该同步DRAM
使用流水线实现高速数据传输
架构。所有输入和输出信号的参考
时钟输入的上升沿。
销刀豆网络gurations
50引脚TSOP （ II型）
VDD
DQ0
DQ1
GNDQ
DQ2
DQ3
VDDQ
DQ4
DQ5
GNDQ
DQ6
DQ7
VDDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
GND
DQ15
IDQ14
GNDQ
DQ13
DQ12
VDDQ
DQ11
DQ10
GNDQ
DQ9
DQ8
VDDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A11
A0-A10
A11
A0-A7
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
地址输入
行地址输入
银行选择地址
列地址输入
数据DQ
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
CAS
WE
LDQM
UDQM
VDD
GND
VDDQ
GNDQ
NC
列地址选通命令
写使能
低再见，输入/输出面膜
上再见，输入/输出面膜
动力
地
电源的DQ引脚
地面DQ引脚
无连接
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之前依靠任何公开信息，并把订单产品前最新的这个设备规范的版本。
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1
IS42S16100
引脚配置
封装代码： B 60球FBGA （顶视图） （10.1毫米× 6.4毫米身体， 0.65毫米球间距）
1 2 3 4 5 6 7
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
引脚说明
A0-A10
A0-A7
A11
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
LDQM ， UDQM
V
dd
VSS
V
DDQ
VSS
q
NC
写使能
X16输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
VSS DQ15
DQ14 VSSQ
DQ13 VDDQ
DQ12 DQ11
DQ10 VSSQ
DQ9 VDDQ
DQ8
NC
NC
NC
DQ0
VDD
VDDQ DQ1
VSSQ DQ2
DQ4
DQ3
VDDQ DQ5
VSSQ DQ6
NC
VDD
LDQM
RAS
NC
NC
A0
A2
A3
DQ7
NC
WE
CAS
CS
NC
A10
A1
VDD
NC UDQM
NC
CKE
A11
A8
A6
VSS
CLK
NC
A9
A7
A5
A4
2
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IS42S16100
引脚功能
PIN号
20至24
27 32
符号
A0-A10
TYPE
输入引脚
功能（详细）
A0到A10是地址输入。 A0 - A10是在主动作为行地址输入
在读或写命令输入命令输入和A0 -A7为列地址输入。
A10也用在其它的命令，以确定在预充电模式。如果是A10
预充电命令在低， A11所选择的银行进行预充电，但如果是A10
高，两家银行将预充电。
当A10是高读取或写入命令周期，预充电自动启动
后突发访问。
这些信号成为操作码的过程模式寄存器设置命令的输入部分。
A11
输入引脚
A11是所述存储体选择信号。当A11为低电平时，选择Bank 0和高的时候，
银行1被选中。模式寄存器设置时，该信号成为操作码的一部分
指令输入。
CAS ，
在与结合
RAS
和
WE ，
形成设备的命令。见
“命令真值表”项目有关的设备命令的详细信息。
所述CKE输入决定了装置内的CLK输入是否被使能。如果是
CKE高电平时，在CLK信号的下一个上升沿将是有效的，并且当低的，无效的。
当CKE为低电平时，器件会无论是在掉电模式下，时钟暂停
模式，或自刷新模式。所述CKE是一个异步输入。
CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备的
同步于该引脚的上升沿取得。
该
CS
输入决定了装置内的指令输入是否被使能。
指令输入时启用
CS
低，与残疾人
CS
为HIGH 。该装置
保持在以前的状态时
CS
为高。
DQ0到DQ15是DQ引脚。通过这些引脚DQ可以以字节为单位进行控制
使用LDQM和UDQM引脚。
LDQM和UDQM控制的DQ缓冲器的下限和上限字节。在读
模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM或UDQM为低电平时，
相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出去
to
高阻抗状态，当LDQM / UDQM高。此功能对应
OE
在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制输入缓冲器。当
LDQM UDQM或为低，相应的缓冲区字节使能，数据可以
写入器件。当LDQM或UDQM为高电平时，输入数据被屏蔽而不能
被写入到设备。
RAS ，
与联
CAS
和
WE ，
形成设备的命令。请参阅“命令
真值表“关于设备命令的详细信息资料。
WE ，
与联
RAS
和
CAS ，
形成设备的命令。请参阅“命令
真值表“关于设备命令的详细信息资料。
VDDQ是输出缓冲器的电源。
VDD是器件内部电源。
GNDQ是输出缓冲器地面。
GND
是设备内部的地面上。
19
16
34
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
35
18
CLK
CS
输入引脚
输入引脚
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11
12, 39, 40, 42, 43,
45, 46, 48, 49
14, 36
DQ0到
DQ15
LDQM ，
UDQM
DQ引脚
输入引脚
17
15
7, 13, 38, 44
1, 25
4, 10, 41, 47
26, 50
RAS
WE
VDDQ
VDD
GNDQ
GND
输入引脚
输入引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
电源引脚
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3
IS42S16100
功能框图
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A11
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
行解码器
模式
注册
11
11
ROW
地址
卜FF器
2048
记忆细胞
ARRAY
11
BANK 0
DQM
SENSE AMP I / O GATE
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
刷新
调节器
自
刷新
调节器
COLUMN
地址缓冲器
串计数器
COLUMN
地址锁存
DATA IN
卜FF器
16
16
256
列解码器
8
DQ 0-15
8
256
SENSE AMP I / O GATE
刷新
计数器
行解码器
16
数据输出
卜FF器
16
多路复用器
11
ROW
地址
LATCH
11
ROW
地址
卜FF器
2048
记忆细胞
ARRAY
VDD / VDDQ
GND / GNDQ
银行1
11
S16BLK.eps
4
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绝对最大额定值
(1)
符号
V
DD MAX
V
DDQ
V
iN
V
OUT
P
MAX
I
cs
T
OPR
T
英镑
最大
参数
最大电源电压
最大电源电压为输出缓冲
输入电压
输出电压
允许功耗
产量
短路电流
操作
温度
储存温度
COM
IND 。
等级
单位
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
-1.0到+4.6 V
1
50
0至+70
-40至+85
W
mA
°C
°C
-55 + 150℃
DC推荐工作条件
(2)
(
在T
a
= 0至+ 70 ° C）
符号
V
dd
, V
DDQ
V
ih
V
il
参数
电源电压
输入高电压
(3)
输入低电压
(4)
分钟。
3.0
2.0
-0.3
典型值。
3.3
—
—
马克斯。
3.6
V
dd
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
电容特性
(1,2)
（在T
a
= 0至+ 25 ° C， VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V ， F = 1兆赫）
符号
C
iN
1
C
iN
2
CI / O
参数
输入电容： A0 -A11
输入电容（ CLK ， CKE ，
CS ， RAS ， CAS，WE ，
LDQM ， UDQM ）
数据输入/输出电容： DQ0 - DQ15
典型值。
—
—
—
马克斯。
4
4
5
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2.所有电压参考GND 。
3. V
ih
（MAX） = V
DDQ
+ 2.0V的脉冲宽度
≤
3纳秒。
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