CMOS静态RAM
16K （ 2K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT6116SA
IDT6116LA
产品特点：
高速访问和片选时间
- 军事： 20/25 /35 / 55分之45 / 70 / 120分之90 /为150ns （最大值）
- 商业： 15/20 /25/ 35 /为45nS （最大）
低功耗
电池备份操作
- 2V的数据保持电压（LA版本）
拥有先进的CMOS高性能生产
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子
软错误率
输入和输出直接TTL兼容
静态操作：不需要时钟或刷新
有陶瓷和塑料的24引脚DIP ， 24引脚薄型
DIP和24引脚SOIC和24引脚SOJ
军用产品符合MIL -STD - 833 ， B类
描述：
该IDT6116SA / LA是16,384位高速静态RAM
组织为2K X 8.采用IDT制造的高性
曼斯，高可靠性的CMOS技术。
存取时间快15ns的都可用。该电路还
提供了降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，
该电路将自动进入，并保持在一个备用
功率模式时，只要
CS
仍然很高。此功能
提供显著的系统级功耗和散热成本。
低功耗（ LA ）的版本还提供了一个备用电池数据
保持能力，其中的电路一般只消耗
1μW至4μW经营过一个2V的电池。
所有的输入和IDT6116SA / LA的输出与TTL
兼容。全静态异步电路时，要求还
荷兰国际集团无时钟或刷新操作。
该IDT6116SA / LA封装采用24引脚600和300万
塑料或陶瓷DIP和24引脚的鸥翼SOIC和24
-lead J-弯SOJ提供高板级封装密度
关系。
军工级产品符合生产的
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
A
10
128 X 128
内存
ARRAY
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3089 DRW 01
IDT标志是集成设备技术aregistered商标。
军用和商用温度范围
1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年3月
3089/1
5.1
1
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位）
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0 MH
Z
)
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
WE
OE
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
P24-2
P24-1
D24-2
D24-1
SO24-2
＆放大器;
S024-4
A
10
CS
注意：
3089 TBL 03
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是
生产测试。
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
3089 DRW 02
DIP / SOIC / SOJ
顶视图
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM(2)
T
A
等级
广告
军事
单位
V
°C
°C
°C
W
mA
端电压
相对于GND -0.5 + 7.0 -0.5到+7.0
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
动力
耗散
直流输出电流
0至+ 70
-55到+125
引脚说明
A
0
–A
13
I / O
0
-I / O
7
CS
WE
OE
T
BIAS
地址输入
数据输入/输出
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
动力
地
3089 TBL 01
-55 + 125 -65到+135
-55 + 125 -65到+150
1.0
50
1.0
50
T
英镑
P
T
I
OUT
V
CC
GND
注意事项：
3089 TBL 04
1.强调超过绝对最大额定上市
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他条件只与功能操作
以上这些表明，在业务部门的这种规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
CC
+0.5V.
真值表
(1)
模式
待机
读
读
写
CS
OE
WE
I / O
高-Z
数据
OUT
高-Z
数据
IN
3089 TBL 02
H
L
L
L
X
L
H
X
X
H
H
L
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
5.1
2
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位）
军用和商用温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
3089 TBL 05
建议的直流
工作条件
符号
V
CC
G
ND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
供应地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
3.5
—
马克斯。
5.5
(2)
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
注意事项：
3089 TBL 06
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
2. V
IN
一定不能超过V
CC
+0.5V.
DC电气特性
V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
米尔。
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大。
CS
IDT6116SA
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
2.4
10
5
10
5
0.4
—
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
IDT6116LA
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
—
2.4
5
2
5
2
0.4
—
单位
A
A
V
V
3089 TBL 07
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
DC电气特性
(1)
V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
6116SA15
(2)
6116LA15
(2)
符号
I
CC1
参数
工作电源
目前，
CS
≤
V
IL
,
输出打开，
V
CC
=最大值， F = 0
工作动态
目前，
CS
≤
V
IL
,
V
CC
=最大，
输出开路，女= F
最大
(4)
备用电源
电流（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
, V
CC
=最大，
输出开路，女= F
最大
(4)
全部备用电源
电源电流
（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC
,
V
CC
=最大，V
IN
≥
V
HC
或V
IN
≤
V
LC
, f = 0
电源Com'l 。
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
105
95
150
140
40
35
2
0.1
米尔。
—
—
—
—
—
—
—
—
6116SA20
6116LA20
Com'l 。
105
95
130
120
40
35
2
0.1
米尔。
130
120
150
140
50
45
10
0.9
6116SA25
6116LA25
Com'l 。
80
75
120
110
40
35
2
0.1
米尔。
90
85
135
125
45
40
10
0.9
6116SA35
6116LA35
Com'l 。
80
75
100
95
25
25
2
0.1
米尔。
90
85
115
105
35
30
10
0.9
mA
mA
mA
单位
mA
I
CC2
I
SB
I
SB1
注意事项：
1.
所有数值都是最大保证值。
2 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
3， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
4. f
最大
= 1/t
RC
只有地址输入循环在f
最大，
F = 0表示地址的输入没有变化。
3089 TBL 08
5.1
3
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位）
军用和商用温度范围
DC电气特性
(1)
（续）
V
CC
= 5.0V
±
10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
6116SA45
6116LA45
6116SA55
(3)
6116LA55
(3)
Com'l 。
米尔。
6116SA70
(3)
6116LA70
(3)
Com'l 。
米尔。
6116SA90
(3)
6116LA90
(3)
Com'l 。
米尔。
6116SA120
(3)
6116LA120
(3)
Com'l 。
米尔。
6116SA150
(3)
6116LA150
(3)
Com'l 。
米尔。
符号
I
CC1
参数
工作电源
目前，
CS
≤
V
IL
,
输出打开，
V
CC
=最大值， F = 0
工作动态
目前，
CS
≤
V
IL
,
V
CC
=最大，
输出开路，女= F
最大
(4)
备用电源
电流（ TTL电平）
CS
≥
V
IH
, V
CC
=最大，
输出开路，女= F
最大
(4)
全部备用电源
电源电流
（ CMOS电平）
CS
≥
V
HC
,
V
CC
=最大，V
IN
≥
V
HC
或V
IN
≤
V
LC
, f = 0
动力
Com'l 。米尔。
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
80
75
100
90
25
20
2
0.1
90
85
100
95
25
20
10
0.9
单位
mA
—
—
—
—
—
—
—
—
90
85
100
90
25
20
10
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
90
85
100
90
25
20
10
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
90
85
100
85
25
25
10
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
90
85
100
85
25
15
10
0.9
—
—
—
—
—
—
—
—
90
85
90
85
25
15
10
0.9
I
CC2
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
3， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
4. f
最大
= 1/t
RC
只有解决inouts被触发，在f
最大
， F = 0表示地址的输入没有变化。
3089 TBL 09
数据保持特性在所有温度范围
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
– 0.2V
典型值。
(1)
V
CC
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
|I
LI
|
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
CS
马克斯。
V
CC
2.0V
—
200
20
—
—
2
3.0V
—
300
30
—
—
2
ns
ns
A
3089 TBL 10
测试条件
—
米尔。
≥
V
HC
Com'l 。
V
IN
≥
V
HC
or
≤
V
LC
分钟。
2.0
—
—
—
t
RC
(2)
—
2.0V
—
0.5
0.5
0
—
—
3.0V
—
1.5
1.5
—
—
—
单位
V
A
取消选择数据到数据
保留时间
手术恢复时间
输入漏电流
注意事项：
1. T
A
= + 25°C
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
5.1
4
CMOS静态RAM
16K （ 2K ×8位）
IDT6116SA
IDT6116LA
x
特点
高速存取和芯片选择次
- 军事： 20/25 /35 / 55分之45 / 70 / 120分之90 /为150ns （最大值）
- 工业： 20/25 /35 /为45nS （最大）
- 商业： 15/20 /25/ 35 /为45nS （最大）
低功耗
电池备份操作
- 2V的数据保持电压（LA版本）
以生产先进的CMOS高性能
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子的软错误
价格
输入和输出直接TTL兼容
静态操作：不需要时钟或刷新
可在陶瓷和塑料的24引脚DIP ， 24引脚薄型DIP，
24引脚SOIC和24引脚SOJ
军工产品符合MIL -STD - 833 ， B类
描述
该IDT6116SA / LA是16,384位高速静态RAM
组织为2K X 8.采用IDT的高性能制造，
高可靠性的CMOS技术。
存取时间快15ns的都可用。该电路还提供了一个
降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，电路将
自动去，并保持在一个备用电源模式下，只要
as
CS
仍然很高。此功能提供了显著的系统级
电源和冷却的节省。低功耗（ LA ）的版本还提供了一个
电池备份数据保持能力，其中所述电路通常
仅消耗1μW至4μW经营过一个2V的电池。
所有的输入和IDT6116SA / LA的输出为TTL兼容。十分
静态异步电路使用，无需时钟或刷新
用于操作。
该IDT6116SA / LA封装采用24引脚600和300密耳的塑料或
陶瓷DIP封装， 24引脚的鸥翼SOIC和24引脚J-弯曲SOJ提供
高板级封装密度。
军工级产品符合生产到最新
版本MIL -STD - 883 ， B类中，使得它非常适合军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平，
可靠性。
x
x
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
A
10
128 X 128
内存
ARRAY
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
,
CS
OE
WE
控制
电路
3089 DRW 01
2001年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3089/03
IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 2K （ 16K ×8位）
军事，商业，以及在dustrial温度范围
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
产业
广告
环境
温度
-55℃ + 125
-45
O
C至+ 85
O
C
0
O
C至+70
O
C
O
O
建议的直流
工作条件
符号
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
3.5
____
马克斯。
5.5
(2)
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
3089 TBL 06
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
3089 TBL 05
V
CC
GND
V
IH
V
IL
注意事项：
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
2. V
IN
一定不能超过V
CC
+0.5V.
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
IDT6116SA
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，
V
IN =
GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
米尔。
Com'l 。
米尔。
Com'l 。
分钟。
____
____
____
____
IDT6116LA
分钟。
____
____
____
____
马克斯。
10
5
10
5
0.4
____
马克斯。
5
2
5
2
0.4
____
单位
A
A
V
V
3089 TBL 07
____
____
2.4
2.4
DC电气特性
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
6116SA15
符号
I
CC1
参数
工作电源电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开
V
CC
=最大值，女
=
0
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开
V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流
（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开
V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
全部备用电源电流
（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
, V
CC
=最大，
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
, f = 0
动力
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
Com'l
只
105
95
150
140
40
35
2
0.1
6116SA20
6116LA20
Com'l
&工业
105
95
130
120
40
35
2
0.1
米尔
130
120
150
140
50
45
10
0.9
6116SA25
6116LA25
Com'l
&工业
80
75
120
110
40
35
2
0.1
米尔
90
85
135
125
45
40
10
0.9
6116SA35
6116LA35
Com'l 。
&工业。
80
75
100
95
25
25
2
0.1
米尔
90
85
115
105
35
30
10
0.9
3089 TBL 08
单位
mA
I
CC2
mA
I
SB
mA
I
SB1
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
只有地址输入循环在f
最大，
F = 0表示地址的输入没有变化。
6.42
3
QQ：2881677436 复制
