IXEN 60N120
IXEN 60N120D1
不扩散核武器条约
3
IGBT
在miniBLOC包
I
C25
= 100 A
= 1200 V
V
CES
V
CE （ sat）的典型值。
= 2.1 V
C
G
G
C
miniBLOC ， SOT- 227 B
E153432
G
E
E
E
IXEN 60N120
IXEN 60N120D1
C =收藏家
G =门
E =发射器*
E
C
*任辐射源终端可以用作主要或开尔文 - 发射
IGBT
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C90
I
CM
V
CEK
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= 900 V; V
GE
=
±
15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
±
20
100
65
100
V
CES
10
445
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT
3
IGBT
- 低饱和电压
- 正温度系数
简单的并联
- 快速切换
- 短尾巴电流优化
在谐振电路的性能
可选HiPerFRED
TM
二极管
- 快速反向恢复
- 低运行正向电压
- 低漏电流
miniBLOC包
- 分离出铜基板
- 螺钉接线端子
- 驱动器，方便开尔文射端
- 行业标准大纲
应用
单开关
菜刀互补免费
续流二极管
phaselegs ，H桥，三相
例如桥梁为
- 电源， UPS
- AC， DC和SR驱动器
- 感应加热
符号
条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.1
2.5
4.5
0.8
200
80
50
680
30
7.2
4.8
3.8
350
2.7
6.5
0.8
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.28 K / W
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
Q
坤
R
thJC
I
C
= 60 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
; V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 60 A
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
CE
= 600 V; V
GE
= 15 V ;我
C
= 50 A
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