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IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS 10位
总线交换开关
产品特点:
IDTQS3383
描述:
增强型N沟道场效应管,没有内在二极管到Vcc
5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟,零添加地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制输入
总线交换允许蚕食掉
可在QSOP和SOIC封装
应用范围:
该QS3383提供10个高速CMOS TTL兼容总线
开关。低开的QS3383电阻输入可以是
连接到输出端无需增加传播延迟和不gener-
阿婷额外的接地反弹噪声。该总线使能( BE )的信号转
在开关上。该总线交换( BX )信号提供了蚕食掉
对AB和CD对信号。这种交换配置允许字节
在系统中交换总线。它也可以用来作为5 -宽2至1
多路复用器和创建低延迟桶式移位器等。
在QS3383的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
热交换,热对接
电压转换( 5V至3.3V )
资源共享
Crossbar交换
功能框图
A0
C0
B0
D0
A4
C4
B4
D4
BX
BE
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
1999年11月
DSC-5571/1
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
引脚配置
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
V
TERM
(3)
V
AC
I
OUT
P
最大
T
英镑
描述
电源电压对地
DC开关电压V
S
直流输入电压V
IN
交流输入电压(脉冲宽度
≤20ns)
直流输出电流
最大功率耗散(T
A
= 85°C)
储存温度
最大
-0.5到+7
-0.5到+7
-0.5到+7
–3
120
0.5
-65到+150
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
BE
C0
A
0
B
0
D0
C1
A
1
B
1
D1
C2
A
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
SOIC / QSOP
顶视图
2
4
2
3
2
2
2
1
2
0
1
9
1
8
1
7
1
6
1
5
1
4
1
3
V
CC
D4
B
4
A
4
C4
D3
B
3
A
3
C3
D2
B
2
BX
注意事项:
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
CC
终端。
除了V 3.所有终端
CC
.
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1MHz时, V
IN
= 0V, V
OUT
= 0V)
引脚
控制输入
快速切换频道(开关OFF)
典型值。
3
5
马克斯。
(1)
5
7
单位
pF
pF
注意:
1.此参数是保证,但未经生产测试。
引脚说明
引脚名称
A
0
- A
4
, B
0
- B
4
C
0
- C
4
, D
0
- D
4
BE
BX
I / O
I / O
I / O
I
I
描述
甲乙巴士
C和D巴士
总线开关启用
总线交换器
功能表
(1)
BE
H
L
L
BX
X
L
H
A
0
- A
4
高阻
C
0
- C
4
D
0
- D
4
B
0
- B
4
高阻
D
0
- D
4
C
0
- C
4
功能
断开
CONNECT
交流
注意:
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =不关心
Z =高阻抗
2
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用,除非另有规定:
工业:T已
A
= ? 40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 5V ± 5%
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
OZ
R
ON
V
P
参数
输入高电压
输入低电压
输入漏电流(控制输入)
断态电流(高阻)
开关导通电阻
(2)
通电压
(3)
测试条件
为控制引脚保证逻辑高电平
为控制引脚保证逻辑低电平
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
,开关OFF
V
CC
=最小,V
IN
= 0V时,我
ON
= 30毫安
V
CC
=最小,V
IN
= 2.4V ,我
ON
= 15毫安
V
IN
= V
CC
= 5V ,我
OUT
= -5A
分钟。
2
3.7
典型值。
(1)
马克斯。
0.01
0.01
6
12
4
0.8
±1
±1
8
17
4.2
V
单位
V
V
A
A
注意事项:
1.典型值是在V
CC
= 5V和T
A
= 25°C.
2. R
ON
有保证,但未经生产测试。
3.通电压保证,但未经生产测试。
典型导通电阻与V
IN
在V
CC
= 5V
16
14
R
ON
(欧姆)
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
IN
(伏)
3
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每输入高功率电源电流
(2)
每MHz的动态电源电流
(3)
测试条件
(1)
V
CC
=最大,V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大,V
IN
= 3.4V , F = 0
V
CC
=最大值, A和B引脚开路,控制输入切换@ 50 %占空比
马克斯。
1.5
2.5
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
注意事项:
1.对于显示为最小值的条件。或最大,在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TTL驱动的输入端(V
IN
= 3.4V ,只控制输入) 。 A,B , C和D端子没有贡献
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不产生显著
交流或直流电流,因为他们过渡。此参数是保证,但未经生产测试。
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 5V ± 5%
C
负载
= 50pF的,R
负载
= 500Ω ,除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
t
BX
参数
数据传输延迟
(2)
AxBx到CxDx , CxDx到AxBx
开关导通延迟
BE
到AX, BX, CX,霉素
开关关断延迟
(2)
BE
到AX, BX, CX,霉素
多路切换延迟
BX到AX, BX, CX,霉素
1.5
6.5
ns
.
(1)
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
0.25
(3)
6.5
5.5
单位
ns
ns
ns
注意事项:
1.最低金额的保证,但未经生产测试。
2.此参数是保证,但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为0.25ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时,它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟,在一个系统中使用时,是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
4
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
订购信息
IDTQS XXXXX
设备类型
XX
X
过程
空白
工业级(-40° C至+ 85°C )
SO
Q
小外形集成电路
四分之一大小外形包装
3383
高速CMOS 10位总线交换开关
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉, CA 95054
销售:
800-345-7015或408-727-6116
传真: 408-492-8674
www.idt.com
对于技术支持:
logichelp@idt.com
(408) 654-6459
5
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
快速切换
制品
高速CMOS 10位
总线交换开关
产品特点:
IDTQS3383
描述:
增强型N沟道场效应管,没有内在二极管到Vcc
5Ω双向开关连接输入输出
零传播延迟,零添加地反弹
冲钳位二极管上的所有开关和控制输入
总线交换允许蚕食掉
可在QSOP和SOIC封装
应用范围:
该QS3383提供10个高速CMOS TTL兼容总线
开关。低开的QS3383电阻输入可以是
连接到输出端无需增加传播延迟和不gener-
阿婷额外的接地反弹噪声。该总线使能( BE )的信号转
在开关上。该总线交换( BX )信号提供了蚕食掉
对AB和CD对信号。这种交换配置允许字节
在系统中交换总线。它也可以用来作为5 -宽2至1
多路复用器和创建低延迟桶式移位器等。
在QS3383的特点是工作在-40 ° C至+ 85°C 。
热交换,热对接
电压转换( 5V至3.3V )
资源共享
Crossbar交换
功能框图
A0
C0
B0
D0
A4
C4
B4
D4
BX
BE
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
c
1999集成设备技术有限公司
1999年11月
DSC-5571/1
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
引脚配置
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
V
TERM
(3)
V
AC
I
OUT
P
最大
T
英镑
描述
电源电压对地
DC开关电压V
S
直流输入电压V
IN
交流输入电压(脉冲宽度
≤20ns)
直流输出电流
最大功率耗散(T
A
= 85°C)
储存温度
最大
-0.5到+7
-0.5到+7
-0.5到+7
–3
120
0.5
-65到+150
单位
V
V
V
V
mA
W
°C
BE
C0
A
0
B
0
D0
C1
A
1
B
1
D1
C2
A
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
SOIC / QSOP
顶视图
2
4
2
3
2
2
2
1
2
0
1
9
1
8
1
7
1
6
1
5
1
4
1
3
V
CC
D4
B
4
A
4
C4
D3
B
3
A
3
C3
D2
B
2
BX
注意事项:
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件,在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
CC
终端。
除了V 3.所有终端
CC
.
电容
(T
A
= + 25 ° C,F = 1MHz时, V
IN
= 0V, V
OUT
= 0V)
引脚
控制输入
快速切换频道(开关OFF)
典型值。
3
5
马克斯。
(1)
5
7
单位
pF
pF
注意:
1.此参数是保证,但未经生产测试。
引脚说明
引脚名称
A
0
- A
4
, B
0
- B
4
C
0
- C
4
, D
0
- D
4
BE
BX
I / O
I / O
I / O
I
I
描述
甲乙巴士
C和D巴士
总线开关启用
总线交换器
功能表
(1)
BE
H
L
L
BX
X
L
H
A
0
- A
4
高阻
C
0
- C
4
D
0
- D
4
B
0
- B
4
高阻
D
0
- D
4
C
0
- C
4
功能
断开
CONNECT
交流
注意:
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =不关心
Z =高阻抗
2
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用,除非另有规定:
工业:T已
A
= ? 40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 5V ± 5%
符号
V
IH
V
IL
I
IN
I
OZ
R
ON
V
P
参数
输入高电压
输入低电压
输入漏电流(控制输入)
断态电流(高阻)
开关导通电阻
(2)
通电压
(3)
测试条件
为控制引脚保证逻辑高电平
为控制引脚保证逻辑低电平
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
,开关OFF
V
CC
=最小,V
IN
= 0V时,我
ON
= 30毫安
V
CC
=最小,V
IN
= 2.4V ,我
ON
= 15毫安
V
IN
= V
CC
= 5V ,我
OUT
= -5A
分钟。
2
3.7
典型值。
(1)
马克斯。
0.01
0.01
6
12
4
0.8
±1
±1
8
17
4.2
V
单位
V
V
A
A
注意事项:
1.典型值是在V
CC
= 5V和T
A
= 25°C.
2. R
ON
有保证,但未经生产测试。
3.通电压保证,但未经生产测试。
典型导通电阻与V
IN
在V
CC
= 5V
16
14
R
ON
(欧姆)
12
10
8
6
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
IN
(伏)
3
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每输入高功率电源电流
(2)
每MHz的动态电源电流
(3)
测试条件
(1)
V
CC
=最大,V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大,V
IN
= 3.4V , F = 0
V
CC
=最大值, A和B引脚开路,控制输入切换@ 50 %占空比
马克斯。
1.5
2.5
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
注意事项:
1.对于显示为最小值的条件。或最大,在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TTL驱动的输入端(V
IN
= 3.4V ,只控制输入) 。 A,B , C和D端子没有贡献
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不产生显著
交流或直流电流,因为他们过渡。此参数是保证,但未经生产测试。
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 5V ± 5%
C
负载
= 50pF的,R
负载
= 500Ω ,除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
t
BX
参数
数据传输延迟
(2)
AxBx到CxDx , CxDx到AxBx
开关导通延迟
BE
到AX, BX, CX,霉素
开关关断延迟
(2)
BE
到AX, BX, CX,霉素
多路切换延迟
BX到AX, BX, CX,霉素
1.5
6.5
ns
.
(1)
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
0.25
(3)
6.5
5.5
单位
ns
ns
ns
注意事项:
1.最低金额的保证,但未经生产测试。
2.此参数是保证,但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为0.25ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时,它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟,在一个系统中使用时,是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
4
IDTQS3383
高速CMOS 10位总线交换开关
工业温度范围
订购信息
IDTQS XXXXX
设备类型
XX
X
过程
空白
工业级(-40° C至+ 85°C )
SO
Q
小外形集成电路
四分之一大小外形包装
3383
高速CMOS 10位总线交换开关
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉, CA 95054
销售:
800-345-7015或408-727-6116
传真: 408-492-8674
www.idt.com
对于技术支持:
logichelp@idt.com
(408) 654-6459
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IDTQS3383Q
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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地址:深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
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IDTQS3383Q
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2433532182 复制

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