IXBH 16N170A
IXBT 16N170A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
8
12.5
1400
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
90
31
65
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
22
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
25
160
50
1.2
15
28
2.0
220
150
2.6
250
100
2.5
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
(TO-247)
0.25
K / W
TO- 268AA （D
3
PAK ）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
反向二极管
符号
V
F
I
RM
t
rr
测试条件
I
F
t
I
F
v
R
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
5.0
10
360
V
A
ns
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
= I
C90
, V
GE
= 0 V ，脉冲测试，
< 300我们，占空比 < 2 ％
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 50 A /美
= 100V
注意事项：
1.设备必须heatsunk高
温度漏电流
测量，以避免热
暴走。
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %.
分钟。推荐足迹
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXBH 16N170A
IXBT 16N170A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
8
12.5
1400
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
90
31
65
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
22
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
25
160
50
1.2
15
28
2.0
220
150
2.6
250
100
2.5
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
(TO-247)
0.25
K / W
TO- 268AA （D
3
PAK ）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
反向二极管
符号
V
F
I
RM
t
rr
测试条件
I
F
t
I
F
v
R
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
5.0
10
360
V
A
ns
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
= I
C90
, V
GE
= 0 V ，脉冲测试，
< 300我们，占空比 < 2 ％
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 50 A /美
= 100V
注意事项：
1.设备必须heatsunk高
温度漏电流
测量，以避免热
暴走。
2.脉冲检验，t
300
女士，
占空比
2 %.
分钟。推荐足迹
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
QQ：2880707522 复制
