集成
电路
系统公司
ICS85401
2:1
D
。微分
-
TO
-LVDS M
ULTIPLEXER
F
EATURES
2 ： 1 LVDS MUX
1 LVDS输出
2差分时钟输入可以接受： LVPECL ， LVDS ， CML
最大输入/输出频率： >2.5GHz
翻译LVCMOS / LVTTL输入信号LVDS电平由
使用上nCLK0 ， nCLK1电阻偏置网络
传播延迟： 460ps （最大）
部分到部分偏斜： 100ps的（最大）
工作电压3.3V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS85401是一种高性能的2:1 Differ-
无穷区间至LVDS复用器的一个部件
HiPerClockS
HiPerClocks 系列高性能时钟
从IC解决方案。该ICS85401还可以进行有
微分形式的翻译，因为存在差
无穷区间输入接受LVPECL ， CML和LVDS电平。
该ICS85401封装在一个小型的3mm x 3mm
16 VFQFN封装，非常适用于空间限制使用
紧张板。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK0
nCLK0
CLK1
nCLK1
0
Q
nQ
1
P
IN
A
SSIGNMENT
GND
GND
CLK0 1
nCLK0 2
CLK1 3
nCLK1 4
16 15 14 13
12
11
10
9
5
nc
V
DD
nc
GND
Q
nQ
GND
6
CLK_SEL
7
nc
8
V
DD
REV 。一2005年2月22日
CLK_SEL
ICS85401
16引脚VFQFN
3× 3× 0.95包体
套餐
顶视图
85401AK
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1
集成
电路
系统公司
ICS85401
2:1
D
。微分
-
TO
-LVDS M
ULTIPLEXER
TYPE
输入
输入
输入
输入
下拉
上拉/
下拉
下拉
上拉/
下拉
描述
非INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。 V
DD
/ 2时默认悬空。
非INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。 V
DD
/ 2时默认悬空。
未使用的引脚。
时钟选择输入。当HIGH ，选择CLK1 ， nCLK1投入。
当低，选择CLK0 ， nCLK0投入。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
电源接地。
差分输出对。 LVDS接口的水平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5, 7, 16
6
8, 13
9, 12, 14, 15
1 0, 1 1
名字
CLK0
nCLK0
CLK1
nCLK1
nc
CLK_SEL
V
DD
GND
NQ ，Q
未使用
输入
动力
动力
产量
下拉
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
1
37
37
最大
单位
pF
k
k
T
ABLE
3. C
ONTROL
I
NPUT
F
油膏
T
ABLE
输入
CLK_SEL
0
1
CLOCK OUT
CLK
CLK0 ， nCLK0
CLK1 ， nCLK1
85401AK
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2
REV 。一2005年2月22日
集成
电路
系统公司
ICS85401
2:1
D
。微分
-
TO
-LVDS M
ULTIPLEXER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
10mA
15mA
51.5 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
典型
3.3
最大
3.465
40
单位
V
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CLK_SEL
CLK_SEL
CLK_SEL
CLK_SEL
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
0.8
150
单位
V
V
A
A
注：输出端接50
到V
DD
/ 2 。参见参数测量信息， "Output负载测试Circuit" 。
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
参数
CLK0 ， CLK1
I
IH
输入高电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
I
IL
V
PP
V
CMR
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
峰 - 峰值输入电压
共模输入电压;注： 1 ， 2
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-150
0.15
1.2
0.8
1.2
V
DD
150
A
A
A
V
V
测试条件
V
DD
= V
IN
= 3.465V
最低
典型
最大
150
单位
A
注1 ：共模输入电压定义为V
IH
.
注2 ：对于单端应用，最大输入电压为CLKX ， nCLKx为V
DD
+ 0.3V.
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D
。微分
-
TO
-LVDS M
ULTIPLEXER
测试条件
最低
200
1.05
典型
350
1.15
最大
500
50
1.25
50
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
4D 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
t
PD
输出频率
传播延迟;注1
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
输出上升/下降时间
输出占空比
MUX隔离
20 ％至80％
125
49
-55
160
260
360
测试条件
最低
典型
最大
>2.5
460
100
200
51
单位
GHz的
ps
ps
ps
%
dB
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
在测量的所有参数
≤
1GHz的，除非另有说明。
注1 ：从差动输入交叉点到差动输出交叉点测定。
注2 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作，并间
以同样的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在差分交叉点。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
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D
。微分
-
TO
-LVDS M
ULTIPLEXER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V ± 5%
V
DD
范围
Qx
nCLK0,
nCLK1
电源
+
浮GND
-
LVDS
nQx
V
nCLK0,
nCLK1
PP
交叉点
V
CMR
GND
3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
D
。微分
I
NPUT
L
伊维尔基尼
nQx
第1部分
Q0x
NQY
第2部分
Qy
nQ
Q
脉冲宽度
t
期
t
SK （PP）的
ODC =
t
PW
t
期
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
nCLK0,
nCLK1
CLK0,
CLK1
nQ
Q
t
PD
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
80%
时钟
输出
80%
20%
t
R
t
F
20%
P
ROPAGATION
D
ELAY
V
DD
OUT
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
V
DD
OUT
DC输入
LVDS
OUT
DC输入
LVDS
100
V
OD
/ V
OD
OUT
V
OS
/ V
OS
O
FFSET
V
oltage
S
ETUP
85401AK
D
。微分
O
安输出
V
oltage
S
ETUP
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