技术参数
IW4503B
六角缓冲器
高压硅栅CMOS
该IW4503B是具有三态输出十六进制非反相缓冲器
高sink-和源电流能力。两个输出使能控制
被提供,其中一个控制四个缓冲器和其他控制
剩下的两个缓冲区。
工作电压范围: 3.0 18 V
1最大输入电流
μA
在18 V以上全包温
范围; 100 nA的18 V 25℃
噪声容限(在整个封装温度范围) :
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4503BN塑料
IW4503BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
启用1 ,启用2
L
L
H
Z =高阻抗
X =无关
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
A
L
H
X
产量
Y
L
H
Z
启示录00
IW4503B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路,以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而,必须采取预防措施,以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ (Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V
CC
) 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00