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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第745页 > IMX8
IMX8
晶体管
通用(双晶体管)
IMX8
特点
1 )两个2SC3906K芯片在SMT封装。
2)高的击穿电压。
外形尺寸
(单位:毫米)
包装,标志和包装规格
产品型号
记号
CODE
基本订购单位(件)
IMX8
SMT6
X8
T108
3000
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
(4)
1.6
2.8
0.15
(3)
0.3Min.
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
等效电路
(4) (5) (6)
Tr
2
Tr
1
(3)
(2)
(1)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
120
120
5
50
300(TOTAL)
150
55
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
每个元素为200mW不得超过。
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
跃迁频率
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE ( SAT )
分钟。
120
120
5
180
典型值。
140
马克斯。
0.5
0.5
820
0.5
单位
V
V
V
A
A
兆赫
V
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=100V
V
EB
=4V
V
CE
=6V,
I
C
=2mA
V
CE
=12V,
I
E
= -2mA ,
f=100MHz
I
C
/I
B
=10mA/1mA
条件
该设备的跃迁频率
Rev.A的
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(6)
0.3
(5)
(2)
(1)
1/2
IMX8
晶体管
电气特性
10
集电极电流:我
C
(MA )
25.0
22.5
集电极电流:我
C
(MA )
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2 0.4
Ta
=
25°C
V
CE
=
6V
直流电流增益:H
FE
Ta
=
25°C
500
5V
3V
8
20.0
17.5
6
15.0
12.5
200
V
CE
=
1V
4
10.0
7.5
100
2
5.0
2.5
50
0
I
B
=0A
4
8
12
Ta=25°C
16
20
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
图1地面发射极输出特性
图2地面发射的传播特性
图3直流电流增益与集电极电流
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
Ta
=
25°C
0.5
I
C
/I
B
=
10
跃迁频率:F
T
(兆赫)
0.5
V
CE
=
6V
Ta
=
25°C
500
0.2
0.1
0.2
Ta
=
100°C
0.1
200
100
I
C
/I
B
=
50
25°C
40°C
0.05
20
10
0.05
50
0.5
1
2
5
10 20
50
0.02
1
2
5
10
20
50
0.02
1
2
5
10
20
50
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
E
(MA )
图4集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流( )
图5集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流( )
图6增益带宽积与发射极电流
集电极输出电容:C
ob
(PF )
20
10
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
发射极输入电容:C
ib
(PF )
20
10
Ta=25°C
f=1MHz
I
C
=0A
5
5
2
1
2
1
0.5
1
2
5
10
20
0.5
1
2
5
10
20
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
图8发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
SPICE模型: IMX8
无铅绿色
IMX8
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
互补PNP类型可用( IMT4 )
小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备,注4和5
C
2
E
2
C
1
B
2
A
B
1
E
1
SOT-26
暗淡
A
B C
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
B
C
D
F
H
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 26
外壳材料:模压塑料, "Green"成型
复合,注意5.防火
分类科幻阳离子94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火
铜引线框架) 。
标记(见第2页) : KX8
订购&日期代码信息:参见第2页
重量: 0.016克(近似值)
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
K
H
J
K
L
M
a
0.013 0.10
J
D
F
L
B
2
B
1
E
1
尺寸:mm
C
2
E
2
C
1
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
特征
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
120
120
5.0
50
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
注意事项:
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
120
120
5.0
180
典型值
最大
0.5
0.5
820
0.5
单位
V
V
V
mA
mA
V
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 100V
V
EB
= 4.0V
I
C
= 2.0毫安,V
CE
= 6.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
V
CE
= 12V,我
C
= 2.0毫安,
F = 100MHz的
f
T
140
兆赫
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0609 (第9周, 2006年)和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。产品
之前的日期代码0609生产的是建立与非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30304启示录7 - 2
1 4
www.diodes.com
IMX8
Diodes公司
订购信息
(注5 & 6 )
设备
IMX8-7-F
注意事项:
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
与日期代码0609 (第9周, 2006年)和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。产品
之前的日期代码0609生产的是建立与非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KX8
KX8 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: T = 2006年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
2002
N
MONTH
CODE
2003
P
JAN
1
2004
R
FEB
2
2005
S
MAR
3
2006
T
APR
4
2007
U
五月
5
JUN
6
2008
V
JUL
7
2009
W
八月
8
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
YM
600
注1
350
P
D
,功耗(毫瓦)
T
a
= 75°C
500
300
h
FE
,直流电流增益
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
400
T
a
= 25°C
300
T
a
= -25°C
200
100
0
1.0
10.0
100
I
C,
集电极电流(毫安)
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流
DS30304启示录7 - 2
2 4
www.diodes.com
IMX8
100
T
a
= 25°C
I
C
,集电极电流(毫安)
10.0
T
a
= 75°C
1.0
T
a
= -25°C
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
图。 3典型的集电极电流与
基射极电压
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极饱和
电压(V)的
1.0
f
T
,增益带宽积(兆赫)
1000
V
CE
= 5伏
T
a
= 150°C
100
0.100
T
a
= 25°C
10
T
a
= -50°C
0.010
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4典型的集电极 - 发射极电压
与集电极电流
6
1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5典型增益带宽积
与集电极电流
100
I
C
,集电极电流(毫安)
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 6典型的集电极电流与
集电极 - 发射极电压
DS30304启示录7 - 2
3 4
www.diodes.com
IMX8
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险,并会
同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30304启示录7 - 2
4 4
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IMX8
FMW3 / FMW4 / IMX8
晶体管
通用(双晶体管)
FMW3 / FMW4 / IMX8
!
特点
1 )两个2SC3906K芯片在SMT封装。
2)高的击穿电压。
!
外形尺寸
(单位:毫米)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.8
0to0.1
(1)
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
120
120
5
50
300(TOTAL)
150
55
~
+150
V
V
V
mA
mW
°C
1.6
2.8
0.15
单位
参数
符号
范围
(5)
(4)
FMW3
FMW4
0.3
(2)
(3)
0.3to0.6
0to0.1
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
每个元素为200mW不得超过。
°C
!
包装,标志和包装规格
产品型号
记号
CODE
基本订购单位(件)
FMW3
SMT5
W3
T148
3000
FMW4
SMT5
W4
T148
3000
IMX8
SMT6
X4
T108
3000
(4)
1.6
2.8
0.15
1.1
0.3to0.6
!
电路图
FMW3
FMW4
IMX8
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
跃迁频率
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
V
CE ( SAT )
分钟。
120
120
5
180
典型值。
140
马克斯。
0.5
0.5
820
0.5
单位
V
V
V
A
A
兆赫
V
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=100V
V
EB
=4V
V
CE
=6V,
I
C
=2mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
I
C
/I
B
=10mA/1mA
条件
该设备的跃迁频率
(3)
0.95 0.95
1.9
2.9
0.3
(5)
(2)
(1)
IMX8
(6)
0.8
1.1
IMX8
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
外延平面片建设
互补PNP类型可用
(IMT4)
小型表面贴装封装
SOT-26
A
B
2
B
1
E
1
新产品
暗淡
A
B
B C
C
1
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 26 ,模压塑料
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
终端连接:见图
标记: KX8
重量: 0.016克(约)
C
2
KX8
E
2
C
D
F
H
M
H
K
J
K
L
M
0.013 0.10
J
D
F
L
尺寸:mm
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
IMX8
120
120
5.0
50
225
555
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
特征
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
120
120
5.0
180
典型值
最大
0.5
0.5
820
0.5
单位
V
V
V
mA
mA
V
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 100V
V
EB
= 4.0V
I
C
= 2.0毫安,V
CE
= 6.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
V
CE
= 12V,我
E
= -2.0mA ,
F = 100MHz的
f
T
140
兆赫
订购信息
(注3)
设备
IMX8-7
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
注:1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。每个元素为200mW不得超过。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
DS30304修订版A- 2
1 2
IMX8
新产品
标识信息
KX8
KX8 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
O
十月
O
NOV
N
2004
P
DEC
D
DS30304修订版A- 2
YM
2 2
IMX8
IMX8
双NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用( IMT4 )
小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备,注4和5
A
B
2
B
1
E
1
SOT-26
暗淡
A
B C
0.35
1.50
2.70
2.90
0.013
1.00
0.35
0.10
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
0.10
1.30
0.55
0.20
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
B
C
D
F
H
M
机械数据
案例: SOT- 26
外壳材料:模压塑料, "Green"成型
复合,注意5. UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火
铜引线框架) 。
标识信息: KX8 ,见第3页
订购&日期代码信息:见第3页
重量: 0.016克(近似值)
K
C
2
E
2
C
1
H
J
K
L
M
α
J
D
B
2
B
1
E
1
F
L
尺寸:mm
C
2
E
2
C
1
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
120
120
5.0
50
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性(注2 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征(注2 )
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
小信号特性
电流增益带宽积
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
120
120
5.0
180
典型值
140
最大
0.5
0.5
820
0.5
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
I
C
= 50μA
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 50μA
V
CB
= 100V
V
EB
= 4.0V
I
C
= 2.0毫安,V
CE
= 6.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
V
CE
= 12V,我
C
= 2.0毫安,
F = 100MHz的
测试条件
1.装置安装在FR- 5的PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊垫布局图所示,二极管公司建议的焊垫布局AP02001 ,这可以在我们找到
网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。每个元素为200mW不得超过。
2.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
与日期代码0627 ( 2006年27周, )和较新的制造5.产品都建有绿色塑封料。前日期产品制造
代码0627顷建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30304牧师8 - 2
1第3
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IMX8
Diodes公司
600
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗对比
环境温度
T
A
= 25
°
C
T
A
= 75
°
C
500
h
FE
,直流电流增益
400
T
A
= 25
°
C
300
T
A
= -25
°
C
200
100
200
0
1.0
100
10.0
I
C,
集电极电流(毫安)
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流
100
I
C
,集电极电流(毫安)
1.0
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
10.0
T
A
= 75
°
C
T
A
= 150
°
C
0.100
T
A
= 25
°
C
1.0
T
A
= -25
°
C
T
A
= -50
°
C
0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
BE(上)
,基极发射极电压(V)的
图。 3典型的集电极电流与
基射极电压
0.9
0.010
1
10
100
1,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4典型的集电极 - 发射极电压
与集电极电流
1,000
V
CE
= 5伏
6
I
B
= 16A
f
T
,增益带宽积(兆赫)
I
C
,集电极电流(毫安)
5
I
B
= 14A
100
4
I
B
= 12A
I
B
= 10A
3
I
B
= 8A
10
2
I
B
= 6A
I
B
= 4A
1
1
1
0
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5典型增益带宽积
与集电极电流
100
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 6典型的集电极电流与
集电极 - 发射极电压
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2 3
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Diodes公司
订购信息
(注5 & 6 )
设备
IMX8-7-F
注意事项:
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KX8 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: T = 2006年
M =月前: 9 =九月
KX8
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
2006
T
五月
5
JUN
6
YM
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30304牧师8 - 2
3 3
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    联系人:杨小姐
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联系人:朱经理、张小姐
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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ROHM/罗姆
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20002
SOT163
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地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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ROHM/罗姆
2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:张女士
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21+22+
27000
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原装正品
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