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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第246页 > ISL89367FRTAZ
高速,双通道,6A MOSFET驱动器
可编程的上升沿和下降沿延迟定时器
ISL89367
该ISL89367是一个高速,6A, 2信道MOSFET驱动器
同步整流应用进行了优化。内部定时器
可以用电阻器进行编程,以延迟的上升沿和/或
的输出的下降沿。逻辑与双输入也
提供的。一个输入是用于对PWM信号和所述第二可
用作启动。第三个控制输入端,用于选择性地
反转的驱动器输出的逻辑极性。
比较喜欢逻辑输入允许配置此驱动程序
从任何3.3V的逻辑电平为10 VDC 。精密的逻辑
由比较器提供的阈值,允许使用外部
RC电路来产生更长的时间延迟比是可能的
内部定时器。比较还让司机可以
配置有一个低的输出电压为负相
逻辑地如果需要的话。这个应用程序是非常有用的
需要一个负的关断栅极驱动电压,用于驱动场效应管与
逻辑阈值。
在高开关频率,这些MOSFET驱动器,使用起来非常
小偏置电流。单独的,非重叠的驱动电路是
用于驱动每个CMOS输出FET ,以防止拍摄得来速
电流的输出级。
欠压锁定( UV)保证了驱动器输出
保持导通,直到V时关闭(低)
DD
是足够高
正确的逻辑控制。这样可以防止意外的行为时,
VDD的偏压被施加或移除。
特点
2个输出, 6A的峰值驱动电流(漏极和源极)与
输出电压范围为4.5V至16V的。
典型导通电阻 1Ω 。
指定的米勒平台的驱动电流。
EPAD提供了非常低的热阻抗( θ
JC
= 3 ℃/ W) 。
双逻辑输入带有滞后于高抗噪性。
上升沿和/或下降沿输出边缘延迟编程
电阻器。
20ns的上升和下降时间驱动10nF的负载。
低工作电流偏置
应用
同步整流( SR )驱动程序
开关电源
电机驱动器, D类放大器, UPS ,逆变器
脉冲变压器驱动器
时钟/线路驱动器
350
上升沿或下降沿延迟(ns )
300
250
200
150
+ 25 ° C(典型值)
100
50
0
-40°C (最坏情况)
0
5
10
RDT ( 2K至20K )
15
20
+ 125°C (最坏情况)
3.3V
VREF +
INVA
FDELA
RDELA
12V
/ OUTA
OUTB
PWM
INVB
VREF-
GND
RDELB
FDELB
启用
图1.典型应用
图2.可编程的时间延迟
2011年1月31日
FN7727.0
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil公司美洲2011.保留所有权利
Intersil公司(设计)是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL89367
框图
VREF +
为了清楚起见,仅一个
通道显示
分离的栅极驱动
避免射击直通电流
在输出的CMOS场效应管。
VDD
RDELx
IN1x
上升沿
延迟
延迟
定时器
正的阈值是
的( - ( VREF-) ( VREF + ) )的63% 。
负的阈值是
37%的( ( VREF + ) - ( VREF- ))。
的OUTx
延迟
定时器
下降沿
延迟
IN2x
10K
INVx
FDELx
VREF-
EPAD
对于适当的散热和
电性能,该
EPAD必须连接到
在PCB的信号接地平面。
VSS
2
FN7727.0
2011年1月31日
ISL89367
销刀豆网络gurations
ISL89367
( 16 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
VREF +
INVA
IN1A
IN2A
IN1B
IN2B
INVB
VREF-
1
2
3
4
5
6
7
8
EPAD
16
15
14
13
12
11
10
9
FDELA
RDELA
VDD
OUTA
OUTB
VSS
RDELB
FDELB
引脚说明
1, 8
符号
VREF +
VREF-
描述
VREF +和VREF-是参考电压为
在IN1A , IN1B , IN2A和IN2B逻辑输入。
VREF +通常连接到正偏压
电压输入逻辑的。 VREF-一般
连接到输入的参考地
逻辑。
这些引脚连接到VDD反转
相应的输出。连接到VSS不
反转对应的输出。
相与逻辑输入。一个输入到各信道
可以用作一个使能。逻辑高门槛
[ - ( VREF-) ( VREF + ) ]的63%。逻辑低门槛
37 % [ ( VREF + ) - ( VREF- )的。
之间的连接,这些引脚和VSS到电阻
编程的下降沿的持续时间
对应的输出的传播延迟
相对于逻辑输入。
之间的连接,这些引脚和VSS到电阻
编程的上升沿的时间
对应的输出的传播延迟
相对于逻辑输入。
2, 7
INVA或
INVB
IN1A,
IN2A,
IN1B,
IN2B
FDELB ,
FDELA
3, 4,
5, 6
9, 16
真值表
INVx
0
0
INVx
的OUTx
IN1x
IN2x
0
0
1
1
1
1
IN1x
0
0
1
1
0
0
1
1
IN2x
0
1
0
1
0
1
0
1
的OUTx
0
0
0
1
1
1
1
0
10, 15
RDELB ,
RDELA
11, 14
12, 13
VSS , VDD输出偏置电压。 ( VDD到VSS )的范围是4.5V至
16V 。 VSS的可能是负的相对于VREF- 。
OUTB ,
OUTA
EPAD
6A的峰值输出。输出电压摆幅
与VDD和VSS 。
必须连接到逻辑接地( VREF- ) 。
订购信息
产品型号
(注1 ,2,3 )
ISL89367FRTAZ
注意事项:
1.添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息页
ISL89367.For
MSL上的更多信息,请参见技术简介
TB363.
最热
367A
温度范围
(°C)
-40到+125
输入CON组fi guration
非反相
(无铅)
16 Ld的3x5的TDFN
PKG 。
DWG 。 #
L16.5x3
3
FN7727.0
2011年1月31日
ISL89367
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18V
V
REF +
相对于V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
V
REF-
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.0V至V
SS
- 0.3V
INVx (注4)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
INnx (注5)相对于V
REF-
. . . . . . . . . (V
REF-
) - 0.3V至(V
REF +
) + 0.3V
V
REF +
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18V
V
REF +
相对于V
REF-
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18V
平均输出电流(注8 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
ESD额定值
人体模型2级(每JESD22 - A114E测试) 。 。 。 。 。 。 。 。 2000V
机器型号B类(每JESD22 - A115 -A测试) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
带电器件模型IV类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1000V
闭锁
(每JESD - 78B测试;第2类, A级)
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.500毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
16 Ld的TDFN封装(注6,7) 。 。 。 。 。 。 。
36
3
最大功率消耗在+ 25°C在自由空气中。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.8W
最大功率消耗在+ 25°C与铜面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33.3W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作结点温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见下面的链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
最大推荐工作
条件
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
电源电压,V
DD
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至16V
V
REF-
相对于V
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.0V至V
SS
INVx (注4)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
或V
DD
INnx (注5)相对于V
REF-
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
REF-
到V
REF +
V
REF +
相对于V
SS
, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V至10V
V
REF +
相对于V
REF-
, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V至10V
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露在这样的条件下可能会产生不利影响的产品
在出现故障的可靠性和结果的不在保修范围内。
注意事项:
4.替代INVA或INVB的INVx 。
5.替代IN1A , IN2A , IN1B ,或IN2B的INnx
6.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379了解详细信息。
7.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
8.平均输出电流,驱动功率MOSFET或类似的容性负载时,是整流输出电流的平均值(下沉和
采购) 。该驱动器的峰值输出电流自限性跨导或r
DS ( ON)
并且不要求任何外部元件
最小的峰值。如果输出驱动一个非容性负载,诸如LED ,最大输出电流必须由外部装置来限定
比指定的绝对平均输出电流较少。
DC电气规格
除非另有规定ED 。
黑体字限额适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
T
J
= +25°C
参数
符号
测试条件
(注9 )
典型值
最大
(注9 )
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA空载或OUTB , RDELA = RDELB = FDELA = FDELB = 0kΩ
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
(注9 )
最大
(注9 )
单位
电源
电压范围(Ⅴ
DD
相对于
V
SS)
V
DD
静态电流
V
DD
I
DD
INx的= GND
INA INB = = 1MHz时,方波
-
-
-
-
5
25
-
-
4.5
-
-
16
-
-
V
mA
mA
V
REF +
和V
REF-
BIAS
V
REF +
相对于V
SS
V
REF-
相对于V
SS
V
REF +
相对于V
REF-
V
REF +
静态电流
V
P -S
V
N-S
V
P -N
I
PP
V
P -N
= 12V
3
0
3
-
-
-
-
200
10
4
10
-
3
0
3
100
10
4
10
300
V
V
V
A
欠压
VDD欠压锁定
(注11 )
迟滞
V
UV
INnx = TRUE (注12 )
-
-
3.3
~25
-
-
-
-
-
-
V
mV
4
FN7727.0
2011年1月31日
ISL89367
DC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA空载或OUTB , RDELA = RDELB = FDELA = FDELB = 0kΩ
除非另有规定ED 。
黑体字限额适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
(续)
T
J
= +25°C
参数
符号
测试条件
(注9 )
典型值
最大
(注9 )
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
(注9 )
最大
(注9 )
单位
输入
输入范围
IN1A , IN2A , IN1B , IN2B
输入范围为INVA , INVB
逻辑0阈值IN1A ,
IN2A , IN1B , IN2B
逻辑1阈值IN1A ,
IN2A , IN1B , IN2B
逻辑0阈值INVA ,
INVB
逻辑1阈值INVA ,
INVB
输入电容IN1A的,
IN2A , IN1B , 1N2B , INVA , INVB
输入偏置电流为
IN1A , IN2A , IN1B , IN2B
输入偏置电流为
INVA , INVB
V
IN
V
INV
V
IL
V
IH
V
ILV
V
IHV
C
IN
I
IN
I
INV
V
REF-
& LT ; V
IN
& LT ; V
REF +
V
SS
& LT ; V
INV
& LT ; V
DD
V
IN
是参考V
REF-
V
INV
是参考V
SS
名义上是37 % ×( (V
REF +
) - (V
REF-
))
名义上是63 % ×( (V
REF +
) - (V
REF-
))
V
ILV
是参考V
SS
V
IHV
是参考V
SS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
37
63
0.9
1.5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VREF-
V
SS
34
60
1
1.5
-
-10
-40
VREF +
V
DD
40
66
1.2
1.7
-
+10
+40
V
V
%
%
V
V
pF
A
A
输出
高电平输出电压
低电平输出电压
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
注意事项:
9.要符合数据表的限制是有保证的一种或多种方法:生产测试,表征和/或设计。
10.这个参数是从仿真模型的输入场效应晶体管。在这个输入的实际电容会由PCB寄生所支配
电容。
11.为200ps延迟进一步抑制输出状态释放时,紫外线正向阈值时。
的特定部分编号12的真状态是通过对输入的逻辑符号来定义。
V
OHA
V
OHB
V
OLA
V
OLB
I
O
I
O
V
O
(初始) = 0V ,C
负载
= 10nF的
V
O
(初始) = 12V ,C
负载
= 10nF的
-
-
-
-
-
-
-6
+6
-
-
-
-
V
DD
- 0.1
GND
-
-
V
DD
GND + 0.1
-
-
V
V
A
A
AC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA空载或OUTB , RDELA = RDELB = FDELA = FDELB = 0kΩ
除非另有规定ED 。
黑体字限额适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
T
J
= +25°C
参数
输出上升时间(参见图4)
输出下降时间(见图4)
输出的上升沿传输延迟(见图3)
符号
t
R
t
F
t
RDLYA ,
t
RDLYB
测试条件
/ NOTES
C
负载
= 10nF的,
10 %至90%
C
负载
= 10nF的,
90 %至10%
(注9 )
-
-
-
典型值
20
20
25
最大
(注9 )
-
-
-
T
J
= -40°C
至+ 125°C
(注9 )
-
-
-
最大
(注9 )
40
40
50
单位
ns
ns
ns
5
FN7727.0
2011年1月31日
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