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多相PWM稳压器用于VR12 DDR内存

系统

ISL6353

该ISL6353是三相PWM降压稳压器控制器

VR12 DDR内存的应用程序。多阶段实施

从而获得更好的系统性能，优异的热

管理，降低元件成本和更小的PCB面积。

该ISL6353具有两个集成功率MOSFET的驱动程序

实现成本效益和节省空间的电源

管理解决方案。

该ISL6353的PWM调制器是基于Intersil的鲁棒性

纹波稳压器（R

）技术。与传统的相比

多相降压稳压器的R

调制器命令变量

PWM开关负载瞬变期间的频率，实现更快

瞬态响应。

也自然进入脉冲频率

在轻负载条件下实现更高的光调制操作

加载EF网络效率。

该ISL6353的设计是完全符合VR12

规格。该ISL6353具有一个串行VID （ SVID ）总线

与CPU通讯。该输出可以被编程为

1,2或3相交错操作。的输出电压和

功率状态，也可独立控制的串行VID的

总线。

该ISL6353具有其他一些重要功能。它支持DCR

电流检测用的单一的NTC热敏电阻的DCR

温度补偿或精确的电阻电流检测。

它还具有远程电压检测，可调开关频率，

电流监控器， OC / OV保护和电源良好。温度

监测和热警报也可提供。

特点

VR12串行通信总线

精确的电压调节

- 与VID快/慢摆率5mV的步骤

支持两个电流检测方法

- 无损耗电感器DCR电流检测

- 精密电阻电流检测

可编程的1 ， 2或3相操作

自适应体二极管导通时间减少

卓越的抗噪和瞬态响应

引脚可编程输出电压和功率状态模式

输出电流监视器和温度监控器

差分远端电压传感

在整个负载范围的高效率

可编程开关频率

电阻可编程VBOOT ，电源状态运行， SVID

地址设置，我

最大

出色的动态电流平衡阶段之间

OCP / WOC ， OVP ， OT警报， PGOOD

体积小40 Ld的5x5的TQFN封装

无铅（符合RoHS ）

应用

DDR内存

COMP

200mV/DIV

效率（％）

1.35VPS0

1.35VPS2 1PH DE

26A步LOAD

1V/DIV

20s/DIV

LOAD （ A）

1.35V PS1两相CCM

1.5V PS2 1PH DE

1.5V PS1两相CCM

1.5V PS0

VDDQ = 1.5V

50mV/DIV

PHASE1/2/3

5V/DIV

图1.快速瞬态响应

图2. ISL6353EVAL1Z效率vs负载

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2011年9月15日

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（设计）是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6353

简化的应用电路使用电感器DCR电流检测

+5V

双

VIN

+5V

双

VR_ON

VDDP

VDD

VIN

VIN （ 5VSB / 12V DUAL ）

ADDR

PROG2

PROG1

RNTC

NTC

°C

{

SDA

ALERT ＃

SCLK

BOOT1

UG1

PH1

LG1

GND

+12V

PH1

VO1

COMP

BOOT2

UG2

PH2

ISL6353

LG2

GND

+5V

+12V

VCTRL

VCC

ISL6596

BOOT

UGATE

相

GND

LGATE

PH3

VO3

PH2

VO2

VDDQ

VCCSENSE

VSSSENSE

PH1

PH2

PH3

VSEN

RTN

FB2

ISEN1

ISEN2

ISEN3

司机

PWM3

VSET1

PWM

VO1

VO2

VO3

°C

vsumn

ISUMN

VSET2

PSI

GND焊盘

PGOOD

ISUMP

IMON

PH1

PH2

PH3

VR_HOT ＃

OVP

2011年9月15日

FN6897.0

ISL6353

框图

VR_ON

PSI

VREADY

PROG

SDA

ALERT ＃

SCLK

VSET1

VSET2

ADDR

IMAX

VBOOT

TMAX

垂

＃阶段来PS1的

SET （A / D）

D / A

数字

接口

DAC

IBAL

相电流

平衡

A / D

T_MONITOR

IMON

ISEN1

ISEN2

ISEN3

PROG

VIN

BOOT2

上电复位

（POR）

VDD

PROG1

PROG2

NTC

TEMP MONITOR

VR_HOT ＃

T_MONITOR

司机

UG2

PH2

DAC

RTN

FB2

GND

E / A

调制器

司机

LG2

PWM3

COMP

司机

BOOT1

UG1

垂

PH1

VDDP

当前

SENSE

ISUMP

业主立案法团及WOC

保护

司机

LG1

ISUMN

GND

IMON

OV保护

PGOOD

VSEN

OVP

2011年9月15日

FN6897.0

ISL6353

引脚配置

VSET1

ISL6353

（ 40 LD TQFN ）

顶视图

PROG2

BOOT2

VSET2

ADDR

GND

30 LG2

29 VDDP

28 PWM3

27 LG1

GND

（ BOTTOM PAD）

26 GND

25 PH1

24 UG1

23 BOOT1

22 PROG1

21 VIN

FB2

ISEN3

ISEN2

ISEN1

VSEN

RTN

ISUMN

ISUMP

VDD

OVP

UG2

PH2

SDA

ALERT ＃

SCLK

VR_ON

PGOOD

IMON

VR_HOT ＃

NTC

PSI

COMP 10

引脚说明

引脚数

1, 2, 3

符号

描述

SDA， ALERT ＃，连接在所述CPU和所述电压调节器之间SCLK串行通信总线的信号。

VR_ON

PGOOD

IMON

稳压器的使能输入。该引脚上的高电平逻辑信号使VR 。

开漏输出指示调节器准备提供稳定的电压。使用适当的外部上拉

电阻器。

输出电流监视器引脚。 IMON源成比例的电流调节器的输出电流。电阻

从这个引脚到地将设置一个电压正比于负载电流连接。这个电压被采样

具有内部ADC来产生可通过串行通信总线进行读出的数字IMON信号。

热过载输出指示灯。

热敏电阻器输入到VR_HOT ＃电路。

窗口电压设定销用于设置开关频率。从这个引脚上的电阻COMP方案

开关频率（ 18kΩ时提供大约为300kHz ）。

该引脚是误差放大器的输出端。

该引脚是误差放大器的反相输入端。

从VOUT的RC网络，该引脚开关在PS1和PS2模式， FB ，以帮助改善瞬态性能

和相位裕度在低功耗状态下降阶段时。还有的FB2引脚和FB的开关

引脚。开关断开时，在PS0状态和在PS1和PS2的状态。如果这个功能是不需要的，该引脚可

悬空。

单个电流检测输入3相给该引脚开路时， ISL6353配置为2相模式。

单独的电流传感输入阶段2当ISEN2被拉至5V VDD时，控制器将关闭阶段2 ，

并且，控制器将在1相模式运行。

单个电流检测输入第1阶段。

输出电压检测引脚。连接到所述输出电压（通常为VDDQ ）在所希望的远程电压检测

位置。

VR_HOT ＃

NTC

COMP

FB2

ISEN3

ISEN2

ISEN1

VSEN

2011年9月15日

FN6897.0

ISL6353

引脚说明

（续）

引脚数

18, 19

符号

RTN

ISUMN和ISUMP

VDD

VIN

PROG1

BOOT1

UG1

PH1

GND

LG1

PWM3

VDDP

LG2

GND

PH2

UG2

BOOT2

PROG2

PSI

描述

输出电压检测引脚的回报。连接到地面，在所希望的遥感位置。

反相和非反相的跨导放大器的输入电流监控和OCP 。

5V偏置电源。

输入电源电压，用于输入电源的前馈补偿。

该方案引脚上的电压调节器我

最大

设置。参考表6 。

连接整个BOOT1和PH1引脚的MLCC电容。启动电容器通过内部带电

开关从VDDP引脚对引脚BOOT1连接。

输出的第1阶段的高边MOSFET栅极驱动器。连接UG1引脚与第1阶段的高侧栅极

MOSFET。

电流返回路径的第1阶段的高边MOSFET栅极驱动器。连接PH1引脚连接到由节点

高侧MOSFET的源极，所述低侧MOSFET的漏极，与第1阶段的输出电感器。

这是用于IC的电接地连接。该引脚连接到PCB的接地层旁边的

控制器或在所述IC的使用低阻抗路径的背面露出的焊盘。

输出的第1阶段的低边MOSFET栅极驱动器。连接LG1引脚到第1阶段的低侧栅极

MOSFET。

PWM输出为阶段3，当PWM3被拉至5V VDD时，控制器将禁止第3阶段，并允许其他

阶段进行操作。

输入电压偏置的内部栅极驱动器。连接+ 5V至VDDP引脚。分离与至少1μF使用

MLCC电容器与接地平面靠近IC 。

输出的相位2低边MOSFET栅极驱动器。连接LG2引脚到第2阶段的低侧栅极

MOSFET。

这是用于IC的电接地连接。该引脚连接到PCB的接地层旁边的

控制器或在所述IC的使用低阻抗路径的背面露出的焊盘。

电流返回路径的第2阶段的高边MOSFET栅极驱动器。连接PH2引脚连接到由节点

高侧MOSFET的源极，所述低侧MOSFET的漏极，与第2阶段的输出电感器。

输出的相位2高边MOSFET栅极驱动器。连接UG2销到第2阶段高边栅极

MOSFET。

连接整个BOOT2和PH2引脚的MLCC电容。启动电容器通过内部带电

开关从VDDP引脚对引脚BOOT2连接。

该方案引脚上的电压调节器V

BOOT

电压，下垂启用/禁用和活性相的数量

为PS1模式。

该引脚可以用于设置与外部逻辑信号控制器的功率状态。通过此引脚连接到

地，控制器将仅涉及由串行通信总线寄存器中所指示的功率状态。如果

销被连接到一个高阻抗，则控制器将进入PS1的状态。如果该引脚被连接到逻辑高时，

控制器将进入PS2状态。

此管脚为逻辑输入，可配合使用vset1替换编程的稳压器的输出电压

与外部逻辑信号。参阅表9通过连接vset1替换和Vset2的接地，所述控制器将参考

该VID设置指示由串行通信总线寄存器。

此管脚为逻辑输入，可配合使用Vset2的编程的稳压器的输出电压

与外部信号。参阅表9通过连接vset1替换和Vset2的接地，所述控制器将参考

VID设置指示由串行通信总线寄存器。

逆变器的输出，锁定高的过压事件。它是由POR来复位。

该引脚设置地址偏移量寄存器，范围从0到13 （ 0H到DH）。

该集成电路的电接地。除非另有说明，所有的信号都参考GND引脚。连接这个理由

通过一个低阻抗路径焊盘到地平面。推荐使用至少5个通孔连接到地

飞机在PCB内层。

VSET2

VSET1

OVP

ADDR

GND （底部垫）

2011年9月15日

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