PD - 97402A
PDP TRENCH IGBT
特点
l
先进的沟道IGBT技术
l
优化延和能量回收
在PDP的应用电路
TM
)
l
低V
CE （ON）的
每脉冲能量（E
脉冲
为提高板效率
l
高重复峰值电流能力
l
无铅封装
IRG7S313UPbF
主要参数
330
1.35
160
150
V
V
A
°C
V
CE
民
V
CE （ON）的
典型值。 @我
C
= 20A
I
RP
最大@ T
C
= 25°C
T
J
最大
C
G
E
G
C
E
D
2
PAK
IRG7S313UPbF
N沟道
G
门
C
集热器
E
辐射源
描述
这种IGBT是专门为等离子显示面板的应用而设计。该器件采用先进的
沟道型IGBT技术，实现了低V
CE （ON）的
和低辐射
PULSETM
每硅片面积的评价而改善面板
效率。附加功能是150 ° C的工作结温，高重复峰值电流
能力。这些特性相结合，使该IGBT高效，强大和可靠的设备，用于PDP
应用程序。
绝对最大额定值
参数
V
GE
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
RP
@ T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
门极 - 发射极电压
连续集电极电流，V
GE
@ 15V
连续集电极，V
GE
@ 15V
重复峰值电流
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
300
马克斯。
±30
40
20
160
78
31
0.63
-40 + 150
单位
V
A
W
W / ℃，
°C
c
热阻
R
θJC
结到外壳
d
参数
典型值。
–––
马克斯。
1.6
单位
° C / W
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1
9/11/09
IRG7S313UPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
CES
ΔΒV
CES
/ΔT
J
集电极 - 发射极击穿电压
击穿电压温度。系数
分钟。典型值。马克斯。单位
330
–––
–––
–––
–––
0.4
1.21
1.35
1.75
–––
–––
2.14
1.41
–––
-10
1.0
25
–––
75
–––
–––
47
33
12
1.0
13
65
68
11
14
86
190
–––
480
570
–––
–––
1.45
–––
–––
–––
–––
4.7
10
150
–––
100
-100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
μJ
ns
ns
S
nC
nA
μA
V
---毫伏/°C的
V
V
条件
V
GE
= 0V时，我
CE
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
CE
= 1毫安
V
GE
= 15V ，我
CE
= 12A
V
GE
= 15V ，我
CE
V
GE
= 15V ，我
CE
V
GE
= 15V ，我
CE
V
CE （ON）的
静态集电极 - 发射极电压
V
GE
= 15V ，我
CE
= 20A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
CE
= 1.0毫安
V
CE
= 330V, V
GE
= 0V
e
= 20A
e
= 40A
e
= 60A
e
e
V
GE （日）
ΔV
GE （日）
/ΔT
J
I
CES
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
集电极 - 发射极漏电流
2.2
–––
–––
V
CE
= 330V, V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
V
CE
= 330V, V
GE
= 0V ，T
J
= 150°C
V
GE
= 30V
V
GE
= -30V
V
CE
= 25V ，我
CE
= 12A
V
CE
= 240V ，我
C
= 12A ，V
GE
= 15V
I
C
= 12A ，V
CC
= 196V
R
G
= 10Ω ，L = 210μH
T
J
= 25°C
I
C
= 12A ，V
CC
= 196V
R
G
= 10Ω ，L = 200μH ，L-
S
= 150nH
T
J
= 150°C
V
CC
= 240V, V
GE
= 15V ，R
G
= 5.1Ω
L = 220nH ，C = 0.20μF ，V
GE
= 15V
V
CC
= 240V ，R
G
= 5.1Ω, T
J
= 25°C
L = 220nH ，C = 0.20μF ，V
GE
= 15V
I
GES
g
fe
Q
g
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
st
E
脉冲
门极 - 发射极正向漏
门极 - 发射极反向漏
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 集电极充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
射穿封锁时间
能源每脉冲
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
–––
–––
e
人体模型
ESD
机器型号
C
IES
C
OES
C
水库
L
C
L
E
输入电容
输出电容
反向传输电容
内置集电极电感
内置发射器电感
–––
–––
–––
–––
–––
V
CC
= 240V ，R
G
= 5.1Ω, T
J
= 100°C
1C类
（根据JEDEC标准JESD22- A114 ）
B类
（每EIA / JEDEC标准EIA / JESD22- A115 ）
V
GE
= 0V
880 –––
47
26
4.5
7.5
–––
–––
–––
nH
–––
pF
V
CE
= 30V
= 1.0MHz的
铅之间，
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
注意事项：
正弦半波占空比= 0.05 ，吨= 2微秒。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRG7S313UPbF
50
200
重复峰值电流（ A）
40
160
30
IC （ A）
120
20
80
吨=为2μs
占空比= 0.05
半正弦波
10
40
0
0
25
50
75
TC （ ℃）
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度（ ° C）
图7.最大集电极电流与外壳温度
1300
1200
VCC = 240V
L = 220nH
C =变量
100°C
图8.典型的重复峰值电流与外壳温度
1300
1200
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
每个脉冲的能量（ μJ ）
1100
1000
900
800
700
600
500
400
每个脉冲的能量（ μJ ）
1100
1000
900
800
700
600
25°C
25°C
160
170
180
190
200
210
220
230
195 200 205 210 215 220 225 230 235 240
VCC ，集电极 - 电源电压（ V）
IC ，峰值集电极电流（A ）
图9.典型ê
脉冲
与集电极电流
1600
VCC = 240V
1400
每个脉冲的能量（ μJ ）
图10.典型ê
脉冲
与集电极到电源电压
100
L = 220nH
T = 1μs的正弦半波
C = 0.4μF
10
μs
10
IC （ A）
1200
1000
800
600
400
25
50
75
100
125
150
TJ ，温度（° C）
C = 0.2μF
100
μs
C = 0.3μF
1ms
1
0.1
1
10
V CE （ V）
100
1000
图11. ê
脉冲
与温度的关系
图12. Forrward偏置安全工作区
4
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