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ISL6614B
数据表
2006年1月3日
FN9206.2
双路高级同步整流
与预POR过压保护降压MOSFET驱动器
该ISL6614B集成了两个ISL6613B MOSFET驱动器
并专门设计用于驱动两个沟道MOSFET
在同步整流的降压转换器拓扑。这
驱动程序结合HIP63xx或ISL65xx多相降压
PWM控制器和N沟道MOSFET的形式完成
先进的核心电压稳压器解决方案
微处理器。
该ISL6614B功能7V上升阈值,并同时驱动
同时在上下闸门的范围内从
5V至12V 。该驱动电压提供了灵活性
要优化涉及权衡的应用
与栅极电荷和导通损耗。该驱动程序
用于POL DC / DC转换器,用于IBA系统进行了优化。
一种先进的自适应零贯通保护
整合,以防止上部和下部的MOSFET
同时导通,并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前, VCC超过其导通阈值,在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET ( LGATE ) 。该转换器的输出电压
然后,通过低侧MOSFET的阈值的限制,
它提供了一些保护,微处理器,如果
上MOSFET (多个)在启动期间被短路。
该ISL6614B还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管,用于在一些系统中,用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家庭
四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
低VCC上升阈值(N )的IBA应用
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS ( ON)
传导失调的影响
可调节栅极电压( 5V至12V ),以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率(最高可达1MHz )
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
优化的POL DC / DC转换器,用于IBA系统
核心稳压英特尔
和AMD
微处理器
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介400和417的动力传动系设计,
布局指南,并反馈补偿设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6614B
引脚配置
ISL6614BCB / ISL6614BCBZ ( 14 LD SOIC )
顶视图
ISL6614BCR / ISL6614BCRZ ( 16 LD QFN )
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
11 BOOT1
GND
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LGATE2
7
PHASE2
8
NC
10 BOOT2
9
UGATE2
PWM2
PWM1
15
PWM1
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
LGATE2
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PHASE1
12 UGATE1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
GND 1
LGATE1 2
16
订购信息
产品型号
ISL6614BCB
ISL6614BCB-T
ISL6614BCBZ (注)
ISL6614BCBZ -T (注)
ISL6614BCR
ISL6614BCR-T
ISL6614BCRZ (注)
ISL6614BCRZ -T (注)
ISL6614BIB
ISL6614BIB-T
ISL6614BIBZ (注)
ISL6614BIBZ -T (注)
ISL6614BIR
ISL6614BIR-T
ISL6614BIRZ (注)
ISL6614BIRZ -T (注)
最热
6614BCB
6614BCB
6614BCBZ
6614BCBZ
6614BCR
6614BCR
6614BCRZ
6614BCRZ
6614BIB
6614BIB
6614BIBZ
6614BIBZ
6614BIR
6614BIR
6614BIRZ
6614BIRZ
温度。
范围(° C)
0到85
14 Ld的SOIC卷带
0到85
0到85
0到85
-40到85
14 Ld的SOIC卷带
-40到85
-40到85
-40到85
14 Ld的SOIC (无铅)
16 Ld的4×4 QFN
16 Ld的4×4 QFN (无铅)
M14.15
VCC
14
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC (无铅)
16 Ld的4×4 QFN
16 Ld的4×4 QFN (无铅)
14 Ld的SOIC
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
M14.15
14 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴(无铅)
M14.15
14 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴(无铅)
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
联系厂方。
2
FN9206.2
2006年1月3日
ISL6614B
框图
PVCC
VCC
BOOT1
UGATE1
+5V
PRE- POR过压保护
特点
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
10K
PVCC
PWM1
8K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
8K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
通道2
PVCC
LGATE2
保护地
PAD
FOR ISL6614BCR ,在底部垫
QFN封装必须被焊接到电路的地。
3
FN9206.2
2006年1月3日
ISL6614B
典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614B栅极驱动器
7V至12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
司机
ISL6614B
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCC
PHASE1
7V至12V
BOOT1
+12V
LGATE1
司机
ISL6614B
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
GND
保护地
4
FN9206.2
2006年1月3日
ISL6614B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热电阻(典型值注意事项1, 2 , 3 )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
QFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
9
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至13.2V
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
4.通过设计保证。不是100 %生产测试。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
门驱动偏置电流
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
I
VCC
I
PVCC
测试条件
f
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
PVCC
= 12V , 3nF的负载,自适应
-
-
6.60
5.60
5.20
4.20
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
26
18
18
12
10
500
-460
3.00
2.00
5.4
典型值
7.1
9.7
6.9
最大
-
-
7.25
7.25
5.90
5.90
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
V
V
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入(参见第7页时序图)
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE导通传播延迟(注4 )
5
FN9206.2
2006年1月3日
ISL6614B
数据表
2005年7月25日
FN9206.1
双路高级同步整流
与预POR过压保护降压MOSFET驱动器
该ISL6614B集成了两个ISL6613B MOSFET驱动器
并专门设计用于驱动两个沟道MOSFET
在同步整流的降压转换器拓扑。这
驱动程序结合HIP63xx或ISL65xx多相降压
PWM控制器和N沟道MOSFET的形式完成
先进的核心电压稳压器解决方案
微处理器。
该ISL6614B功能7V上升阈值,并同时驱动
同时在上下闸门的范围内从
5V至12V 。该驱动电压提供了灵活性
要优化涉及权衡的应用
与栅极电荷和导通损耗。该驱动程序
用于POL DC / DC转换器,用于IBA系统进行了优化。
一种先进的自适应零贯通保护
整合,以防止上部和下部的MOSFET
同时导通,并尽量减少死
时间。这些产品中添加了过电压保护功能
操作前, VCC超过其导通阈值,在
该相节点被连接到的低栅
侧MOSFET ( LGATE ) 。该转换器的输出电压
然后,通过低侧MOSFET的阈值的限制,
它提供了一些保护,微处理器,如果
上MOSFET (多个)在启动期间被短路。
该ISL6614B还具有三态PWM输入其中,
与Intersil的多相PWM控制器一起工作,
防止了不利的瞬间对输出电压时的
输出被关闭。这个特性消除了肖特基
二极管,用于在一些系统中,用于保护负载
从相反的输出电压事件。
特点
引脚对引脚兼容HIP6602 SOIC家庭
四N沟道MOSFET驱动器的两个同步
整流桥
低VCC上升阈值(N )的IBA应用
先进的自适应零贯通保护
- 体二极管检测
- 自动调零为r
DS ( ON)
传导失调的影响
可调节栅极电压( 5V至12V ),以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
自举电容防过度充电
支持高开关频率(最高可达1MHz )
- 沉3A电流能力
- 快速的上升/下降时间和低传输延迟
三态PWM输入输出级关闭
三态PWM输入滞后的应用随着
电源排序要求
预POR过压保护
VCC欠压保护
可扩展底层的铜箔板以增强散热
下沉
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
优化的POL DC / DC转换器,用于IBA系统
核心稳压英特尔
和AMD
微处理器
高电流DC / DC转换器
高频和高效率VRM和VRD
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
( SMD的) “
技术简介400和417的动力传动系设计,
布局指南,并反馈补偿设计
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6614B
引脚配置
ISL6614BCB / ISL6614BCBZ ( SOIC )
顶视图
ISL6614BCR / ISL6614BCRZ ( 16引脚QFN )
顶视图
PHASE1
13
12 UGATE1
11 BOOT1
GND
PVCC 3
保护地4
5
NC
6
LGATE2
7
PHASE2
8
NC
10 BOOT2
9
UGATE2
PWM2
PWM2
GND
LGATE1
PVCC
保护地
LGATE2
2
3
4
5
6
7
13 PHASE1
12 UGATE1
GND 1
11 BOOT1
10 BOOT2
9 UGATE2
8 PHASE2
LGATE1 2
16
15
订购信息
温度。
PART数的范围( ℃)
ISL6614BCB
ISL6614BCB-T
ISL6614BCR
ISL6614BCR-T
ISL6614BCBZ
(注)
ISL6614BCBZ-T
(注)
ISL6614BCRZ
(注)
0到85
0到85
0到85
14 Ld的SOIC
16 Ld的4×4 QFN
14 Ld的SOIC
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
M14.15
14 Ld的SOIC卷带
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
M14.15
14 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
0到85
16 Ld的4×4 QFN
(无铅)
L16.4x4
ISL6614BCRZ -T 16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴(无铅)
(注)
ISL6614BIB
ISL6614BIB-T
ISL6614BIBZ
(注)
ISL6614BIBZ-T
(注)
ISL6614BIR
ISL6614BIR-T
ISL6614BIRZ
(注)
ISL6614BIRZ-T
(注)
-40到85
-40到85
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
(无铅)
M14.15
14 Ld的SOIC卷带
M14.15
14 Ld的SOIC卷带式封装(无铅)
-40到85
-40到85
16 Ld的4×4 QFN
16 Ld的4×4 QFN
(无铅)
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴
L16.4x4
16 Ld的4×4 QFN磁带和卷轴(无铅)
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
联系厂方。
2
VCC
14
PWM1
1
14 VCC
PWM1
FN9206.1
2005年7月25日
ISL6614B
框图
PVCC
VCC
+5V
BOOT1
UGATE1
OTP &
PRE- POR过压保护
特点
拍摄开启
通过
保护
PHASE1
通道1
10K
PVCC
PWM1
8K
LGATE1
保护地
+5V
控制
逻辑
PVCC
保护地
BOOT2
UGATE2
10K
PWM2
8K
GND
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
通道2
PVCC
LGATE2
保护地
PAD
FOR ISL6614BCR ,在底部垫
QFN封装必须被焊接到电路的地。
3
FN9206.1
2005年7月25日
ISL6614B
典型应用 - 4通道转换器使用ISL65xx和ISL6614B栅极驱动器
7V至12V
BOOT1
+12V
UGATE1
VCC
PHASE1
LGATE1
+5V
司机
ISL6614B
FB
VSEN
COMP
V
CC
UGATE2
ISEN1
PGOOD
EN
PWM1
PWM2
主要ISEN2
控制
ISL65xx
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
GND
保护地
VID
+V
CORE
ISEN3
FS / DIS
PWM3
PWM4
GND
ISEN4
UGATE1
VCC
PHASE1
7V至12V
BOOT1
+12V
LGATE1
司机
ISL6614B
PVCC
5V至12V
BOOT2
+12V
UGATE2
PWM1
PWM2
LGATE2
PHASE2
GND
保护地
4
FN9206.1
2005年7月25日
ISL6614B
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压( PVCC ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压(V
BOOT- GND
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
输入电压(V
PWM
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
- 0.3V
DC
到V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
到V
PVCC
+ 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V
DC
至15V
DC
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至30V ( <200ns ,V
BOOT- GND
<36V)
ESD额定值
人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热电阻(典型值注意事项1, 2 , 3 )
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
不适用
QFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
46
9
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7V至13.2V
电源电压范围, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
±10%
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
4.通过设计保证。不是100 %生产测试。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
门驱动偏置电流
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
I
VCC
I
PVCC
测试条件
f
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
f
PWM
= 300kHz的,V
PVCC
= 12V
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
0 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
I
PWM
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
t
tSSHD
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDHU
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,10%至90%的
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
PVCC
= 12V, 3nF的负载,90%至10%的
V
PVCC
= 12V , 3nF的负载,自适应
-
-
6.60
5.60
5.20
4.20
-
-
-
-
1.80
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.50
1.00
3.20
2.60
245
26
18
18
12
10
500
-460
3.00
2.00
5.4
典型值
7.1
9.7
6.9
最大
-
-
7.25
7.25
5.90
5.90
-
-
-
-
2.40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
mA
V
V
V
V
A
A
V
V
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
上电复位和启用
VCC上升阈值
VCC上升阈值
VCC下降阈值
VCC下降阈值
PWM输入(参见第7页时序图)
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
典型的三态关闭窗口
三态门下限阈值下降
三态下闸上升阈值
三态门上阈值上升
三态门上下降阈值
关闭释抑时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE导通传播延迟(注4 )
5
FN9206.1
2005年7月25日
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