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PD - 96139
IRFH7923PbF
应用
l
HEXFET
功率MOSFET
l
高频负载点的同步降压
转换器在Neworking &应用
计算系统
优化控制FET应用
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
Qg
8.7米@V
GS
= 10V 8.7nC
:
好处
l
l
l
l
l
l
l
l
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
低栅电荷
充分界定雪崩电压和
当前
100％测试的R
G
无铅（合格高达260 °C回流温度）
符合RoHS标准（无卤）
低热阻
大源铅更可靠的焊接
D
D
D
D
S
S
S
G
PQFN
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
30
± 20
15
12
33
120
3.0
单位
V
g
功耗
g
功耗
c
A
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
g
1.9
0.02
-55到+ 150
存储温度范围
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
f
典型值。
–––
–––
马克斯。
8.3
42
单位
° C / W
结到环境
g
笔记
通过
9页
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3/3/08
1
IRFH7923PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
29
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.024
6.8
9.3
1.8
-5.8
–––
–––
–––
–––
–––
8.7
1.8
1.1
2.7
3.1
3.8
4.9
2.0
7.1
8.7
8.6
4.9
1095
235
110
–––
–––
8.7
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
m
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 12A
11.9
2.35
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25A
---毫伏/°C的
1.0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
150
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
–––
s V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
e
e
13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
nC
ns
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
参见图17 & 18
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
R
G
=1.8
见图15
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz的
马克斯。
26
12
单位
mJ
A
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
11
3.7
A
120
1.0
18
17
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 12A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 300A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRFH7923PbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
2.3V
1
1
2.3V
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
0.01
0.1
1
TJ = 25°C
10
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
1
100
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.0
ID = 15A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
1.5
10
T J = 150℃
T J = 25°C
1
VDS = 15V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
1
2
3
4
5
6
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFH7923PbF
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
14.0
ID = 12A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
VDS = 24V
VDS = 15V
100
CRSS
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
5
10
15
20
25
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
1msec
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 150℃
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
1.00
T J = 25°C
1
10msec
T A = 25°C
VGS = 0V
0.10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
0
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFH7923PbF
16
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
ID = 25μA
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T J ，结温（ ° C）
ID ，漏电流（ A）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
热响应（Z thJA ）° C / W
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
R
5
R
5
τ
a
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
τ
5
τ
5
1
RI（ ° C / W）
2.295027
7.222539
10.88056
11.60807
9.99673
τ
J
0.1
0.01
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
次我日
0.000402
0.013524
0.33841
4.926
63.0
τi
（秒）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.1
1
10
100
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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IR
2024
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