集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
F
EATURES
四低歪斜单端DIMM接口
一SSTL - 2兼容的选择输入
最高开关速度：为3ns
输出偏斜： 180PS （最大值）
r
on
= 20Ω （典型值）
全2.5V供电方式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83841是20位， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
并且是HiPerClockS 家族的一个成员
HiPerClockS
从ICS高性能时钟解决方案。该
器件具有20主机线路和每台主机可以行
被传递到2数据端口。主机/数据端口
与单端SSTL- 2和设备兼容OP-
erates从一个2.5V电源。
IC
S
保证低输出偏斜，使ICS83841理想
要求苛刻的应用需要明确的性能
和可重复性。
S
IMPLIFIED
S
电气原理
L
逻辑
D
IAGRAM
DH0
r
on
Sw
Sw
DA0
DB0
DHX
DAX或块DBx
R
PD
DH19
r
on
Sw
Sw
DA19
DB19
S
S
SW
P
IN
A
SSIGNMENT
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
DB
17
DA
18
DB
18
DA
19
DB
19
DA
0
DB
0
DA
1
DB
1
DA
2
2
DA
17
DH
17
DH
18
GND
DH
19
DH
0
GND
DH
1
DH
2
DB
2
3
DB
16
DH
16
4
DB
15
DA
16
5
DA
15
DH
15
GND
6
DB
14
DH
14
GN
7
DA
14
DB
13
8
DA
13
DH
13
9
DB
12
DH
12
DH
11
GN
10
DA
12
DB
11
DA
11
DB
10
DA
10
DB
9
DA
9
DB
8
DA
8
DB
7
REV 。一2006年1月20日
ICS83841
72球TFBGA
采用6mm x 6mm X 1.2毫米
包体
H封装
顶视图
S
V
DD
GND
DH
3
DA
3
DB
3
DA
4
DH
4
DB
4
GN
DH
5
DA
5
DA
6
DB
5
V
DD
V
DD
DH
10
DH
9
GN
DH
8
DH
6
DB
6
DH
7
DA
7
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
E8 ， F3 ， F8
C5，C6， D2， D9 ，G2， G9 ， H5，H6
E3
B2, B3, B5, B6, B8, B9,
C2 C9 ，E2， E9 ，F2， F 9 ，H 2，
H9 ， J2 ， J3 ， J5 ， J6 ， J8 ， J9
A2 ，A5， A7，A8 ，A10 ，B1
B4 ，C10， D1， E10 ，F1， G10 ，H1
J7 ， J10中，K1 ，K3，K4 ，K6， K9
A1，A3， A4，A6 ，A9 ，B7，
B10 ，C1， D10 ，E1， F10 ，G1， H10 ，
J1， J4 ，K2， K5 ，K7， K8 ，K10
名字
V
DD
GN
S
DH17 ， DH16 ， DH15 ， DH14 ， DH13 ， DH12 ，
DH18 ， DH11 ， DH19 ， DH10 ， DH0 ， DH9 ， DH1 ，
DH8 ， DH2 ， DH3 ， DH4 ， DH5 ， DH6 ， DH7
DA17 ， DA15 ， DA14 ， DA13 ， DA12 ， DA18 ，
DA16 ， DA11 ， DA19 ， DA10 ， DA0 ， DA9 ， DA1 ，
DA6 ， DA8 ， DA2 ， DA3 ， DA4 ， DA5 ， DA7
DB17 ， DB16 ， DB15 ， DB14 ， DB12 ， DB13 ，
DB11 ， DB18 ， DB10 ， DB19 ， DB9 ， DB0 ， DB8 ，
DB1 ， DB3 ， DB2 ， DB4 ， DB5 ， DB6 ， DB7
TYPE
描述
电源正电源引脚。
供电电源地。
控制输入。选择主机
输入
根据表3 POR T功能。
POR牛逼
主机POR TS 。
POR牛逼
DIMM POR TS 。
POR牛逼
DIMM POR TS 。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号参数
C
IN
C
ON
控制引脚电容
通道导通电容
测试条件
V
I
= 0V或V
DD
V
IN
= 1.5V
最低
典型
最大
5
10
单位
pF
pF
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
控制输入
S
L
H
功能
主持人POR T = B DIMM POR TS
一个DIMM POR T = 140
Ω
到GND
主机POR吨= A DIMM POR TS
B DIMM POR T = 140
Ω
到GND
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2006年1月20日
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
端口
直流输入钳位电流，我
IK
-50mA
-0.5V至+ 3.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3 V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
50.04 ℃/ W（ 0 MPS ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
DD
I
DD
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
2.3
典型
2.5
20
最大
2.7
单位
V
A
T
ABLE
4B 。 DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
IH
V
IL
V
IK
I
L
输入高电压
输入低电压
输入钳位电压
S
输入漏
当前
主机POR吨
DIMM POR吨
r
ON
导通电阻;注1
S
S
V
DD
= 2.3V ;我
I
= -18mA
V
DD
= 2.5V; V
I
= V
DD
或GND ;
S = V
DD
S = GND为我
白细胞介素（测试）
V
DD
= 2.5V; V
A
= 0.8V; V
B
= 1.0V
16
20
测试条件
最低
1.6
0.9
-1.2
±100
±100
±100
30
典型
最大
单位
V
V
V
A
A
A
Ω
Ω
16
20
30
V
DD
= 2.5V; V
A
= 1.7V; V
B
= 1.5V
注1 ：测量由所述主机和所述DIMM的端子之间的电流在所指示的电压在每一侧
交换机。
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
测试条件
最小典型最大单位
传播延迟;
从DHX或DAX /块DBx
125
240
ps
t
PD
注1,3
到DAX /块DBx或DHX
产量
从S到
1.2
ns
t
EN
启用时间
DHX或DAX /块DBx
产量
从S到
1.2
ns
t
DIS
禁止时间
DHX或DAX /块DBx
输出偏斜;
任何POR吨至任何POR吨
180
ps
t
OSK
注2,3
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DD
/2.
注3 ：未经过生产测试，性能可以保证。
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2006年1月20日
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
V
DD
= 1.25V ± 0.1V
V
DD
范围
DAX ，
DBX
V
DD
2
LVCMOS
GND
Qx
V
DD
DAY ，
DBY
2
TSK （ O）
-1.25V ± 0.1V
该电路仅用于测试目的，
不
适用于应用程序的使用。
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
O
安输出
S
KEW
2.5V
1.25V
输入
上升沿
SKEW
1.25V
产量
1.25V
0V
FallingEdge
SKEW
V
OH
1.25V
V
OL
S
（低电平
使能）
2.5V
1.25V
1.25V
0V
t
PZH
→
输出DAX /块DBx
（见注）
1.25V
t
PHZ
→
←
V
OH
V
OH
- 0.15V
V
OL
注：输出为高，除去由S控制禁用时。
R
伊辛
& F
奥林
E
DGE
S
KEW
3-S
TATE
O
安输出
E
NABLE
/D
ISABLE
T
IMES
DAX
V
DD
2
DHX
V
DD
2
DBX
V
DD
2
TSK （ B）
DAX /块DBx
t
PD
V
DD
2
B
ANK
S
KEW
83841BH
P
ROPAGATION
D
ELAY
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2006年1月20日
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
R
ELIABILITY
I
载文信息
T
ABLE
6.
θ
JA
VS
. A
IR
F
低
T
ABLE
一
72-B
所有
TFBGA
θ
JA
通过速度（每秒毫米英尺）
0
双层PCB板， JEDEC标准测试板
50.04°C/W
1
43.18°C/W
2
41.17°C/W
注意：
大多数现代PCB设计使用多层电路板。在第二行中的数据涉及到大多数设计。
T
RANSISTOR
C
'mount
晶体管数量为ICS83841是： 261
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
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集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
F
EATURES
四低歪斜单端DIMM接口
一SSTL - 2兼容的选择输入
最高开关速度：为3ns
输出偏斜： 180PS （最大值）
r
on
= 20Ω （典型值）
全2.5V供电方式
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83841是20位， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
并且是HiPerClockS 家族的一个成员
HiPerClockS
从ICS高性能时钟解决方案。该
器件具有20主机线路和每台主机可以行
被传递到2数据端口。主机/数据端口
与单端SSTL- 2和设备兼容OP-
erates从一个2.5V电源。
IC
S
保证低输出偏斜，使ICS83841理想
要求苛刻的应用需要明确的性能
和可重复性。
S
IMPLIFIED
S
电气原理
L
逻辑
D
IAGRAM
DH0
r
on
Sw
Sw
DA0
DB0
DHX
DAX或块DBx
R
PD
DH19
r
on
Sw
Sw
DA19
DB19
S
S
SW
P
IN
A
SSIGNMENT
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
DB
17
DA
18
DB
18
DA
19
DB
19
DA
0
DB
0
DA
1
DB
1
DA
2
2
DA
17
DH
17
DH
18
GND
DH
19
DH
0
GND
DH
1
DH
2
DB
2
3
DB
16
DH
16
4
DB
15
DA
16
5
DA
15
DH
15
GND
6
DB
14
DH
14
GN
7
DA
14
DB
13
8
DA
13
DH
13
9
DB
12
DH
12
DH
11
GN
10
DA
12
DB
11
DA
11
DB
10
DA
10
DB
9
DA
9
DB
8
DA
8
DB
7
REV 。一2006年1月20日
ICS83841
72球TFBGA
采用6mm x 6mm X 1.2毫米
包体
H封装
顶视图
S
V
DD
GND
DH
3
DA
3
DB
3
DA
4
DH
4
DB
4
GN
DH
5
DA
5
DA
6
DB
5
V
DD
V
DD
DH
10
DH
9
GN
DH
8
DH
6
DB
6
DH
7
DA
7
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
E8 ， F3 ， F8
C5，C6， D2， D9 ，G2， G9 ， H5，H6
E3
B2, B3, B5, B6, B8, B9,
C2 C9 ，E2， E9 ，F2， F 9 ，H 2，
H9 ， J2 ， J3 ， J5 ， J6 ， J8 ， J9
A2 ，A5， A7，A8 ，A10 ，B1
B4 ，C10， D1， E10 ，F1， G10 ，H1
J7 ， J10中，K1 ，K3，K4 ，K6， K9
A1，A3， A4，A6 ，A9 ，B7，
B10 ，C1， D10 ，E1， F10 ，G1， H10 ，
J1， J4 ，K2， K5 ，K7， K8 ，K10
名字
V
DD
GN
S
DH17 ， DH16 ， DH15 ， DH14 ， DH13 ， DH12 ，
DH18 ， DH11 ， DH19 ， DH10 ， DH0 ， DH9 ， DH1 ，
DH8 ， DH2 ， DH3 ， DH4 ， DH5 ， DH6 ， DH7
DA17 ， DA15 ， DA14 ， DA13 ， DA12 ， DA18 ，
DA16 ， DA11 ， DA19 ， DA10 ， DA0 ， DA9 ， DA1 ，
DA6 ， DA8 ， DA2 ， DA3 ， DA4 ， DA5 ， DA7
DB17 ， DB16 ， DB15 ， DB14 ， DB12 ， DB13 ，
DB11 ， DB18 ， DB10 ， DB19 ， DB9 ， DB0 ， DB8 ，
DB1 ， DB3 ， DB2 ， DB4 ， DB5 ， DB6 ， DB7
TYPE
描述
电源正电源引脚。
供电电源地。
控制输入。选择主机
输入
根据表3 POR T功能。
POR牛逼
主机POR TS 。
POR牛逼
DIMM POR TS 。
POR牛逼
DIMM POR TS 。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号参数
C
IN
C
ON
控制引脚电容
通道导通电容
测试条件
V
I
= 0V或V
DD
V
IN
= 1.5V
最低
典型
最大
5
10
单位
pF
pF
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
控制输入
S
L
H
功能
主持人POR T = B DIMM POR TS
一个DIMM POR T = 140
Ω
到GND
主机POR吨= A DIMM POR TS
B DIMM POR T = 140
Ω
到GND
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一2006年1月20日
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
端口
直流输入钳位电流，我
IK
-50mA
-0.5V至+ 3.3V
-0.3V到V
DD
+ 0.3 V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
封装的热阻抗，
θ
JA
50.04 ℃/ W（ 0 MPS ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
DD
I
DD
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
2.3
典型
2.5
20
最大
2.7
单位
V
A
T
ABLE
4B 。 DC
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
V
IH
V
IL
V
IK
I
L
输入高电压
输入低电压
输入钳位电压
S
输入漏
当前
主机POR吨
DIMM POR吨
r
ON
导通电阻;注1
S
S
V
DD
= 2.3V ;我
I
= -18mA
V
DD
= 2.5V; V
I
= V
DD
或GND ;
S = V
DD
S = GND为我
白细胞介素（测试）
V
DD
= 2.5V; V
A
= 0.8V; V
B
= 1.0V
16
20
测试条件
最低
1.6
0.9
-1.2
±100
±100
±100
30
典型
最大
单位
V
V
V
A
A
A
Ω
Ω
16
20
30
V
DD
= 2.5V; V
A
= 1.7V; V
B
= 1.5V
注1 ：测量由所述主机和所述DIMM的端子之间的电流在所指示的电压在每一侧
交换机。
T
ABLE
5. AC - C
极特
,
V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号参数
测试条件
最小典型最大单位
传播延迟;
从DHX或DAX /块DBx
125
240
ps
t
PD
注1,3
到DAX /块DBx或DHX
产量
从S到
1.2
ns
t
EN
启用时间
DHX或DAX /块DBx
产量
从S到
1.2
ns
t
DIS
禁止时间
DHX或DAX /块DBx
输出偏斜;
任何POR吨至任何POR吨
180
ps
t
OSK
注2,3
注1 ：从V测
DD
输入到V / 2的
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。测量V
DD
/2.
注3 ：未经过生产测试，性能可以保证。
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一2006年1月20日
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
V
DD
= 1.25V ± 0.1V
V
DD
范围
DAX ，
DBX
V
DD
2
LVCMOS
GND
Qx
V
DD
DAY ，
DBY
2
TSK （ O）
-1.25V ± 0.1V
该电路仅用于测试目的，
不
适用于应用程序的使用。
2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
O
安输出
S
KEW
2.5V
1.25V
输入
上升沿
SKEW
1.25V
产量
1.25V
0V
FallingEdge
SKEW
V
OH
1.25V
V
OL
S
（低电平
使能）
2.5V
1.25V
1.25V
0V
t
PZH
→
输出DAX /块DBx
（见注）
1.25V
t
PHZ
→
←
V
OH
V
OH
- 0.15V
V
OL
注：输出为高，除去由S控制禁用时。
R
伊辛
& F
奥林
E
DGE
S
KEW
3-S
TATE
O
安输出
E
NABLE
/D
ISABLE
T
IMES
DAX
V
DD
2
DHX
V
DD
2
DBX
V
DD
2
TSK （ B）
DAX /块DBx
t
PD
V
DD
2
B
ANK
S
KEW
83841BH
P
ROPAGATION
D
ELAY
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2006年1月20日
集成
电路
系统公司
ICS83841
20 B
IT
， DDR SDRAM 2 ： 1 MUX
R
ELIABILITY
I
载文信息
T
ABLE
6.
θ
JA
VS
. A
IR
F
低
T
ABLE
一
72-B
所有
TFBGA
θ
JA
通过速度（每秒毫米英尺）
0
双层PCB板， JEDEC标准测试板
50.04°C/W
1
43.18°C/W
2
41.17°C/W
注意：
大多数现代PCB设计使用多层电路板。在第二行中的数据涉及到大多数设计。
T
RANSISTOR
C
'mount
晶体管数量为ICS83841是： 261
83841BH
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2006年1月20日
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