添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第346页 > ISL6609IRZ
ISL6609 ， ISL6609A
数据表
2009年4月27日
FN9221.2
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6609 ， ISL6609A是一种高频率， MOSFET驱动器
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。该驱动程序
结合了Intersil的ISL63xx或ISL65xx多相
PWM控制器，形成一个完整的单级核心电压
高效率表现在高稳压器解决方案
开关频率为先进的微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压（5V）施力，
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现，
降低实施成本，复杂性，并且使
使用更高的性能，成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6609 ， ISL6609A拥有4A典型的灌电流
下部栅极驱动器，增强了下MOSFET的栅极
在第一阶段的节点上升沿保持下来的能力，
所引起的自防止功率损耗开启的下
MOSFET由于交换节点的高dV / dt 。
该ISL6609 ， ISL6609A还设有一个输入端，
识别一个高阻抗状态，与一起工作
Intersil的多相PWM控制器，以防止负
瞬变的受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。此外，该
ISL6609A的自举功能的目的是为了防止
过度充电，应该过大启动电容器
负波动发生在PHASE节点的过渡。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降
- 超低三态拖延时间（为20ns ）
ISL6605更换具有增强性能
启动电容器过充电保护（ ISL6609A ）
低V
F
内置自举二极管
低偏置电源电流
使能输入和上电复位
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅（符合RoHS ）
应用
核心电压供应为英特尔和AMD？
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2006年， 2009年版权所有。英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6609 ， ISL6609A
订购信息
产品型号
（注）
ISL6609CBZ
ISL6609CBZ-T*
ISL6609CRZ
ISL6609CRZ-T*
ISL6609IBZ
ISL6609IBZ-T*
ISL6609IRZ
ISL6609IRZ-T*
ISL6609ACBZ
ISL6609ACBZ-T*
ISL6609ACRZ
ISL6609ACRZ-T*
ISL6609AIBZ
ISL6609AIBZ-T*
ISL6609AIRZ
ISL6609AIRZ-T*
ISL6609AIRZ-TK*
部分
记号
ISL66 09CBZ
ISL66 09CBZ
609Z
609Z
ISL66 09IBZ
ISL66 09IBZ
09IZ
09IZ
6609 ACBZ
6609 ACBZ
09AZ
09AZ
6609 AIBZ
6609 AIBZ
9AIZ
9AIZ
9AIZ
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
（无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的3x3 QFN封装
M8.15
M8.15
L8.3x3
L8.3x3
M8.15
M8.15
L8.3x3
L8.3x3
M8.15
M8.15
L8.3x3
L8.3x3
M8.15
M8.15
L8.3x3
L8.3x3
L8.3x3
PKG 。
DWG 。 ＃
*请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
引脚配置
ISL6609 ， ISL6609A
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
EN
VCC
LGATE
BOOT 1
PWM 2
3
GND
4
LGATE
6
6 EN
5 VCC
ISL6609 ， ISL6609A
（ 8 LD QFN ）
顶视图
相
7
UGATE
8
2
FN9221.2
2009年4月27日
ISL6609 ， ISL6609A
框图
ISL6609和ISL6609A
R
BOOT
VCC
EN
VCC
4.25k
PWM
4k
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
VCC
LGATE
GND
相
BOOT
UGATE
集成3Ω电阻器（R
BOOT
）仅适用于ISL6609A
3
FN9221.2
2009年4月27日
ISL6609 ， ISL6609A
典型应用 - 多相转换器使用ISL6609栅驱动器
V
IN
+5V
+5V
+5V
VCC
FB
VCC
VSEN
PWM1
PGOOD
PWM2
PWM
控制
(ISL63XX
或ISL65XX ）
VID
（可选）
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
COMP
EN
PWM
ISL6609
相
LGATE
UGATE
R
UGPH
BOOT
+V
CORE
VCC
FS / EN
GND
EN
PWM
ISL6609
BOOT
UGATE
R
UGPH
相
LGATE
R
UGPH
对于一些特殊的电源排序应用
（参见应用信息部分第8页）
4
FN9221.2
2009年4月27日
ISL6609 ， ISL6609A
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压（V
EN
, V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
） 。 。 。 -0.3V至27V （ DC ）或36V （ <200ns ）
引导到相电压（V
BOOT -PHASE
） 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V （ DC ）
-0.3V至9V （ <10ns ）
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至27V （ DC ）
GND -8V （ <20ns脉冲宽度， 10μJ ）至30V （ <100ns ）
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V （ DC ）到V
BOOT
V
相
- 5V （ <20ns脉宽， 10μJ ）到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）到VCC + 0.3V
GND - 2.5V （ <20ns脉宽， 5μJ ）至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
热信息
热阻（注1 ， 2 ， 3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
36
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 100℃的
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
这些规范适用于对于T
A
= -40 ℃至100 ℃，除非另有说明。有MIN和/或MAX参数
限制是100％测试在+ 25 ℃，除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三态上升阈值
三态下降阈值
三态关机释抑时间
EN输入
EN低阈值
EN高门槛
开关时间
（见图1第7页）
UGATE上升时间（注4 ）
LGATE上升时间（注4 ）
UGATE下降时间（注4 ）
LGATE下降时间（注4 ）
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
I
VCC
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
132
3.4
3.0
400
-
4.2
-
-
μA
mV
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCC
= 5V （ 100mV的滞后性）
V
VCC
= 5V （ 100mV的滞后性）
t
tSSHD
t
PDLU
或T
PDLL
+门下降时间
2.75
3
-
3.10
-
4
4.25
1.70
3.41
20
5.5
5.75
2.00
-
-
kΩ
kΩ
V
V
ns
1.0
-
1.3
1.6
-
2.0
V
V
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ，输出空载
V
VCC
= 5V ，输出空载
-
-
-
-
-
-
8.0
8.0
8.0
4.0
18
25
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
FN9221.2
2009年4月27日
ISL6609 ， ISL6609A
数据表
2006年3月6日
FN9221.1
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6609 ， ISL6609A是一种高频率， MOSFET驱动器
优化驱动两个N沟道功率MOSFET的
同步整流降压转换器拓扑结构。该驱动程序
结合了Intersil的ISL63xx或ISL65xx多相
PWM控制器，形成一个完整的单级核心电压
高效率表现在高稳压器解决方案
开关频率为先进的微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压（5V）施力，
高MOSFET栅极驱动器最大限度地降低开关损耗
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3nF的负载小于
10ns的上升/下降时间。上部栅极驱动器的自举是
通过内部的低正向压降的二极管来实现，
降低实施成本，复杂性，并且使
使用更高的性能，成本效益的N通道
的MOSFET。自适应贯通保护集成
以防止这两个MOSFET同时导通。
该ISL6609 ， ISL6609A拥有4A典型的灌电流
下部栅极驱动器，增强了下MOSFET的栅极
在第一阶段的节点上升沿保持下来的能力，
所引起的自防止功率损耗开启的下
MOSFET由于交换节点的高dV / dt 。
该ISL6609 ， ISL6609A还设有一个输入端，
识别一个高阻抗状态，与一起工作
Intersil的多相PWM控制器，以防止负
瞬变的受控的输出电压时操作
暂停。这个特性消除了对肖特基
二极管可以在一个电力系统被用于保护
负载从负输出电压的损害。此外，该
ISL6609A的自举功能的目的是为了防止
过度充电，应该过大启动电容器
负波动发生在PHASE节点的过渡。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降
- 超低三态拖延时间（为20ns ）
ISL6605更换具有增强性能
启动电容器过充电保护（ ISL6609A ）
低V
F
内置自举二极管
低偏置电源电流
使能输入和上电复位
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心电压供应为英特尔和AMD？
微处理器
高频薄型高效率DC / DC
转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2006年版权所有。英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6609 ， ISL6609A
订购信息
部件号（注）
ISL6609CBZ
ISL6609CRZ
ISL6609IBZ
ISL6609IRZ
ISL6609ACBZ
ISL6609ACRZ
ISL6609AIBZ
ISL6609AIRZ
最热
ISL6609CBZ
609Z
ISL6609IBZ
09IZ
6609ACBZ
09AZ
6609AIBZ
9AIZ
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
（无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
8 Ld的SOIC
8 Ld的3x3 QFN封装
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
L8.3x3
M8.15
L8.3x3
M8.15
L8.3x3
M8.15
L8.3x3
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
引脚配置
ISL6609 ， ISL6609A （ SOIC ）
顶视图
UGATE
BOOT
PWM
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
相
EN
VCC
LGATE
BOOT 1
PWM 2
3
GND
4
LGATE
6
6 EN
5 VCC
ISL6609 ， ISL6609A （ QFN ）
顶视图
相
7
UGATE
8
框图
ISL6609和ISL6609A
R
BOOT
VCC
EN
VCC
4.25K
PWM
4K
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
VCC
LGATE
GND
BOOT
UGATE
相
集成3Ω电阻器（R
BOOT
）仅适用于ISL6609A
2
FN9221.1
2006年3月6日
ISL6609 ， ISL6609A
典型应用 - 多相转换器使用ISL6609栅驱动器
V
IN
+5V
+5V
+5V
VCC
EN
PWM1
PWM2
PWM
控制
(ISL63XX
或ISL65XX ）
VID
（可选）
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
PWM
ISL6609
相
LGATE
BOOT
UGATE
R
UGPH
FB
VCC
VSEN
COMP
PGOOD
+V
CORE
FS / EN
GND
VCC
EN
PWM
ISL6609
BOOT
UGATE
R
UGPH
相
LGATE
R
UGPH
对于一些特殊的电源排序应用
（参见应用信息部分第8页）
3
FN9221.1
2006年3月6日
ISL6609 ， ISL6609A
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压（V
EN
, V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT- GND
） 。 。 。 -0.3V至25V （ DC ）或36V （ <200ns ）
引导到相电压（V
BOOT -PHASE
） 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V （ DC ）
-0.3V至9V （ <10ns ）
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V （ DC ）
GND -8V （ <20ns脉冲宽度， 10μJ ）至30V （ <100ns ）
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V （ DC ）到V
BOOT
V
相
- 5V （ <20ns脉宽， 10μJ ）到V
BOOT
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）到VCC + 0.3V
GND - 2.5V （ <20ns脉宽， 5μJ ）至VCC + 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2kV
热信息
热阻（注1 ， 2 ， 3 ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
110
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
36
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 100℃的
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
POR上升
POR下降
迟滞
PWM输入
下沉阻抗
源阻抗
三态上升阈值
三态下降阈值
这些规范适用于对于T
A
= -40 ℃至100 ℃，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
-
-
2.2
-
132
3.4
3.0
400
-
4.2
-
-
A
mV
R
PWM_SNK
R
PWM_SRC
V
VCC
= 5V （ 100mV的滞后性）
V
VCC
= 5V （ 100mV的滞后性）
t
tSSHD
t
PDLU
或T
PDLL
+门下降时间
2.75
3
-
3.10
-
4
4.25
1.70
3.41
20
5.5
5.75
2.00
-
-
k
k
V
V
ns
三态关机释抑时间
EN输入
EN低阈值
EN高门槛
开关时间
（参见图1 6页）
UGATE上升时间（注4 ）
LGATE上升时间（注4 ）
UGATE下降时间（注4 ）
LGATE下降时间（注4 ）
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
1.0
-
1.3
1.6
-
2.0
V
V
t
RU
t
RL
t
FU
t
FL
t
PDLU
t
PDLL
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ，输出空载
V
VCC
= 5V ，输出空载
-
-
-
-
-
-
8.0
8.0
8.0
4.0
18
25
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4
FN9221.1
2006年3月6日
ISL6609 ， ISL6609A
电气规格
参数
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
三态，以UG / LG传播上升
延迟
产量
上驱动源电阻
上驱动吸收电阻
降低驱动源电阻
降低驱动吸收电阻
注意：
4.通过特性保证。不是100 ％生产测试。
R
UG_SRC
R
UG_SNK
R
LG_SRC
R
LG_SNK
250毫安源电流
250毫安灌电流
250毫安源电流
250毫安灌电流
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
0.4
2.5
2.5
2.5
1.0
这些规范适用于对于T
A
= -40 ℃至100 ℃，除非另有说明
（续）
符号
t
PDHU
t
PDHL
t
PT的
测试条件
V
VCC
= 5V ，输出空载
V
VCC
= 5V ，输出空载
V
VCC
= 5V ，输出空载
民
-
-
-
典型值
18
23
20
最大
-
-
-
单位
ns
ns
ns
功能引脚说明
注：引脚数是指该SOIC封装。入住
图中相应的引脚QFN封装。
LGATE （引脚5 ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低压侧的栅极
N沟道功率MOSFET 。栅极电阻是永远
推荐该引脚上，因为它与操作干扰
击穿保护电路。
UGATE （引脚1 ）
上栅极驱动输出。连接到高侧的门
N沟道功率MOSFET 。栅极电阻是永远
推荐该引脚上，因为它与操作干扰
击穿保护电路。
VCC （引脚6 ）
该引脚连接到+ 5V偏置电源。与本地绕过
高品质的陶瓷电容器接地。
BOOT （引脚2 ）
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电
用于打开上部MOSFET 。见
引导
注意事项
在选择用于引导部分
适当的电容值。
EN （引脚7 ）
使能输入引脚。连接这个引脚为高电平使能和低
禁止驱动器。
PHASE （引脚8 ）
该引脚连接到上层MOSFET的源极。这
引脚提供用于上部的栅极驱动器的电流的返回路径。
PWM （引脚3 ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的国家，看到了
三态PWM输入
部分作进一步的详细信息。这个连接
引脚连接到控制器的PWM输出。
散热焊盘（在QFN只）
IC的中心下方的金属垫是热
基材。 PCB的“热地”设计，这种暴露
模具垫应包括过孔掉落下来，连接到
一个或多个埋铜平面（ S） 。这种组合
过孔的垂直散热逃生和掩埋面热
扩展允许QFN充分发挥其热
势。此焊盘应既接地或浮，
和它不应该被连接到其他节点。请参阅
TB389的设计指南。
GND （引脚4 ）
接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
5
FN9221.1
2006年3月6日
查看更多ISL6609IRZPDF信息
推荐型号
IC62VV51216L-100T
IRKU72-14S90
IP123AV-05
IP33063D-8
IS61LF102418A-7.5B3I
IRHY7130CM
IDT72225L35J
IS42S16160B-6BL
IXTP2P45
IXTP36N30P
IRKVF200-04FJ
ICL7641ACPA
ICL8023MJA
ICS840001AGI
ISL9R860PF2
IDT7205S35D
IN74ACT241DW
IP1525J
IRKUF112-08HNN
INA149AMDREP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL6609IRZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ISL6609IRZ
Renesas Electronics America Inc.
18+
43
8-QFN
全新原装正品/质量有保证
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
ISL6609IRZ
Renesas Electronics Corporation
24+
10000
8-QFN（3x3）
原厂一级代理，原装现货
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ISL6609IRZ
Renesas Electronics America Inc
21+
16800
8-VQFN 裸露焊盘
全新原装正品/质量有保证
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ISL6609IRZ
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9971
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97671959 复制

电话：171-4729-9698（微信同号）
联系人：周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
ISL6609IRZ
INTERSIL
24+
4854
QFN-8
22￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:22元
深圳市深科创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：962800405 复制 点击这里给我发消息 QQ：475055463 复制 点击这里给我发消息 QQ：545433074 复制
电话：0755-83223957 83247340
联系人：李先生/吴小姐/ 朱先生
地址：深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
ISL6609IRZ
Renesas Electronics America Inc
23+
3200
8-VQFN
最新到货假一赔百
深圳市华创欧科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ：1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ：2319599090 复制
电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
ISL6609IRZ
Intersil
22+
520480
8-QFN
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
ISL6609IRZ
Renesas Electronics Corporation
24+
4514
8-QFN（3x3）
全新原装现货，原厂代理。
上海金庆电子科技京城市场部
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51872165/51872561
联系人：陈小姐 付先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
ISL6609IRZ
Intersil
20+
26000
全新原装 货期两周
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ISL6609IRZ
Renesas Electronics America Inc
21+
16800
8-VQFN 裸露焊盘
全新原装正品/质量有保证
查询更多ISL6609IRZ供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！