IS42S83200B
IS42S16160B
32Meg ×8 ， 16兆X16
256兆位同步DRAM
2008年9月
特点
时钟频率： 166 ， 143 ， 133 MHz的
完全同步;引用到的所有信号
时钟上升沿
隐藏行存取/预充电银行内部
电源
IS42S83200B
IS42S16160B
LVTTL接口
可编程突发长度
- （ 1，2， 4，8，全页）
可编程突发序列：
顺序/交错
自动刷新（ CBR ）
自刷新
8K刷新周期每64毫秒
随机列地址每个时钟周期
可编程
CAS
延迟（2,3时钟）
突发读取/写入和突发读/写单
作战能力
突发终止突发停止和预充电
命令
可在工业级温度
提供54引脚TSOP -II和54球BGA
（ X16只）
提供无铅
V
DDQ
V
DD
3.3V 3.3V
3.3V 3.3V
概观
ISSI
的256Mb的同步DRAM实现高速
采用流水线结构的数据传输。所有的输入和
输出信号的参考时钟输入的上升沿。
256MB的SDRAM安排如下。
IS42S83200B
54引脚TSOPII
IS42S16160B
54引脚TSOPII
54球BGA
8M ×8× 4银行4M x16x4银行
关键时序参数
参数
CLK周期时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
CLK频率
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
从时钟存取时间
CAS
延时= 3
CAS
延时= 2
-6
6
8
166
125
5.4
6.5
-7
7
10
143
100
5.4
6.5
单位
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何合适的
时间，恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。客户
建议之前，依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1
IS42S83200B,
IS42S16160B
设备概述
256MB的SDRAM是高速CMOS ，动态
随机存取存储器的设计中3.3VV操作
DD
和3.3V V
DDQ
含268435456内存系统
位。在内部配置为四银行DRAM与
同步接口。每个67,108,864位银行奥尔加
认列之为8,192行512列16位或8,192行
通过1024列由8位。
256MB的SDRAM包括自动刷新模式，
和节电，省电模式。所有的信号都
登记在时钟信号CLK的上升沿。所有
输入和输出都是LVTTL兼容。
256MB的SDRAM有能力同步爆
在高数据速率的自动列地址的数据
一代，有能力内部银行之间的交错
隐藏预充电时间和能力，以随机
改变列地址的突发期间每一个时钟周期
访问。
在突发年底启动自定时行预充电
序列可与自动预充电功能
化启用。预充电一家银行在访问中的一个
其他三家银行将隐藏预充电周期，并提供
无缝的，高速的，随机存取操作。
SDRAM的读取和写入访问被突发式开始
一个选定的位置，并继续进行编程num-
BER在编程顺序位置。该registra-
激活命令和灰开始访问，随后
读或写命令。在活动命令
与注册地址位一起用于选择
要访问的组和行（ BA0 ， BA1选择
银行; A0 - A12选择行） 。读或写
注册联的命令与地址位
用于选择脉冲串的起始列位置
访问。
可编程的读或写突发长度由1个，
2，4和8的位置或整页，用一个脉冲串终止
选项。
功能块图（供4MX16X4银行所示）
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQML
DQMH
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
DATA IN
卜FF器
16
16
2
模式
注册
13
刷新
调节器
DQ 0-15
自
刷新
调节器
A10
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
数据输出
卜FF器
16
16
V
DD
/V
DDQ
V
ss
/V
ss
Q
刷新
计数器
8192
8192
8192
8192
行解码器
多路复用器
记忆细胞
ARRAY
13
13
ROW
地址
LATCH
13
ROW
地址
卜FF器
BANK 0
SENSE AMP I / O GATE
COLUMN
地址锁存
9
512
(x 16)
银行控制逻辑
串计数器
列解码器
COLUMN
地址缓冲器
9
2
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IS42S83200B,
IS42S16160B
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP - II型为X8
V
DD
DQ0
V
DD
Q
NC
DQ1
V
SS
Q
NC
DQ2
V
DD
Q
NC
DQ3
V
SS
Q
NC
V
DD
NC
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ7
V
SS
Q
NC
DQ6
V
DD
Q
NC
DQ5
V
SS
Q
NC
DQ4
V
DD
Q
NC
V
SS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
A0-A12
A0-A9
BA0 ， BA1
DQ0到DQ7
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
DQM
V
DD
VSS
V
DDQ
VSS
Q
NC
写使能
数据输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
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IS42S83200B,
IS42S16160B
销刀豆网络gurations
54引脚TSOP - II型的X16
V
DD
DQ0
V
DD
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
DD
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
DD
DQML
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
DD
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
DD
Q
DQ8
V
SS
NC
DQMH
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
A0-A12
A0-A8
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
DQML
DQMH
V
DD
VSS
V
DDQ
VSS
Q
NC
写使能
X16低字节，输入/输出面膜
X16高字节，输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
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IS42S83200B,
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引脚配置
54球FBGA为X16
（顶视图） （8.00毫米× 13.00毫米身体， 0.8毫米球间距）
封装代码： B
1 2 3 4 5 6 7 8 9
A
B
C
D
E
F
G
H
J
VSS DQ15 VSSQ
DQ14 DQ13 VDDQ
DQ12 DQ11 VSSQ
DQ10 DQ9 VDDQ
DQ8
NC
VSS
CKE
A9
A6
A4
VDDQ DQ0 VDD
VSSQ DQ2 DQ1
VDDQ DQ4 DQ3
VSSQ DQ6 DQ5
VDD DQML DQ7
CAS
BA0
A0
A3
RAS
BA1
A1
A2
WE
CS
A10
VDD
DQMH CLK
A12
A8
VSS
A11
A7
A5
引脚说明
A0-A12
A0-A8
BA0 ， BA1
DQ0到DQ15
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
行地址输入
列地址输入
银行选择地址
数据I / O
系统时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通命令
列地址选通命令
WE
DQML
DQMH
V
DD
VSS
V
DDQ
VSS
Q
NC
写使能
X16低字节输入/输出面膜
X16高字节输入/输出面膜
动力
地
电源的I / O引脚
地面的I / O引脚
无连接
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