INA149-EP
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SBOS608A - 2012年3月 - 修订2012年4月
高共模电压差动放大器
1
特点
共模电压范围： ± 275 V
最小共模抑制比：从-55°C 84分贝至+ 125°C
DC产品规格：
- 最大失调电压： 3500
μV
- 最大增益误差： 0.047 ％
- 最大增益非线性： 0.001 ％ FSR在
25°C
AC性能：
- 带宽： 500 kHz的
- 典型的压摆率： 5 V / μs的
宽电源电压范围： ± 2.0 V至± 18 V
- 最大静态电流：1100
μA
- 输出摆幅在± 15 V电源： ± 13.5 V
输入保护：
- 共模： ± 500 V
- 差： ± 500 V
2
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
120
共模抑制比（dB ）
110
100
90
80
70
60
50
40
10
100
1k
频率（Hz）
10k
100k
INA149
竞争对手A
应用
高压电流检测
电池单元电压监控
电源电流监控
电机控制
更换隔离电路
(1)
额外的温度范围内工作 - 联系工厂
描述
该INA149是精密的单位增益差分放大器，具有非常高的输入共模电压范围。这是
一个单一的，整体式装置，它由一个精密运算放大器和一个集成薄膜电阻器网络。该
INA149可精确测量的共模的存在小的差分电压信号，可
± 275 V的INA149的输入免受瞬时共模或差分最多的重载
500 V.
在许多应用中，电隔离在不需要时， INA149可代替隔离放大器。这
能力可以消除昂贵的隔离输入端的电源和相关的纹波，噪声和静态
电流。该INA149的优良0.0005％非线性和500 - kHz带宽都优于那些的
传统的隔离放大器。
该INA149是引脚兼容的
INA117
和
INA148
高输入共模电压放大器和
提供超过两个设备的提高的性能。该INA149是在SOIC -8封装，与现有的操作
规定在-55 ° C至+ 125°C军用温度范围。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
T
A
-55 ° C至125°C
(1)
包
SOIC - 8 - D
订购零件
数
INA149AMDREP
包装标志
INA149AM
VID号
V62/12614-01XE
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
INA149
电源电压
输入电压范围
共模和差， 10秒
在REF最大电压
A
和REF
B
在任何输入引脚的输入电流
(2)
输出短路电流持续时间
工作温度范围
存储温度范围
结温
人体模型（ HBM ）
ESD额定值
带电器件模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
(1)
(2)
-55到+125
-65到+150
+150
1500
1000
100
(V+) – (V–)
连续
40
300
500
（ V - ） - 0.3至（V +） + 0.3
10
不定
°C
°C
°C
V
V
V
单位
V
V
V
V
mA
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
REF
A
和REF
B
是二极管钳位到电源轨。施加到这些引脚可摆动超过0.3伏以外的信号
电源电压应限制在10 mA或更小。
2
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热信息
INA149
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
D（ SOIC ）
8引脚
110
57
54
11
53
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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电气特性： V + = + 15V和V- = -15 V
在T
A
= + 25 ° C，R
L
= 2 kΩ的连接到地，而V
CM
= REF
A
= REF
B
= GND时，除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
初始偏移
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
与电源（ PSRR ） ，V
S
= ± 2 V至± 18 V ，T
A
= –55°C
至+ 125°C
输入
阻抗
电压范围
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
在DC ，V
CM
= ± 275 V，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
共模抑制
（ CMRR ）
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
温度范围
特定网络版
操作
存储
–55
–55
–65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
V
S
= ±18 V, V
OUT
= 0 V
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
±2
810
0.95
±18
950
1.1
V
A
mA
V
OUT
= ± 10V的一步，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
OUT
= 20 V
PP
0.01%, V
OUT
= 10 -V步
1.7
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
–13.5
±25
10
13.5
V
mA
nF
在AC ， 500赫兹，V
CM
= 500 V
PP
在AC ， 1 kHz时， V
CM
= 500 V
PP
–13.5
–275
84
98
90
90
800
200
13.5
275
kΩ
kΩ
V
V
dB
dB
dB
90
350
2.5
120
3500
V
μV/°C
dB
V
OUT
= ±10.0 V,
V
OUT
= -10.0 V，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
±0.001
±0.047
V/V
％ FSR
PPM /°C的
％ FSR
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
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电气特性： V + = 5 V和V- = 0 V
在T
A
= + 25 ° C，R
L
= 2 kΩ的连接到2.5 V ，和V
CM
= REF
A
= REF
B
= 2.5 V时，除非另有说明。
INA149
参数
收益
初始
增益误差
收益
非线性
失调电压
350
初始偏移
输入
阻抗
迪FF erential
共模
共模
在DC ，V
CM
= -20 V至25 V
共模抑制
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ，在DC
在AC ， 500赫兹，V
CM
= 49 V
PP
在AC ， 1 kHz时， V
CM
= 49 V
PP
产量
电压范围
短路电流
容性负载驱动
输出噪声电压
0.01 Hz至10 Hz
10千赫
动力响应
小信号带宽
压摆率
全功率带宽
建立时间
电源
电压范围
静态电流
V
S
= 5 V
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
5
810
1
V
A
mA
V
OUT
= 2 V
PP
步
V
OUT
= 2 V
PP
0.01%, V
OUT
= 2 V
PP
步
500
5
32
7
千赫
V / μs的
千赫
s
20
550
V
PP
纳伏/赫兹÷
没有持续振荡
1.7
±15
10
3.4
V
mA
nF
–20
100
100
100
90
800
200
25
kΩ
kΩ
V
dB
dB
dB
dB
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
与电源（ PSRR ） ，V
S
= 4 V至5 V
3
120
V
μV/°C
dB
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
V
OUT
= 1.5 V至3.5 V
与温度，T
A
= -55 ° C至+ 125°C
1
±0.005
±1.5
±0.0005
V/V
％ FSR
PPM /°C的
％ FSR
测试条件
民
典型值
最大
单位
版权所有2012，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
INA149-EP
5
QQ：2881677436 复制
