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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第688页 > ISL6605IB
ISL6605
数据表
2005年1月4日
FN9091.5
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6605是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET在synchronous-
整流降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合
在Intersil的HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器形成一个完整的单级核心电压
高效率表现在高稳压器解决方案
开关频率为先进的微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压（5V）和偏置
最大限度地减少驱动器的低开关损耗高MOSFET栅极
电容和高开关频率的应用。每
驱动器能够驱动一个3000pF的负载与为8ns的
传播延迟和小于10ns的过渡时间。这
产品实现自举上与上闸门
内置自举肖特基二极管，降低实施
成本，复杂性，并且允许使用更高的
性能，成本效益N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止这两个
MOSFET同时导通。
该ISL6605拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器，它能够保持较低的MOSFET
在第一阶段的节点上升沿闸门，以防止拍摄开启
通过所造成的相的高dv / dt的功率损耗
节点。
该ISL6605还具有三态PWM输入的，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
将防止在输出电压时的负瞬态
的输出被关断。这个特性消除了
肖特基二极管通常出现在微处理器
用于保护所述微处理器从电力系统
反相输出电压的损坏。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 超低传输延迟为8ns
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流（ 5V ， 30μA ）
使能输入
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和档案稀释剂。
无铅可（符合RoHS ）
应用
核心电压供应为英特尔和AMD？
微处理器
高频超薄型DC-DC转换器
大电流低电压DC -DC转换器
同步整流用于隔离型电源
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
引脚配置
UGATE
BOOT
1
2
顶视图
8引脚SOIC
PWM 3
GND 4
6
5
VCC
LGATE
BOOT
1
PWM
2
顶视图
8引脚SOIC
5
VCC
6
6
EN
8
7
相
EN
相
7
4
LGATE
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 Intersil公司（设计）是Intersil美洲公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002年至2005年。版权所有
英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
UGATE
8
3
GND
1
ISL6605
订购信息
零件号*
ISL6605CB
ISL6605CBZ （注）
ISL6605CBZA （注）
ISL6605CR
ISL6605CRZ （注）
ISL6605CRZA
（注）
ISL6605IB
ISL6605IBZ （注）
ISL6605IBZA （注）
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
-40到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的3x3 QFN封装
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
L8.3x3
订购信息
零件号*
ISL6605IR
ISL6605IRZ （注）
ISL6605IRZA （注）
ISL6558EVAL2
温度。
范围（° C）
-40到85
-40到85
-40到85
包
8 Ld的3x3 QFN封装
PKG 。
DWG 。 ＃
L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3
评估平台（ ISL6558IR + ISL6605IR ）
8 Ld的3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装（无铅） L8.3x3
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC （无铅）
8 Ld的SOIC （无铅）
M8.15
M8.15
M8.15
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，
模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容
锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品
MSL分类，可达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
ti
框图
ISL6605
VCC
EN
VCC
20K
PWM
20K
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
VCC
BOOT
UGATE
相
LGATE
GND
2
FN9091.5
2005年1月4日
ISL6605
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6605栅驱动器
V
IN
+5V
+5V
+5V
VCC
FB
VCC
VSEN
PWM1
PGOOD
PWM2
PWM
控制
(HIP63XX
或ISL65XX ）
VID
（可选）
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
COMP
EN
PWM
ISL6605
499K*
LGATE
BOOT
UGATE
相
+V
CORE
VCC
FS / EN
GND
EN
PWM
BOOT
UGATE
相
499K*
ISL6605
LGATE
* 499K IS用来拉断PWM输入，以防止误触发UGATE PWM的启动过程。
3
FN9091.5
2005年1月4日
ISL6605
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压（V
EN
, V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
） 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至22V （ DC ）或33V （ <200ns ）
引导到相电压（V
BOOT -PHASE
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）至28V （ <200ns ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V （ <100ns脉冲宽度， 10μJ ）至28V （ <200ns ）
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V （ DC ）到V
BOOT
+0.3V
. . . . . . . V
相
- 4V （ <200ns脉宽， 20μJ ）到V
BOOT
+0.3V
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）到V
VCC
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 2V （ <100ns脉宽， 4μJ ）到V
VCC
+ 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
ESD额定值
HBM等级1 JEDEC STD
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
热信息
热阻（注1 ， 2 ， 3 & ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95
36
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
， "case temperature"位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
偏置电源电流
PWM输入
输入电流
这些规范适用于对于T
A
= -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
符号
I
VCC
I
VCC
I
PWM
测试条件
EN =低电平，T
A
= 0℃至70 ℃的
EN =低电平，T
A
= -40 ° C至85°C
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
V
VCC
= 5V ，T
A
= 0℃至70 ℃的
V
VCC
= 5V ，T
A
= -40 ° C至85°C
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ，温度= 25°C
民
-
-
-
-
-
-
-
3.3
-
1.0
-
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
LGATE
I
LGATE
R
LGATE
I
LGATE
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
30
250
-250
-
-
-
420
-
-
8
8
8
4
8
8
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
0.4
4.0
最大
1.5
2
-
-
-
1.70
1.75
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
单位
A
A
A
A
A
V
V
V
ns
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
A
A
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机释抑时间
EN输入
EN低阈值
EN高门槛
开关时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流（注4 ）
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流（注4 ）
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流（注4 ）
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流（注4 ）
注意：
4.通过设计保证。不是100 ％生产测试。
4
FN9091.5
2005年1月4日
ISL6605
功能引脚说明
注：引脚数是指该SOIC封装。入住
引脚图引脚QFN封装的数字。
散热焊盘（在QFN只）
在QFN封装，该中心的下方垫
集成电路是一热衬底。 PCB的“热地”设计
这暴露的芯片焊盘应包括热过孔
降下来，并连接到一个或一个以上埋入铜
平面（多个） 。这对于垂直散热逃生组合通孔
埋飞机的热扩散让QFN到
充分发挥其热势。这片应该是
接地或浮置，并且它不应该被连接到
其他节点。请参阅TB389的设计指南。
UGATE （引脚1 ）
上栅极驱动输出。连接到高端电源的栅极
N沟道MOSFET 。
BOOT （引脚2 ）
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电，以
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
描述
手术
专为速度， ISL6605 MOSFET驱动器同时控制
从一个外部高侧和低侧N沟道场效应晶体管
提供PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测
LGATE电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]基于所述LGATE电压降如何迅速
低于1V 。这可以防止两个下部和上部的MOSFET
从进行同时或穿通。一旦这个
延迟周期完成上部栅极驱动器开始上升
[t
的Rugate
]和上MOSFET导通。
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
pdlUGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[T
富盖特
] 。再次，自适应拍摄开启
通过电路确定的下门延迟时间，
t
PDHLGATE
。上MOSFET的栅极电压被监控
和下闸门允许上部MOSFET后上升
栅极 - 源极电压低于1V。下门，然后
上升[T
RLGATE
] ，将在下部的MOSFET 。
PWM （引脚3 ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的状态（见
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细说明） 。该引脚连接到控制器的PWM输出。
GND （引脚4 ）
接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
LGATE （引脚5 ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 ）
该引脚连接到+ 5V偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。
EN （引脚7 ）
使能输入引脚。该引脚连接到高电平使能和
低以禁用集成电路。当禁止时，该IC吸取少
小于1μA的偏置电流。
PHASE （引脚8 ）
该引脚连接到上层MOSFET和源
漏较低的MOSFET 。该引脚提供返回路径
对于上部的栅极驱动器。
时序图
PWM
t
PDHUGATE
t
pdlUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
RLGATE
t
FLGATE
t
pdlLGATE
t
PDHLGATE
5
FN9091.5
2005年1月4日
ê ND
OMM 09
EC
66
RSIL CT - ISL
TE
U
在
数据
S
片
ROD
IGN ED P
ES
C
EW EN H A
R
FO
P- I N
RO
S
ISL6605
2006年5月9日
FN9091.7
同步整流MOSFET驱动器
该ISL6605是高频MOSFET驱动器优化
驱动两个N沟道功率MOSFET在synchronous-
整流降压转换器拓扑结构。此驱动程序结合
在Intersil的HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM
控制器形成一个完整的单级核心电压
高效率表现在高稳压器解决方案
开关频率为先进的微处理器。
该IC是由一个单一的低电源电压（5V）和偏置
最大限度地减少驱动器的低开关损耗高MOSFET栅极
电容和高开关频率的应用。
每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载与为8ns的
传播延迟和小于10ns的过渡时间。这
产品实现自举上与上闸门
内置自举肖特基二极管，降低实施
成本，复杂性，并且允许使用更高的
性能，成本效益N沟道MOSFET 。自适应
击穿保护集成，以防止这两个
MOSFET同时导通。
该ISL6605拥有4A典型的灌电流低
栅极驱动器，它能够保持较低的MOSFET
在第一阶段的节点上升沿闸门，以防止拍摄开启
通过所造成的相的高dv / dt的功率损耗
节点。
该ISL6605还具有三态PWM输入的，
与Intersil的多相PWM控制器一起工作，
将防止在输出电压时的负瞬态
的输出被关断。这个特性消除了
肖特基二极管通常出现在微处理器
用于保护所述微处理器从电力系统
反相输出电压的损坏。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
自适应贯通保护
0.4Ω的导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率
- 快速输出上升和下降时间
- 超低传输延迟为8ns
三态PWM输入用于电源级停机
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流（ 5V ， 30μA ）
使能输入
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形。
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和档案稀释剂。
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
核心电压供应为英特尔和AMD？
微处理器
高频超薄型DC / DC转换器
大电流低电压DC / DC转换器
同步整流用于隔离型电源
相关文献
技术简介TB363 “准则处理和
处理湿度敏感表面贴装器件
（ SMD的） “
引脚配置
ISL6605
（ 8 LD SOIC ）
顶视图
ISL6605
（ 8 LD QFN ）
顶视图
UGATE
8
BOOT
1
PWM
2
相
7
UGATE 1
BOOT 2
PWM 3
GND 4
8
7
6
5
相
EN
VCC
LGATE
6
6
EN
5
VCC
3
GND
4
LGATE
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 Intersil公司（设计）是Intersil美洲公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2002-2006年。版权所有
英特尔是英特尔公司的注册商标。
AMD是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6605
订购信息
部分
号码*
ISL6605CB
ISL6605CBZ
（注）
ISL6605CBZA
（注）
ISL6605CR
ISL6605CRZ
（注）
ISL6605CRZA
（注）
ISL6605IB
ISL6605IBZ
（注）
部分
记号
ISL6605CB
ISL6605CBZ
ISL6605CBZ
605C
05CZ
05CZ
ISL6605IB
6605IBZ
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
包
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
8 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
M8.15
M8.15
订购信息
部分
号码*
ISL6605IBZA
（注）
ISL6605IR
ISL6605IRZ
（注）
ISL6605IRZA
（注）
部分
记号
6605IBZ
605I
05IZ
05IZ
温度。
范围（° C）
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
8 Ld的SOIC
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M8.15
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
（无铅）
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
（无铅）
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
（无铅）
8 Ld的3x3 QFN封装， L8.3x3
（无铅）
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
（无铅）
M8.15
M8.15
ISL6558EVAL2评估平台（ ISL6558IR + ISL6605IR ）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾
锡板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
ti
框图
ISL6605
VCC
EN
VCC
20K
PWM
20K
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
VCC
BOOT
UGATE
相
LGATE
GND
2
FN9091.7
2006年5月9日
ISL6605
典型应用 - 多相位转换器使用ISL6605栅驱动器
V
IN
+5V
+5V
+5V
VCC
FB
VCC
VSEN
PGOOD
PWM1
PWM2
PWM
控制
(HIP63XX
或ISL65XX ）
VID
（可选）
ISEN1
ISEN2
+5V
V
IN
COMP
EN
PWM
499K*
ISL6605
BOOT
UGATE
相
LGATE
+V
CORE
VCC
FS / EN
GND
EN
PWM
499K*
ISL6605
BOOT
UGATE
相
LGATE
* 499K IS用来拉断PWM输入，以防止误触发UGATE PWM的启动过程。
3
FN9091.7
2006年5月9日
ISL6605
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
输入电压（V
EN
, V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
） 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至22V （ DC ）或33V （ <200ns ）
引导到相电压（V
BOOT -PHASE
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至7V
相电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）至28V （ <200ns ）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V （ <100ns脉冲宽度， 10μJ ）至28V （ <200ns ）
UGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
相
- 0.3V （ DC ）到V
BOOT
+0.3V
. . . . . . . V
相
- 4V （ <200ns脉宽， 20μJ ）到V
BOOT
+0.3V
LGATE电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V （ DC ）到V
VCC
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 2V （ <100ns脉宽， 4μJ ）到V
VCC
+ 0.3V
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
ESD额定值
HBM等级1 JEDEC STD
推荐工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V
±10%
热信息
热阻（注1 ， 2 ， 3 & ）
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 95
36
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
3.
θ
JC
， "case temperature"位置是在封装底部的裸露焊盘的中心。参见技术简介TB379了解详细信息。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
偏置电源电流
PWM输入
输入电流
这些规范适用于对于T
A
= -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
符号
I
VCC
I
VCC
I
PWM
测试条件
EN =低电平，T
A
= 0℃至70 ℃的
EN =低电平，T
A
= -40 ° C至85°C
PWM引脚悬空，V
VCC
= 5V
V
PWM
= 5V
V
PWM
= 0V
V
VCC
= 5V ，T
A
= 0℃至70 ℃的
V
VCC
= 5V ，T
A
= -40 ° C至85°C
V
VCC
= 5V
V
VCC
= 5V ，温度= 25°C
民
-
-
-
-
-
-
-
3.3
-
1.0
-
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
UGATE
I
UGATE
R
LGATE
I
LGATE
R
LGATE
I
LGATE
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
V
VCC
= 5V ， 3nF的负载
500毫安源电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
30
250
-250
-
-
-
420
-
-
8
8
8
4
8
8
1.0
2.0
1.0
2.0
1.0
2.0
0.4
4.0
最大
1.5
2
-
-
-
1.70
1.75
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
1.0
-
单位
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
V
ns
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
PWM三态上升阈值
PWM三态下降阈值
三态关机释抑时间
EN输入
EN低阈值
EN高门槛
开关时间
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
产量
上驱动源电阻
上部驱动源电流（注4 ）
上驱动吸收电阻
上部驱动吸收电流（注4 ）
降低驱动源电阻
较低的驱动源电流（注4 ）
降低驱动吸收电阻
较低的驱动器吸收电流（注4 ）
注意：
4.通过设计保证。不是100 ％生产测试。
4
FN9091.7
2006年5月9日
ISL6605
功能引脚说明
注：引脚数是指该SOIC封装。入住
引脚图引脚QFN封装的数字。
散热焊盘（在QFN只）
在QFN封装，该中心的下方垫
集成电路是一热衬底。 PCB的“热地”设计
这暴露的芯片焊盘应包括热过孔
降下来，并连接到一个或一个以上埋入铜
平面（多个） 。这对于垂直散热逃生组合通孔
埋飞机的热扩散让QFN到
充分发挥其热势。这片应该是
接地或浮置，并且它不应该被连接到
其他节点。请参阅TB389的设计指南。
UGATE （引脚1 ）
上栅极驱动输出。连接到高端电源的栅极
N沟道MOSFET 。
BOOT （引脚2 ）
浮动自举电源引脚上的栅极驱动器。
连接该引脚和之间的自举电容
PHASE引脚。自举电容提供充电，以
打开上部MOSFET 。见自举二极管和
下的说明指导电容器部
选择合适的电容值。
描述
手术
专为速度， ISL6605 MOSFET驱动器同时控制
从一个外部高侧和低侧N沟道场效应晶体管
提供PWM信号。
在PWM的上升沿启动关断下
MOSFET （见时序图） 。经过短暂的传播
延迟[T
pdlLGATE
] ，下门开始下降。典型的秋天
次[T
FLGATE
]是在电气规格提供
部分。自适应直通电路监测
LGATE电压，并确定在上闸门的延迟时间
[t
PDHUGATE
]的基础上如何快速的电压LGATE
低于1V 。这可以防止两个下部和上部
从同时或拍摄开启MOSFET的导通
通过。一旦此延迟周期完成上闸门
驱动器开始上升[T
的Rugate
]和上MOSFET关
ON 。
PWM的一个下降沿表示关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
pdlUGATE
]之前遇到的
上闸开始下降[T
富盖特
] 。再次，自适应
直通电路决定下门延迟时间，
t
PDHLGATE
。上MOSFET的栅极电压被监控
和下闸门允许上部MOSFET后上升
栅极 - 源极电压低于1V。下门，然后
上升[T
RLGATE
] ，将在下部的MOSFET 。
PWM （引脚3 ）
PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM
信号可以在操作过程中输入三个不同的状态（见
根据说明进行进一步的三态PWM输入部分
详细说明） 。该引脚连接到控制器的PWM输出。
GND （引脚4 ）
接地引脚。所有的信号都参考这个节点。
LGATE （引脚5 ）
更低的栅极驱动器输出。连接到低侧的门
功率N沟道MOSFET 。
VCC （引脚6 ）
该引脚连接到+ 5V偏置电源。将高品质
旁路电容此引脚与GND 。
EN （引脚7 ）
使能输入引脚。该引脚连接到高电平使能和
低以禁用集成电路。当禁止时，该IC吸取少
小于1μA的偏置电流。
PHASE （引脚8 ）
该引脚连接到上层MOSFET和源
漏较低的MOSFET 。该引脚提供返回路径
对于上部的栅极驱动器。
时序图
PWM
t
PDHUGATE
t
pdlUGATE
t
的Rugate
t
富盖特
UGATE
LGATE
t
RLGATE
t
FLGATE
t
pdlLGATE
t
PDHLGATE
5
FN9091.7
2006年5月9日
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