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PD - 93841
开关电源MOSFET
IRFBL3703
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高同步整流
电源高频DC / DC转换器
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
0.0025
I
D
260A
好处
l
>1毫米放低姿态大于D
2
PAK
l
相同的占位面积为D
2
PAK
l
低栅极阻抗，以减少开关
损失
l
超低导通电阻
l
全额定雪崩
超级-D
2
PAK
TM
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
260
180
1000
300
3.8
2.0
± 20
5.0
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑
l
前进桥变换器的同步整流为电信和
工业应用
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
4/5/00
IRFBL3703
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
分钟。
30
–––
–––
静态漏 - 源极导通电阻
–––
栅极阈值电压
2.0
–––
漏极至源极漏电流
–––
栅 - 源正向漏
–––
栅 - 源反向漏
–––
典型值。
–––
0.028
2.0
2.5
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
2.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 76A
m
3.6
V
GS
= 7.0V ，我
D
= 76A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 24V ，我
D
= 76A
–––
I
D
= 76A
–––
NC V
DS
= 24V
–––
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V
–––
I
D
= 76A
ns
–––
R
G
= 1.8
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至24V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
150
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
209
62
42
18
123
53
24
8250
3000
290
10360
3060
2590
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1700
76
30
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
典型值。
–––
–––
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
––– 260
A
––– 1000
0.8
80
185
1.3
120
275
V
ns
nC
马克斯。
0.5
40
单位
° C / W
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 76A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 76A ，V
DS
= 16V
的di / dt = 100A / μs的
2
www.irf.com
IRFBL3703
10000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
4.5V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
10000
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 260A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
1000
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
1.0
100
0.5
10
4.0
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFBL3703
14000
12000
20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
I
D
= 76A
V
DS
= 24V
16
C，电容（pF ）
10000
C
国际空间站
8000
6000
12
8
C
OSS
4000
2000
4
C
RSS
0
1
10
100
0
0
40
80
120
160
测试电路
见图13
200
240
280
320
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 175
°
C
I
D
，漏电流（ A）
100
1000
10us
10
100us
T
J
= 25
°
C
1
100
1ms
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 175 ° C
单脉冲
10
10ms
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFBL3703
300
V
DS
不限按包
R
D
250
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
200
-
V
DD
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
150
100
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
50
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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