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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第927页 > ISL6566
ISL6566
数据表
2006年3月9日
FN9178.4
三相降压PWM控制器
对于VRM9集成MOSFET驱动器,
VRM10 ,和AMD锤应用
的ISL6566三相PWM控制IC提供
先进的精密调压系统
微处理器。功率MOSFET驱动器的集成
入控制器IC马克从单独一个离开
PWM控制器和以前的多的驱动程序配置
相产品系列。通过减少外部数
份,此集成为一个成本和空间优化
节能电源管理解决方案。
该控制器IC包括突出特点
可编程VID代码与英特尔VRM9兼容,
VRM10 ,以及AMD的锤微处理器。一个单位
增益差分放大器提供了一种用于远程电压
传感,补偿之间的电势差
远程和本地的理由。的输出电压也可以是
通过使用一个单一的带正电或负偏移
外部电阻。
该ISL6566的独特之处是结合使用两种
DCR和R
DS ( ON)
电流检测。负载线电压
定位(下垂)和过流保护
通过不断的电感DCR电流来实现
检测人,而r
DS ( ON)
电流检测用于准确
通道电流的平衡。目前使用的两种方法
抽样均可利用技术的最佳优势。
该控制器IC的保护功能包括一组
成熟的过压,欠压,过流
保护。在转换器接通的过电压的结果
较低的MOSFET ON钳位输出电压上升,
保护的微处理器。过电流保护级别
通过一个外部电阻设置。此外,该
ISL6566包括防止在开路
遥感技术的投入。结合这些特点提供
用于微处理器和先进的电源保护
系统。
特点
集成的多相位电源转换
- 1 , 2 ,或3相操作
精密核心电压调节
- 差分远端电压传感
-
±0.5%
系统温度测量的精确性
- 可调基准电压偏移
精确的通道电流共享
- 使用丢失更少
DS ( ON)
电流采样
精确的负载线路编程
- 使用无损耗电感器DCR电流采样
可变栅极驱动偏压: 5V至12V
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 , VRM10 ,或AMD之间
锤DAC码
- 动态VID技术
过流保护
多层次的过压保护
数字软启动
可选的工作频率高达1.5MHz的阶段
无铅加退火有(符合RoHS )
引脚
ISL6566 ( QFN )
顶视图
UGATE1
31
30 BOOT1
29 PHASE1
28 PHASE2
27 UGATE2
41
GND
26 BOOT2
25 ISEN2
24 PVCC2
23 LGATE2
三期22
21 BOOT3
11
RGND
12
VSEN
13
OCSET
14
ICOMP
15
ISUM
16
IREF
17
LGATE3
18
PVCC3
19
ISEN3
20
UGATE3
LGATE1
PGOOD
PVCC1
33
ISEN1
32
ENLL
37
VID2
VID3
VID4
40
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
REF
OFS
VCC
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
39
38
FS
36
35
34
VDIFF 10
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6566
订购信息
产品型号
ISL6566CRR5184
ISL6566CR-TR5184
ISL6566CRZR5184 (注)
ISL6566CRZ - TR5184 (注)
ISL6566CRZAR5184 (注)
ISL6566CRZA - TR5184 (注)
ISL6566IR
ISL6566IR-T
ISL6566IRZ (注)
ISL6566IRZ -T (注)
ISL6566IRZA (注)
ISL6566IRZA -T (注)
部分
记号
ISL6566CR
ISL6566CR
ISL6566CRZ
ISL6566CRZ
ISL6566CRZ
ISL6566CRZ
ISL6566IR
ISL6566IR
ISL6566IRZ
ISL6566IRZ
ISL6566IRZ
ISL6566IRZ
温度。
(°C)
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN磁带和卷轴
40 Ld的的6x6 QFN (无铅)
40 Ld的的6x6 QFN (无铅),磁带和卷轴
40 Ld的的6x6 QFN (无铅)
40 Ld的的6x6 QFN (无铅),磁带和卷轴
40 Ld的的6x6 QFN
40 Ld的的6x6 QFN磁带和卷轴
40 Ld的的6x6 QFN (无铅)
40 Ld的的6x6 QFN (无铅),磁带和卷轴
40 Ld的的6x6 QFN (无铅)
40 Ld的的6x6 QFN (无铅)
PKG 。
DWG 。 #
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
L40.6x6
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡板
终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
2
FN9178.4
2006年3月9日
ISL6566
框图
ICOMP
OCSET
PGOOD
ENLL
ISEN AMP
ISUM
IREF
100A
OC
0.66V
POWER- ON
RESET
VCC
PVCC1
RGND
VSEN
+1V
BOOT1
UGATE1
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
软启动
x1
x1
故障逻辑
PHASE1
VDIFF
LGATE1
UVP
0.2V
FS
PVCC2
BOOT2
UGATE2
控制
逻辑
PWM2
OVP
时钟和
锯齿
发电机
OVP
V
OVP
+150mV
x 0.82
PWM1
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
LGATE2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
通道
当前
平衡
1
N
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
BOOT3
UGATE3
动态
VID
D / A
PWM3
通道
检测
PVCC3
REF
FB
E / A
COMP
PHASE3
OFFSET
OFS
LGATE3
通道
当前
SENSE
ISEN1
ISEN2
ISEN3
GND
3
FN9178.4
2006年3月9日
ISL6566
典型应用 - ISL6566
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC1
VSEN
RGND
+5V
VCC
BOOT1
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
OFS
+12V
FS
REF
PVCC2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
PGOOD
ISL6566
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
负载
+12V
PVCC3
+12V
GND
BOOT3
UGATE3
ENLL
IREF
OCSET
ICOMP
ISUM
PHASE3
ISEN3
LGATE3
4
FN9178.4
2006年3月9日
ISL6566
典型应用 - ISL6566用NTC热敏补偿
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC1
VSEN
RGND
+5V
VCC
BOOT1
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
OFS
+12V
FS
REF
PVCC2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
PGOOD
ISL6566
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
负载
+12V
PVCC3
+12V
GND
BOOT3
UGATE3
ENLL
IREF
OCSET
ICOMP
PHASE3
ISEN3
LGATE3
ISUM
NTC
PLACE关闭
近接
5
FN9178.4
2006年3月9日
ISL6566
数据表
2005年7月25日
FN9178.3
三相降压PWM控制器
对于VRM9集成MOSFET驱动器,
VRM10 ,和AMD锤应用
的ISL6566三相PWM控制IC提供
先进的精密调压系统
微处理器。功率MOSFET驱动器的集成
入控制器IC马克从单独一个离开
PWM控制器和以前的多的驱动程序配置
相产品系列。通过减少外部数
份,此集成为一个成本和空间优化
节能电源管理解决方案。
该控制器IC的突出特点包括可编程
英特尔VRM9 , VRM10 ,以及兼容的VID代码
AMD锤微处理器。一个单位增益,微分
放大器提供了远端电压传感,补偿
远程和本地之间的任何电势差。
的输出电压,也可以带正电或负偏移
通过使用一个外部的电阻器。
该ISL6566的独特之处是结合使用两种
DCR和R
DS ( ON)
电流检测。负载线电压
定位(下垂)和过流保护
通过不断的电感DCR电流来实现
检测人,而r
DS ( ON)
电流检测用于准确
通道电流的平衡。目前使用的两种方法
抽样均可利用技术的最佳优势。
该控制器IC的保护功能包括一组
成熟的过压,欠压,过流
保护。在转换器接通的过电压的结果
较低的MOSFET ON钳位输出电压上升,
保护的微处理器。过电流保护级
通过一个外部电阻设置。此外, ISL6566
包括遥控器上的保护,防止开路
感测输入。结合这些功能提供了先进的
保护用于微处理器和电源系统。
特点
集成的多相位电源转换
- 1 , 2 ,或3相操作
精密核心电压调节
- 差分远端电压传感
-
±0.5%
系统温度测量的精确性
- 可调基准电压偏移
精确的通道电流共享
- 使用丢失更少
DS ( ON)
电流采样
精确的负载线路编程
- 使用无损耗电感器DCR电流采样
可变栅极驱动偏压: 5V至12V
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 , VRM10 ,或AMD之间
锤DAC码
- 动态VID技术
过流保护
多层次的过压保护
数字软启动
可选的工作频率高达1.5MHz的阶段
无铅加退火有(符合RoHS )
引脚
ISL6566 ( QFN )
顶视图
UGATE1
31
30 BOOT1
29 PHASE1
28 PHASE2
27 UGATE2
41
GND
26 BOOT2
25 ISEN2
24 PVCC2
23 LGATE2
三期22
21 BOOT3
11
RGND
12
VSEN
13
OCSET
14
ICOMP
15
ISUM
16
IREF
17
LGATE3
18
PVCC3
19
ISEN3
20
UGATE3
LGATE1
PGOOD
PVCC1
33
ISEN1
32
ENLL
37
VID2
VID3
VID4
40
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
REF
OFS
VCC
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
39
38
FS
36
35
34
订购信息
零件号*
ISL6566CR
ISL6566CRZ (注)
ISL6566CRZA (注)
ISL6566IR
ISL6566IRZ (注)
ISL6566IRZA (注)
温度。
(°C)
0到70
0到70
0到70
40 Ld的的6x6 QFN
PKG 。
DWG 。 #
L40.6x6
40 Ld的的6x6 QFN (无铅) L40.6x6
40 Ld的的6x6 QFN (无铅) L40.6x6
L40.6x6
-40到85 40 Ld的6×6 QFN
-40到85 40 Ld的6×6 QFN (无铅) L40.6x6
-40到85 40 Ld的6×6 QFN (无铅) L40.6x6
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
VDIFF 10
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6566
框图
ICOMP
OCSET
PGOOD
ENLL
ISEN AMP
ISUM
IREF
100A
OC
0.66V
POWER- ON
RESET
VCC
PVCC1
RGND
VSEN
+1V
BOOT1
UGATE1
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
软启动
x1
x1
故障逻辑
PHASE1
VDIFF
LGATE1
UVP
0.2V
FS
PVCC2
BOOT2
UGATE2
控制
逻辑
PWM2
OVP
时钟和
锯齿
发电机
OVP
V
OVP
+150mV
x 0.82
PWM1
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
LGATE2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
通道
当前
平衡
1
N
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
BOOT3
UGATE3
动态
VID
D / A
PWM3
通道
检测
PVCC3
REF
FB
E / A
COMP
PHASE3
OFFSET
OFS
LGATE3
通道
当前
SENSE
ISEN1
ISEN2
ISEN3
GND
2
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
典型应用 - ISL6566
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC1
VSEN
RGND
+5V
VCC
BOOT1
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
OFS
+12V
FS
REF
PVCC2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
PGOOD
ISL6566
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
负载
+12V
PVCC3
+12V
GND
BOOT3
UGATE3
ENLL
IREF
OCSET
ICOMP
ISUM
PHASE3
ISEN3
LGATE3
3
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
典型应用 - ISL6566用NTC热敏补偿
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC1
VSEN
RGND
+5V
VCC
BOOT1
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
OFS
+12V
FS
REF
PVCC2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
PGOOD
ISL6566
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
负载
+12V
PVCC3
+12V
GND
BOOT3
UGATE3
ENLL
IREF
OCSET
ICOMP
PHASE3
ISEN3
LGATE3
ISUM
NTC
PLACE关闭
近接
4
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6V
电源电压, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 15V
绝对的启动电压,V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至GND + 36V
相电压,V
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( PVCC = 12 )
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至24V ( <200ns ,V
BOOT -PHASE
= 12V)
上层栅极电压,V
UGATE
. . . . V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压,V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至PVCC + 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到PVCC + 0.3V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32
3.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
VCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
PVCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至12V
±5%
环境温度( ISL6566CR , ISL6566CRZ ) 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度( ISL6566IR , ISL6566IRZ ) 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
注意:压力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
推荐的工作条件,除非另有规定ED 。
测试条件
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
门驱动偏置电流
VCC POR (上电复位)阈值
I
VCC
; ENLL =高
I
PVCC
; ENLL =高
VCC上升
VCC下降
PVCC POR (上电复位)阈值
PVCC崛起
PVCC降
振荡器斜坡幅度(注3 )
最大占空比(注3 )
振荡器频率(F)
SW
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后
COMP关断阈值
参考和DAC
系统精度( VID = 1.0V - 1.850V )
系统精度( VID = 0.8V - 1.0V )
DAC输入低电压( VR9 , VR10 )
DAC输入高电压( VR9 , VR10 )
DAC输入低电压( AMD)
DAC输入高电压( AMD)
OFS灌电流精度(负偏移)
OFS源电流精度(正偏移)
R
OFS
=从为30kΩ OFS到VCC
R
OFS
= 10kΩ的从OFS到GND
-0.5
-0.8
-
0.8
-
1.0
47.5
47.5
-
-
-
-
-
-
50.0
50.0
0.5
0.8
0.4
-
0.6
-
52.5
52.5
%
%
V
V
V
V
A
A
COMP下降
-
-
0.2
0.66
100
0.3
-
-
0.4
V
mV
V
R
T
= 100k (
±
0.1%)
V
PP
-
-
4.25
3.75
4.25
3.60
-
-
225
15
0.8
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
250
20
-
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
275
mA
mA
V
V
V
V
V
%
千赫
5
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
数据表
2005年7月25日
FN9178.3
三相降压PWM控制器
对于VRM9集成MOSFET驱动器,
VRM10 ,和AMD锤应用
的ISL6566三相PWM控制IC提供
先进的精密调压系统
微处理器。功率MOSFET驱动器的集成
入控制器IC马克从单独一个离开
PWM控制器和以前的多的驱动程序配置
相产品系列。通过减少外部数
份,此集成为一个成本和空间优化
节能电源管理解决方案。
该控制器IC的突出特点包括可编程
英特尔VRM9 , VRM10 ,以及兼容的VID代码
AMD锤微处理器。一个单位增益,微分
放大器提供了远端电压传感,补偿
远程和本地之间的任何电势差。
的输出电压,也可以带正电或负偏移
通过使用一个外部的电阻器。
该ISL6566的独特之处是结合使用两种
DCR和R
DS ( ON)
电流检测。负载线电压
定位(下垂)和过流保护
通过不断的电感DCR电流来实现
检测人,而r
DS ( ON)
电流检测用于准确
通道电流的平衡。目前使用的两种方法
抽样均可利用技术的最佳优势。
该控制器IC的保护功能包括一组
成熟的过压,欠压,过流
保护。在转换器接通的过电压的结果
较低的MOSFET ON钳位输出电压上升,
保护的微处理器。过电流保护级
通过一个外部电阻设置。此外, ISL6566
包括遥控器上的保护,防止开路
感测输入。结合这些功能提供了先进的
保护用于微处理器和电源系统。
特点
集成的多相位电源转换
- 1 , 2 ,或3相操作
精密核心电压调节
- 差分远端电压传感
-
±0.5%
系统温度测量的精确性
- 可调基准电压偏移
精确的通道电流共享
- 使用丢失更少
DS ( ON)
电流采样
精确的负载线路编程
- 使用无损耗电感器DCR电流采样
可变栅极驱动偏压: 5V至12V
微处理器电压识别输入
- 最多6位DAC
- 可选择英特尔VRM9 , VRM10 ,或AMD之间
锤DAC码
- 动态VID技术
过流保护
多层次的过压保护
数字软启动
可选的工作频率高达1.5MHz的阶段
无铅加退火有(符合RoHS )
引脚
ISL6566 ( QFN )
顶视图
UGATE1
31
30 BOOT1
29 PHASE1
28 PHASE2
27 UGATE2
41
GND
26 BOOT2
25 ISEN2
24 PVCC2
23 LGATE2
三期22
21 BOOT3
11
RGND
12
VSEN
13
OCSET
14
ICOMP
15
ISUM
16
IREF
17
LGATE3
18
PVCC3
19
ISEN3
20
UGATE3
LGATE1
PGOOD
PVCC1
33
ISEN1
32
ENLL
37
VID2
VID3
VID4
40
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
REF
OFS
VCC
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
39
38
FS
36
35
34
订购信息
零件号*
ISL6566CR
ISL6566CRZ (注)
ISL6566CRZA (注)
ISL6566IR
ISL6566IRZ (注)
ISL6566IRZA (注)
温度。
(°C)
0到70
0到70
0到70
40 Ld的的6x6 QFN
PKG 。
DWG 。 #
L40.6x6
40 Ld的的6x6 QFN (无铅) L40.6x6
40 Ld的的6x6 QFN (无铅) L40.6x6
L40.6x6
-40到85 40 Ld的6×6 QFN
-40到85 40 Ld的6×6 QFN (无铅) L40.6x6
-40到85 40 Ld的6×6 QFN (无铅) L40.6x6
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板终止完成,这是符合RoHS标准,兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
VDIFF 10
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6566
框图
ICOMP
OCSET
PGOOD
ENLL
ISEN AMP
ISUM
IREF
100A
OC
0.66V
POWER- ON
RESET
VCC
PVCC1
RGND
VSEN
+1V
BOOT1
UGATE1
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
软启动
x1
x1
故障逻辑
PHASE1
VDIFF
LGATE1
UVP
0.2V
FS
PVCC2
BOOT2
UGATE2
控制
逻辑
PWM2
OVP
时钟和
锯齿
发电机
OVP
V
OVP
+150mV
x 0.82
PWM1
拍摄开启
通过
保护
PHASE2
LGATE2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
通道
当前
平衡
1
N
控制
逻辑
拍摄开启
通过
保护
BOOT3
UGATE3
动态
VID
D / A
PWM3
通道
检测
PVCC3
REF
FB
E / A
COMP
PHASE3
OFFSET
OFS
LGATE3
通道
当前
SENSE
ISEN1
ISEN2
ISEN3
GND
2
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
典型应用 - ISL6566
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC1
VSEN
RGND
+5V
VCC
BOOT1
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
OFS
+12V
FS
REF
PVCC2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
PGOOD
ISL6566
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
负载
+12V
PVCC3
+12V
GND
BOOT3
UGATE3
ENLL
IREF
OCSET
ICOMP
ISUM
PHASE3
ISEN3
LGATE3
3
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
典型应用 - ISL6566用NTC热敏补偿
+12V
VDIFF
FB
COMP
PVCC1
VSEN
RGND
+5V
VCC
BOOT1
UGATE1
PHASE1
ISEN1
LGATE1
OFS
+12V
FS
REF
PVCC2
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID12.5
VRM10
PGOOD
ISL6566
BOOT2
UGATE2
PHASE2
ISEN2
LGATE2
负载
+12V
PVCC3
+12V
GND
BOOT3
UGATE3
ENLL
IREF
OCSET
ICOMP
PHASE3
ISEN3
LGATE3
ISUM
NTC
PLACE关闭
近接
4
FN9178.3
2005年7月25日
ISL6566
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6V
电源电压, PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 15V
绝对的启动电压,V
BOOT
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至GND + 36V
相电压,V
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至15V ( PVCC = 12 )
GND - 8V ( <400ns , 20μJ )至24V ( <200ns ,V
BOOT -PHASE
= 12V)
上层栅极电压,V
UGATE
. . . . V
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
- 3.5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到V
BOOT
+ 0.3V
更低的栅极电压,V
LGATE
。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至PVCC + 0.3V
GND - 5V ( <100ns脉宽, 2μJ )到PVCC + 0.3V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至VCC + 0.3V
ESD分类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 I类JEDEC STD
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
32
3.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
推荐工作条件
VCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V
±5%
PVCC电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至12V
±5%
环境温度( ISL6566CR , ISL6566CRZ ) 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度( ISL6566IR , ISL6566IRZ ) 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
注意:压力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的操作章节中所示的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
推荐的工作条件,除非另有规定ED 。
测试条件
典型值
最大
单位
偏置电源和内部振荡器
输入偏置电源电流
门驱动偏置电流
VCC POR (上电复位)阈值
I
VCC
; ENLL =高
I
PVCC
; ENLL =高
VCC上升
VCC下降
PVCC POR (上电复位)阈值
PVCC崛起
PVCC降
振荡器斜坡幅度(注3 )
最大占空比(注3 )
振荡器频率(F)
SW
管制尺度
ENLL上升阈值
ENLL滞后
COMP关断阈值
参考和DAC
系统精度( VID = 1.0V - 1.850V )
系统精度( VID = 0.8V - 1.0V )
DAC输入低电压( VR9 , VR10 )
DAC输入高电压( VR9 , VR10 )
DAC输入低电压( AMD)
DAC输入高电压( AMD)
OFS灌电流精度(负偏移)
OFS源电流精度(正偏移)
R
OFS
=从为30kΩ OFS到VCC
R
OFS
= 10kΩ的从OFS到GND
-0.5
-0.8
-
0.8
-
1.0
47.5
47.5
-
-
-
-
-
-
50.0
50.0
0.5
0.8
0.4
-
0.6
-
52.5
52.5
%
%
V
V
V
V
A
A
COMP下降
-
-
0.2
0.66
100
0.3
-
-
0.4
V
mV
V
R
T
= 100k (
±
0.1%)
V
PP
-
-
4.25
3.75
4.25
3.60
-
-
225
15
0.8
4.38
3.88
4.38
3.88
1.50
66.6
250
20
-
4.50
4.00
4.50
4.00
-
-
275
mA
mA
V
V
V
V
V
%
千赫
5
FN9178.3
2005年7月25日
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