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PD - 91265H
初步
l
l
l
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l
l
IRF7501
HEXFET
功率MOSFET
8
7
第五代技术
Ulrtra低导通电阻
双N沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型( <1.1毫米)
可在磁带卷&
快速开关
S1
G1
S2
G2
1
D1
D1
D2
D2
2
V
DSS
=20V
3
6
4
5
R
DS ( ON)
= 0.135
T O服务P V IE W
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术,以实现每个硅极低的导通电阻
区。这样做的好处,结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,提供了
设计师用在各种各样的非常有效和可靠的装置,用于使用
的应用程序。
新Micro8封装,与标准SO- 8的一半,占用面积,
提供了采用SOIC大纲可在最小的占用空间。这使得
Micro8的理想设备应用中的印刷电路板空间
溢价。该Micro8的低调( <1.1毫米)将允许它适合轻松
成,如便携式电子产品和极薄的应用环境
PCMCIA卡。
微量天8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GSM
V
GS
dv / dt的
TJ , TSTG
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率dissipation
最大功率耗散
线性降额因子
栅 - 源电压单脉冲tp<10μs
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
20
2.4
1.9
19
1.25
0.8
0.01
16
± 12
5.0
-55到+ 150
240 ( 1.6毫米从案例)
单位
V
A
W
W
W / ℃,
V
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
100
单位
° C / W
所有Micro8数据表反映改善热阻,功率和电流-Handling Ratings-有效
只为产品标有日期代码505或更高版本。
www.irf.com
1
4/30/98
IRF7501
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
20
–––
–––
–––
0.70
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
0.041 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.085 0.135
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 1.7A
0.120 0.20
V
GS
= 2.7V ,我
D
= 0.85A
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.85A
––– 1.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
A
––– 25
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
––– 100
V
GS
= 12V
nA
––– -100
V
GS
= -12V
5.3 8.0
I
D
= 1.7A
0.84 1.3
NC V
DS
= 16V
2.2 3.3
V
GS
= 4.5V ,参照图9
5.7 –––
V
DD
= 10V
24 –––
I
D
= 1.7A
ns
15 –––
R
G
= 6.0
16 –––
R
D
= 5.7
260 –––
V
GS
= 0V
130 –––
pF
V
DS
= 15V
61 –––
= 1.0MHz的,见图。 8
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
39
37
1.25
A
19
1.2
59
56
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 1.7A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 1.7A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图10)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
表面安装在FR- 4电路板,T
≤10sec
I
SD
1.7A , di / dt的
66A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
2
www.irf.com
IRF7501
100
I,D雨来-S环境允许光凭目前 (A )
D
I,D雨来-S环境允许光凭目前 (A )
D
10
VGS
7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
顶部
100
10
VGS
7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
顶部
1
1
1.5V
0.1
0.1
0.01
0.1
1
1.5V
20μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 25°C
A
10
0.01
0.1
1
20μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 150°C
A
10
V·D S,D雨 - 源V oltage ( V)
V·D S,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
100
I
D
,D RA在-to -S URC式C urren T(A )
10
I
S.D。
,R EVERSE 雨光凭目前 (A )
10
T
J
= 1 5 0 °C
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 150°C
1
1
T
J
= 25°C
0.1
1.5
2.0
2.5
V
DS
= 10V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
3.0
3.5
4.0
A
0.1
0.4
V
的s
= 0V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
A
1.8
V
的s
,G一德以诚-S ü RC è V LTA克E( V)
V
S.D。
,S环境允许的模 - 数雨V oltage (Ⅴ)
图3 。
典型的传输特性
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7501
2.0
R
S(上)
,D雨来-S环境允许 n个R esistance
(N ORM alized )
1.5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
( )
I
D
= 1.7A
0.8
0.6
1.0
0.4
V
0.2
GS
= 2.5 V
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 4.5 V
100 120 140 160
0.0
V
的s
= 5 .0 V
0
2
4
6
A
A
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
I
D
,D雨光凭目前 (A )
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
S(O N)
,D RA在对-S URC ê n个R esistan CE
( )
(
0.13
0.11
0.09
I
D
= 2.4 A
0.07
0.05
2
3
4
5
6
7
8
A
V
的s
,G吃-to -S URC è V olta GE ( V)
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
4
www.irf.com
IRF7501
500
-V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
400
V
GS
C
为s
C
RS s
C
OSS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
gs
+ C
gd
, C
ds
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
gd
10
I
D
= 1.7A
V
S
= 16V
8
C,C apacitanc E( pF)的
C
国际空间站
300
6
C
OSS
200
4
C
RS s
100
2
0
1
10
100
A
0
0
2
4
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 9
6
8
10
A
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
Q
G
,共有摹吃哈耶( NC)
图8 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图9 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
热响应(Z
thJA
)
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图10 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7501
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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IR
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
IRF7501
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地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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