INA105
精密单位增益
差分放大器
特点
q
CMR 86分贝分钟温度过高
q
增益误差： 0.01 ％最大
q
非线性： 0.001 ％最大
q
无需外部调整
需要
q
EASY TO USE
q
完整解决方案
q
高度灵活的
q
低成本
q
塑料DIP ， TO- 99密封金属，
和SO - 8 SOIC封装
应用
q
差分放大器
q
仪表放大器器
积木
q
单位增益反相放大器
q
GAIN -OF -1/2放大器
q
同相增益为2放大器
q
平均值放大器
q
绝对值放大器
q
求和放大器
q
同步解调器
q
当前收发合规
到Rails
q
4mA至20mA发送器
q
压控电流
来源
q
全通滤波器
描述
该INA105是单片增益= 1差
放大器组成的高精度运算放大器以及片上
金属膜电阻器。该电阻经过激光调整
准确的增益和高共模抑制比。
电阻优秀TCR跟踪维护
增益精度和共模抑制比
温度。
差分放大器是很多的基础
常用的电路。该INA105提供了此
无需使用昂贵的精密电路功能
精密电阻网络。该INA105是可用
8引脚塑料DIP ， SO- 8表面贴装和TO- 99
金属包。
In
2
25k
25k
5
7
6
4
+ IN
3
25k
25k
1
SENSE
V+
产量
V–
REF
国际空港工业园邮寄地址：PO Box 11400 ，图森，亚利桑那州85734 街道地址： 6730 S.图森大道，图森，亚利桑那州85706 电话： （ 520 ） 746-1111 TWX ： 910-952-1111
互联网： http://www.burr-brown.com/图文传真： （ 800 ） 548-6133 （美国/加拿大）电缆： BBRCORP 电传： 066-6491 传真： （ 520 ） 889-1510 立即产品信息： （ 800 ） 548-6132
1985年的Burr-Brown公司
PDS-617G
美国印刷八月，1993
特定网络阳离子
电动
在+ 25 ° C，V
CC
=
±15V,
除非另有说明。
INA105AM
参数
收益
初始
(1)
错误
与温度
非线性
(2)
产量
额定电压
额定电流
阻抗
电流限制
容性负载
输入
阻抗
(3)
电压范围
(4)
共模抑制
(5)
失调电压
初始
与温度
与电源
对时间
输出噪声电压
f
B
=从0.01Hz到10Hz
f
O
= 10kHz的
动力响应
小信号带宽
全功率带宽
压摆率
建立时间： 0.1 ％
0.01%
0.01%
电源
评级
电压范围
静态电流
温度范围
规范
手术
存储
T
规格相同INA105AM 。
注： （ 1 ）连接的差分放大器（见图4） 。 （2）非线性距离的最佳拟合直线，作为满量程峰值 - 一个百分比的最大峰偏差
至峰输出。 （ 3 ） 25kΩ的电阻率相匹配，但有
±20%
绝对值。 （4）不带保护最大输入电压小于10V或者更
±15V
供应
（ ± 25V ） 。限制我
IN
至1mA 。 （ 5 ）在零信号源阻抗（参见“维护CMR ”一节） 。 （ 6 ）与输出的单位增益差的配置。注意，这
电路具有2的增益的运算放大器的偏置电压和噪声电压。 （ 7 ）包括放大器的输入偏置效应和失调电流。 （ 8 ）包括影响
放大器的输入电流噪声和电阻网络的热噪声贡献。
I
O
= + 20mA时， -5mA
V
O
= 10V
常见
稳定运行
迪FF erential
共模
迪FF erential
共模
T
A
= T
民
给T
最大
RTO
(6), (7)
50
5
1
20
2.4
60
–3dB
V
O
= 20Vp -P
V
O
= 10V步骤
V
O
= 10V步骤
V
CM
= 10V步骤，V
差异
= 0V
1
50
3
4
5
1.5
±15
±1.5
250
20
25
T
5
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±18
±2
+85
+125
+150
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
–40
–40
T
10
15
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
+85
+125
500
T
T
V
μV/°C
V/V
μV /月
μVp -P
纳伏/赫兹÷
兆赫
千赫
V / μs的
s
s
s
V
V
mA
°C
°C
°C
10
+20, –5
条件
民
典型值
最大
民
INA105BM
典型值
最大
民
INA105KP ， KU
典型值
最大
单位
1
0.005
1
0.0002
12
0.01
+40/–10
1000
50
50
±10
±20
80
0.01
5
0.001
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
86
T
T
T
T
T
T
0.01
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
72
0.025
T
T
V/V
%
PPM /°C的
%
V
mA
mA
pF
k
k
V
V
dB
90
100
T
±V
S
= 6V至18V
RTO
(6), (8)
30
2
T
T
T
T
性能会下降
V
O
= 0V
±5
–40
–55
–65
本文提供的信息被认为是可靠的;但是， BURR -BROWN承担不准确或遗漏不承担任何责任。 BURR -BROWN承担
对于使用这些信息，所有此类信息的使用不承担任何责任应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 BURR -BROWN没有授权或保证
任何Burr-Brown产品用于生命支持设备和/或系统。
INA105
2
销刀豆网络gurations
顶视图
TO-99
顶视图
DIP / SOIC
TAB
8
REF
1
无内部
连接
7
V+
REF
1
(1)
8
无内部连接
In
In
2
6
产量
2
7
V+
+ IN
3
6
产量
V–
3
+ IN
4
5
SENSE
INA105AM
INA105BM
4
5
SENSE
V–
案例内部连接到V-。毫无联系。
注： （ 1 ）性能等级标识中的小尺寸表面贴装。
空白表示档次。部分被标记INA105U 。
绝对最大额定值
供应................................................. ...............................................
±18V
输入电压范围............................................... .............................
±V
S
工作温度范围：M .................................. -55 ° C至+ 125°C
P，U ................................ -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围：M ..................................... -65 ° C至+ 150 °
P，U ................................. -40 ° C至+ 125°C
焊接温度（焊接， 10秒） M，P ....................................... + 300℃
波峰焊（ 3S ，最大）U .......................................... ................ + 260℃
输出短路常见............................................. 。连续
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
包
制图
数
(1)
001
001
006
182
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
产品
INA105AM
INA105BM
INA105KP
INA105KU
包
TO- 99金属
TO- 99金属
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
注： （ 1 ）有关详细的图纸和维表，请参阅数据结束
片，或的Burr-Brown IC数据手册附录C 。
3
INA105
QQ：2880707522 复制
