ISL6531
数据表
2005年8月11日
FN9053.2
5V双路同步降压脉宽
调制器（ PWM）控制器DDRAM
内存V
DDQ
和V
TT
终止
该ISL6531提供完整的控制和保护
为高性能优化双DC -DC转换器
DDRAM内存的应用程序。它被设计用来驱动低
在同步整流降压低成本的N沟道MOSFET
拓扑结构能够有效地产生2.5V V
DDQ
对于供电
DDRAM内存，V
REF
为DDRAM的差分信号
和V
TT
信号终止。该ISL6531集成了所有的
控制，输出调节，监视和保护
功能集成到单个封装中。
在V
DDQ
该转换器的输出被保持在2.5V
通过一个集成的精密基准电压源。在V
REF
输出精确调节到1/2的内存供电
供给，以最大耐受
±1%
过温
和线电压的变化。 V
TT
准确地跟踪V
REF
.
在V2_SD休眠模式下， V
TT
输出被保持
低电动车窗控制器。
该ISL6531提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制与V快速瞬态响应
DDQ
调节器。在V
TT
稳压器具有内部补偿
这简化了设计。它包括两个锁相300kHz的
这些流离失所的90三角波振荡器
o
为了最大限度地减少
两个PWM稳压器之间的干扰。该
稳压器误差放大器具有15MHz的GAIN-
带宽积和6V / μs压摆率使高
转换器带宽，快速的瞬态性能。该
所产生的PWM占空比的范围从0％到100％。
该ISL6531防止过流条件
抑制PWM操作。该ISL6531监视当前
在V
DDQ
通过利用第r调节器
DS （ ON）
上部的
MOSFET其中省去了一个电流检测
电阻器。
特点
提供V
DDQ
, V
REF
和V
TT
电压为一居室和两
通道DDRAM内存系统
卓越的电压调节
- V
DDQ
= 2.5V
±2%
在整个工作范围
--
-
- V
REF
=
1
V
DDQ
±1%
在整个工作范围
2
- V
TT
= V
REF
±
30mV
支持“ S3 ”睡眠模式
--
-
- V
TT
被保持在
1
V
DDQ
经由低功率窗
2
调节器，以尽量减少唤醒时间
快速瞬态响应
- 全0 ％至100％占空比
从+ 5V输入进行操作
V
TT
调节内部补偿
在VDD过流故障监视器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用MOSFET的
DS （ ON）
驱动廉价的N沟道MOSFET
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
24引脚， SOIC ，32引脚的5mm × 5毫米QFN
无铅加退火用（符合RoHS）
应用
V
DDQ
, V
TT
和VREF调控的DDRAM内存
系统
- 主存储器中的AMD Athlon处理器和K8 ，奔腾
III ，奔腾IV ，全美达和PowerPC ， AlphaPC 和
的UltraSPARC计算机系统
大功率跟踪DC- DC稳压器
订购信息
产品型号
ISL6531CB
ISL6531CBZ
（见注）
ISL6531CR
温度
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
0到70
包
24引脚SOIC
24引脚SOIC
（无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
M24.3
M24.3
32引脚5×5 QFN L32.5x5
ISL6530 / 31EVAL1评估板
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡兼容
和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或
1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2005年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6531
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
启动电压，V
BOOTn
- V
PHASEN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
不适用
QFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
33
4
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ，
该
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
振荡器
自由运行频率
参考文献：
参考电压
（ V2误差放大器参考）
V1误差放大器参考电压
公差
V1误差放大器参考
误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
车窗调节器
负载电流
输出电压误差
栅极驱动器
推荐工作条件与VCC = 5V ，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
OCSET / SD = V
CC
; UGATE1 ， UGATE2 ，
LGATE1和LGATE2开放
OCSET/SD=0V
-
-
5
3
-
-
mA
mA
V
OCSET / SD
=4.5V
V
OCSET / SD
=4.5V
4.25
3.75
-
-
4.5
4.0
V
V
V
CC
=5
275
300
325
千赫
V
VREF
SENSE1=2.5V
49.5
-
50.0
-
0.8
50.5
2
-
%SENSE1
%
V
REF
V
CC
=5
-
V
-
GBW
SR
COMP=10pF
-
-
82
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
-
V2_SD = VCC ;在V2 ± 10毫安负荷
-
±10
±7
-
-
mA
%
上栅源（ UGATE1 2 ）
上栅漏（ UGATE1 2 ）
更低的栅极源（ LGATE1 2）
更低的栅极漏（ LGATE1 2 ）
保护
OCSET / SD电流源
OCSET / SD禁用电压
I
UGATE
I
UGATE
I
LGATE
I
LGATE
V
CC
=5V, V
UGATE
=2.5V
V
UGATE -PHASE
=2.5V
V
CC
=5V, V
LGATE
=2.5V
V
LGATE
=2.5V
-
-
-
-
-1
1
-1
2
-
-
-
-
A
A
A
A
I
OCSET
V
RESET
V
OCSET
=4.5VDC
34
-
40
0.8
46
-
A
V
5
ISL6530
数据表
2004年11月15日
FN9052.2
5V双路同步降压脉宽
调制器（ PWM）控制器DDRAM
内存V
DDQ
和V
TT
终止
该ISL6530提供完整的控制和保护
为高性能优化双DC -DC转换器
DDRAM内存的应用程序。它被设计用来驱动低
在同步整流降压低成本的N沟道MOSFET
拓扑结构能够有效地产生2.5V V
DDQ
对于供电
DDRAM内存，V
REF
为DDRAM的差分信号
和V
TT
信号终止。该ISL6530集成了所有的
控制，输出调节，监视和保护
功能集成到单个封装中。
在V
DDQ
该转换器的输出被保持在2.5V
通过一个集成的精密基准电压源。在V
REF
输出精确调节到1/2的内存供电
供给，以最大耐受
±1%
过温
和线电压的变化。 V
TT
准确地跟踪V
REF
.
在V2_SD休眠模式下， V
TT
输出被保持
低电动车窗控制器。
该ISL6530提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括两个
锁相300kHz的三角波振荡器，它们是
移动90
o
以减少两者之间的干扰
PWM稳压器。该稳压器具有与误差放大器
一个15MHz的增益带宽积和6V / μs的转换速率
实现了快速瞬态高转换器带宽，
性能。所产生的PWM占空比从0％的范围内
到100％。
该ISL6530防止过流条件，
抑制PWM操作。该ISL6530监视当前
在V
DDQ
通过利用第r调节器
DS （ ON）
上部的
MOSFET其中省去了一个电流检测
电阻器。
特点
提供V
DDQ
, V
REF
和V
TT
电压为一居室和两
通道DDRAM内存系统
卓越的电压调节
- V
DDQ
= 2.5V
±2%
在整个工作范围
- V
REF
= (V
DDQ
÷2) ±1%
在整个工作范围
- V
TT
= V
REF
±
30mV
支持“ S3 ”睡眠模式
- V
TT
被保持在V
DDQ
÷2
通过低功耗玻璃升降器
以最小化唤醒时间
快速瞬态响应
- 全0 ％至100％占空比
从+ 5V输入进行操作
在VDD过流故障监视器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用MOSFET的
DS （ ON）
驱动廉价的N沟道MOSFET
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
24引脚， SOIC ，32引脚的5mm × 5毫米QFN
无铅可（符合RoHS ）
应用
V
DDQ
, V
TT
和VREF调控的DDRAM内存
系统
- 主存储器中的AMD Athlon处理器和K8 ，奔腾
III ，奔腾IV ，全美达和PowerPC ， AlphaPC 和
的UltraSPARC计算机系统
- 显存的图形系统
大功率跟踪DC- DC稳压器
订购信息
产品型号
ISL6530CB*
ISL6530CBZ*
（见注）
ISL6530CR*
ISL6530CRZ*
（见注）
ISL6530EVAL1 ， 2
温度
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
0到70
0到70
包
24引脚SOIC
24引脚SOIC
（无铅）
32引脚QFN 5×5
32引脚QFN 5×5
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M24.3
M24.3
L32.5x5
L32.5x5
评估板
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴选项。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，这是
符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。
Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2004年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6530
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
启动电压，V
BOOTn
- V
PHASEN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
不适用
QFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
33
4
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ，
该
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
推荐工作条件与VCC = 5V ，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
OCSET / SD = V
CC
;
UGATE1 ， UGATE2 ， LGATE1和LGATE2
开放
OCSET / SD = 0V
-
5
-
mA
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
振荡器
自由运行频率
参考文献：
参考电压
（ V2误差放大器参考）
V1误差放大器参考电压
公差
V1误差放大器参考
误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
车窗调节器
负载电流
输出电压误差
栅极驱动器
上栅源（ UGATE1 2 ）
上栅漏（ UGATE1 2 ）
更低的栅极源（ LGATE1 2）
更低的栅极漏（ LGATE1 2 ）
保护
OCSET / SD电流源
OCSET / SD禁用电压
I
OCSET
V
RESET
I
UGATE
I
UGATE
I
LGATE
I
LGATE
GBW
SR
V
REF
V
VREF
-
3
-
mA
V
OCSET / SD
= 4.5V
V
OCSET / SD
= 4.5V
V
CC
= 5
SENSE1 = 2.5V
4.25
3.75
-
-
4.5
4.0
V
V
275
300
325
千赫
49.5
-
50
-
0.8
50.5
2
-
%SENSE1
%
V
V
CC
= 5
-
-
-
COMP = 10pF的
-
82
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
-
V2_SD = VCC ;在V2 ± 10毫安负荷
-
±10
±7
-
mA
%
V
CC
= 5V, V
UGATE
= 2.5V
V
UGATE -PHASE
= 2.5V
V
CC
= 5V, V
LGATE
= 2.5V
V
LGATE
= 2.5V
V
OCSET
= 4.5VDC
-
-
-
-
-1
1
-1
2
-
-
-
-
A
A
A
A
A
V
34
-
40
0.8
46
-
5
FN9052.2
2004年11月15日
ISL6531
数据表
2005年8月11日
FN9053.2
5V双路同步降压脉宽
调制器（ PWM）控制器DDRAM
内存V
DDQ
和V
TT
终止
该ISL6531提供完整的控制和保护
为高性能优化双DC -DC转换器
DDRAM内存的应用程序。它被设计用来驱动低
在同步整流降压低成本的N沟道MOSFET
拓扑结构能够有效地产生2.5V V
DDQ
对于供电
DDRAM内存，V
REF
为DDRAM的差分信号
和V
TT
信号终止。该ISL6531集成了所有的
控制，输出调节，监视和保护
功能集成到单个封装中。
在V
DDQ
该转换器的输出被保持在2.5V
通过一个集成的精密基准电压源。在V
REF
输出精确调节到1/2的内存供电
供给，以最大耐受
±1%
过温
和线电压的变化。 V
TT
准确地跟踪V
REF
.
在V2_SD休眠模式下， V
TT
输出被保持
低电动车窗控制器。
该ISL6531提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制与V快速瞬态响应
DDQ
调节器。在V
TT
稳压器具有内部补偿
这简化了设计。它包括两个锁相300kHz的
这些流离失所的90三角波振荡器
o
为了最大限度地减少
两个PWM稳压器之间的干扰。该
稳压器误差放大器具有15MHz的GAIN-
带宽积和6V / μs压摆率使高
转换器带宽，快速的瞬态性能。该
所产生的PWM占空比的范围从0％到100％。
该ISL6531防止过流条件
抑制PWM操作。该ISL6531监视当前
在V
DDQ
通过利用第r调节器
DS （ ON）
上部的
MOSFET其中省去了一个电流检测
电阻器。
特点
提供V
DDQ
, V
REF
和V
TT
电压为一居室和两
通道DDRAM内存系统
卓越的电压调节
- V
DDQ
= 2.5V
±2%
在整个工作范围
--
-
- V
REF
=
1
V
DDQ
±1%
在整个工作范围
2
- V
TT
= V
REF
±
30mV
支持“ S3 ”睡眠模式
--
-
- V
TT
被保持在
1
V
DDQ
经由低功率窗
2
调节器，以尽量减少唤醒时间
快速瞬态响应
- 全0 ％至100％占空比
从+ 5V输入进行操作
V
TT
调节内部补偿
在VDD过流故障监视器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用MOSFET的
DS （ ON）
驱动廉价的N沟道MOSFET
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
24引脚， SOIC ，32引脚的5mm × 5毫米QFN
无铅加退火用（符合RoHS）
应用
V
DDQ
, V
TT
和VREF调控的DDRAM内存
系统
- 主存储器中的AMD Athlon处理器和K8 ，奔腾
III ，奔腾IV ，全美达和PowerPC ， AlphaPC 和
的UltraSPARC计算机系统
大功率跟踪DC- DC稳压器
订购信息
产品型号
ISL6531CB
ISL6531CBZ
（见注）
ISL6531CR
温度
RANGE （
o
C)
0到70
0到70
0到70
包
24引脚SOIC
24引脚SOIC
（无铅）
PKG 。 DWG 。 ＃
M24.3
M24.3
32引脚5×5 QFN L32.5x5
ISL6530 / 31EVAL1评估板
添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡兼容
和无铅焊接操作。 Intersil无铅产品分类MSL
在达到或超过了无铅无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020的要求。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或
1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003年， 2005年版权所有。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6531
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
启动电压，V
BOOTn
- V
PHASEN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W ）
θ
JC
(
o
C / W ）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
不适用
QFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
33
4
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5V
±10%
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至70
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0
o
C至125
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ，
该
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
振荡器
自由运行频率
参考文献：
参考电压
（ V2误差放大器参考）
V1误差放大器参考电压
公差
V1误差放大器参考
误差放大器
DC增益
增益带宽积
压摆率
车窗调节器
负载电流
输出电压误差
栅极驱动器
推荐工作条件与VCC = 5V ，除非另有说明。
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CC
OCSET / SD = V
CC
; UGATE1 ， UGATE2 ，
LGATE1和LGATE2开放
OCSET/SD=0V
-
-
5
3
-
-
mA
mA
V
OCSET / SD
=4.5V
V
OCSET / SD
=4.5V
4.25
3.75
-
-
4.5
4.0
V
V
V
CC
=5
275
300
325
千赫
V
VREF
SENSE1=2.5V
49.5
-
50.0
-
0.8
50.5
2
-
%SENSE1
%
V
REF
V
CC
=5
-
V
-
GBW
SR
COMP=10pF
-
-
82
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
-
V2_SD = VCC ;在V2 ± 10毫安负荷
-
±10
±7
-
-
mA
%
上栅源（ UGATE1 2 ）
上栅漏（ UGATE1 2 ）
更低的栅极源（ LGATE1 2）
更低的栅极漏（ LGATE1 2 ）
保护
OCSET / SD电流源
OCSET / SD禁用电压
I
UGATE
I
UGATE
I
LGATE
I
LGATE
V
CC
=5V, V
UGATE
=2.5V
V
UGATE -PHASE
=2.5V
V
CC
=5V, V
LGATE
=2.5V
V
LGATE
=2.5V
-
-
-
-
-1
1
-1
2
-
-
-
-
A
A
A
A
I
OCSET
V
RESET
V
OCSET
=4.5VDC
34
-
40
0.8
46
-
A
V
5
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