IDT49FCT805/A
快速CMOS缓冲器/时钟驱动器
商用和工业温度范围
快速CMOS
缓冲器/时钟驱动器
IDT49FCT805/A
产品特点：
0.5微米CMOS技术
保证低歪斜< 700ps （最大）
低占空比失真< 1ns的（最大）
低功耗CMOS电平
TTL兼容的输入和输出
轨至轨输出电压摆幅
高驱动： -24mA我
OH
， + 64毫安我
OL
两个独立的输出银行三态控制
1 ： 5％的银行扇
＆ QUOT ;心跳＆ QUOT ;监视器输出
提供SSOP和SOIC封装
描述：
该49FCT805是使用AD-建立了一个非反相缓冲器/时钟驱动器
vanced双金属CMOS工艺。每个区有两家银行
驱动程序。每家银行驱动五个输出缓冲器由一个标准的TTL
兼容的输入。这些器件具有一个“心脏拍”显示器
诊断和PLL驾驶。孟输出是相同的所有其他输出
和符合输出规格本文件中。
该49FCT805提供低电容输入和滞后。轨至轨
输出摆幅提高噪声容限，并允许简单的接口与CMOS
输入。
功能框图
OE
A
IN
A
5
OA
1
-OA
5
IN
B
5
OB
1
-OB
5
OE
B
MON
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
商用和工业温度范围
1
c
2006
集成设备技术有限公司
2010年5月
DSC-5836/5
IDT49FCT805/A
快速CMOS缓冲器/时钟驱动器
商用和工业温度范围
引脚配置
V
CCA
OA
1
OA
2
OA
3
GND
A
OA
4
OA
5
NC
(1)
绝对最大额定值
(1)
符号
描述
相对于GND端子电压
相对于GND端子电压
储存温度
直流输出电流
最大
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-65到+150
-60到+60
单位
V
V
°C
mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SOIC / SSOP
顶视图
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OB
1
OB
2
OB
3
GND
B
OB
4
OB
5
MON
OE
B
IN
B
V
TERM(2)
V
TERM(3)
T
英镑
I
OUT
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.输入和V
CC
终端。
3.输出和I / O端子。
OE
A
IN
A
电容
(T
A
= +25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
4.5
5.5
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意：
1.引脚8内部没有连接上的日期代码"K"前缀的设备。在旧
设备， 8引脚内部连接到GND 。为了确保所有产品的兼容性，
8引脚应连接到GND在董事会层面。
引脚说明
引脚名称
OE
A
,
OE
B
IN
A
在
B
OAN ， OBn的合成
MON
时钟输入
时钟输出
监视器输出
描述
三态输出使能输入（低电平有效）
功能表
(1)
输入
OE
A
,
OE
B
L
L
H
H
注意：
1. H =高
L =低
Z =高阻抗
输出
IN
A
在
B
L
H
L
H
OAN ， OBn的合成
L
H
Z
Z
MON
L
H
L
H
2
IDT49FCT805/A
快速CMOS缓冲器/时钟驱动器
商用和工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70°C工业：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5V ± 5%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
V
OL
V
H
I
CC
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
参数
输入高电平（输入引脚）
输入低电平（输入和I / O引脚）
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）输出电流
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 5.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= GND
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
–60
I
OH
= –32A
I
OH
= –300A
I
OH
= -15mA
I
OH
= ?? 24毫安
I
OL
= 300A
I
OL
= 300毫安
I
OL
= 64毫安
V
HC
V
HC
3.6
2.4
—
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
3.8
GND
GND
0.3
200
5
马克斯。
—
0.8
±1
±1
±1
±1
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC
0.55
—
500
单位
V
V
A
A
A
V
mA
V
输出低电压
输入迟滞的所有输入
静态电源电流
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
—
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
V
mV
A
3
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快速CMOS缓冲器/时钟驱动器
商用和工业温度范围
电源特性
符号
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
A
=
OE
B
= GND
占空比为50％
I
C
总电源电流
(6)
V
CC
=最大。
输出打开
f
O
= 10MHz时
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= V
CC
周一输出切换
V
CC
=最大。
输出打开
f
O
= 2.5MHz的
占空比为50％
OE
A
=
OE
B
= GND
十一输出切换
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
典型值是在V
CC
= 5V ， + 25 ° C的环境。
每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
值对于这些条件是我的例子
C
公式。这些限制保证，但未经测试。
6.
I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
O
N
O
)
I
CC
=静态电流（I
CCL
, I
CCH
我
CCZ
)
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
I
N
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
O
=输出频率
N
O
输出数=在f
O
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
测试条件
(1)
分钟。
—
典型值。
(2)
1
0.15
马克斯。
2.5
0.2
单位
mA
毫安/ MHz的
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.5
2.5
—
2
3.8
—
4.1
6
(5)
mA
—
5.1
8.5
(5)
4
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商用和工业温度范围
开关特性在工作范围
(1)
FCT805
符号
t
PLH
t
PHL
t
R
t
F
t
SK （ O）
t
SK （p）的
t
SK （PP）的
参数
传播延迟
IN
A
到OAN ，IN
B
以OBn的合成
输出上升时间
输出下降时间
输出偏斜：各银行之间的输出歪斜
同一封装（输入连接在一起）
脉冲偏斜：相反的转换间偏差
同样的输出（ |吨
PHL -
t
PLH
|)
部分到部分歪斜：不同的输出之间的偏移
在相同的电源电压的包，
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
温度，封装类型和速度等级
输出使能时间
OE
A
到OAN ，
OE
B
以OBn的合成
输出禁止时间
OE
A
到OAN ，
OE
B
以OBn的合成
1.5
1.5
8
7
1.5
1.5
8
7
ns
ns
条件
(2)
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
民
.
1.5
—
—
—
—
—
最大
.
5.6
1.5
1.5
0.7
1
1.5
民
.
1.5
—
—
—
—
—
FCT805A
最大
.
5.3
1.5
1.5
0.7
1
1.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
闵表示1.传播延迟范围。和Max 。限制是由于V
CC
，工作温度和工艺参数。这些传播延迟的限制并不意味着歪斜。
2.请参阅测试电路和波形。
5
QQ：2881677436 复制
