IS41C16100
IS41LV16100
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 自动刷新模式：
1024次/ 16毫秒
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
自刷新模式
- 1024次/ 128ms的
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16100 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16100 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
2003年4月
描述
该
ISSI
IS41C16100和IS41LV16100是1048576 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
这些器件提供所谓的EDO页面加速周期访问
模式。 EDO页面模式允许在一个1024的随机访问
与存取周期时间尽可能短，每16位字为20 ns单列。
上下字节的字节写入控制，使得
IS41C16100适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16100and IS41LV16100非常适合
对高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16100和IS41LV16100封装在一个42引脚400-
万SOJ和400密耳50-（ 44- ）引脚TSOP （ II型） 。无铅400-
MIL 50-（ 44- ）选项可用了。
关键时序参数
销刀豆网络gurations
50 （44） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS41C16100
IS41LV16100
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
A0-A9
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IS41C16100
IS41LV16100
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
第一个周期：
第二个周期：
第一个周期：
第二个周期：
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
不适用/不适用
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
EDO页面模式写
(1)
EDO页面模式
(1,2)
读 - 写
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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IS41C16100
IS41LV16100
功能说明
该IS41C16100和IS41LV16100是CMOS DRAM的
用于高速带宽，低功率应用进行优化。
在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）在时刻。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
用于
锁存第9位，
CAS
用于锁存后者9位。
该IS41C16100和IS41LV16100有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
内部输入
生成
CAS
以相同的方式对信号起作用
单身
CAS
输入另一1M ×16的DRAM 。关键differ-
EnCE的是，每个
CAS
控制其相应的I / O
三态逻辑（与结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16100和IS41LV16100
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16100和IS41LV16100两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
自刷新周期
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在128毫秒延长更新周期。
即每行125微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择
静态，低功耗数据保持方式。可选的自
刷新功能是通过执行CBR刷新启动
周期并持有
RAS
LOW指定吨
RAS
.
在自刷新模式时，通过驱动终止
RAS
高为吨的最小时间
RP
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的时间
RAS
低到高的转变。
如果该DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果该DRAM控制器利用
RAS-只
or
爆刷新序列，所有1024行必须刷新
平均内部刷新速率内，前
恢复正常工作。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
这些参数之间的时序关系。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有1024列
所选择的行以高数据速率进行随机访问。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准。
自动刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0到A9 ）
同
RAS
至少每隔128毫秒。任何读，写，读
修改 - 写或
RAS-只
周期刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
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IS41C16100
IS41LV16100
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
工业Operationg温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
工业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
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IS41C16100
IS41LV16100
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 自动刷新模式：
1024次/ 16毫秒
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
自刷新模式
- 1024次/ 128ms的
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16100 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16100 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
无铅可
ISSI
2005年12月
描述
该
ISSI
IS41C16100和IS41LV16100是1048576 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
这些器件提供所谓的EDO页面加速周期访问
模式。 EDO页面模式允许在一个1024的随机访问
与存取周期时间尽可能短，每16位字为20 ns单列。
上下字节的字节写入控制，使得
IS41C16100适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16100and IS41LV16100非常适合
对高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16100和IS41LV16100封装在一个42引脚400-
万SOJ和400密耳50-（ 44- ）引脚TSOP （ II型） 。无铅400-
MIL 50-（ 44- ）选项可用了。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
销刀豆网络gurations
50 （44） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
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IS41LV16100
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
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IS41LV16100
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
第一个周期：
第二个周期：
第一个周期：
第二个周期：
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
不适用/不适用
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
EDO页面模式写
(1)
EDO页面模式
(1,2)
读 - 写
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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IS41C16100
IS41LV16100
功能说明
该IS41C16100和IS41LV16100是CMOS DRAM的
用于高速带宽，低功率应用进行优化。
在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）在时刻。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
用于
锁存第9位，
CAS
用于锁存后者9位。
该IS41C16100和IS41LV16100有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
内部输入
生成
CAS
以相同的方式对信号起作用
单身
CAS
输入另一1M ×16的DRAM 。关键differ-
EnCE的是，每个
CAS
控制其相应的I / O
三态逻辑（与结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16100和IS41LV16100
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16100和IS41LV16100两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
自刷新周期
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在128毫秒延长更新周期。
即每行125微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择
静态，低功耗数据保持方式。可选的自
刷新功能是通过执行CBR刷新启动
周期并持有
RAS
LOW指定吨
RAS
.
在自刷新模式时，通过驱动终止
RAS
高为吨的最小时间
RP
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的时间
RAS
低到高的转变。
如果该DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果该DRAM控制器利用
RAS-只
or
爆刷新序列，所有1024行必须刷新
平均内部刷新速率内，前
恢复正常工作。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
这些参数之间的时序关系。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有1024列
所选择的行以高数据速率进行随机访问。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准。
自动刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0到A9 ）
同
RAS
至少每隔128毫秒。任何读，写，读
修改 - 写或
RAS-只
周期刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
RAS
刷新由下降沿激活
RAS ，
4
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IS41C16100
IS41LV16100
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
工业Operationg温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
工业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
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IS41C16100
IS41LV16100
1M ×16 （ 16兆位）动态RAM
与EDO页模式
特点
?? TTL兼容的输入和输出;三态I / O
刷新间隔：
- 自动刷新模式：
1024次/ 16毫秒
—
RAS -只， CAS先于RAS
（CBR） ，及隐藏
自刷新模式
- 1024次/ 128ms的
?? JEDEC标准引脚
单电源供电：
- 5V ±10 ％ （ IS41C16100 ）
- 3.3V±10 ％ （ IS41LV16100 ）
字节通过两个写和字节读取操作
CAS
INDUSTRAIL温度范围-40
o
C至85
o
C
ISSI
2003年4月
描述
该
ISSI
IS41C16100和IS41LV16100是1048576 ×16位
高性能CMOS动态随机存取存储器。
这些器件提供所谓的EDO页面加速周期访问
模式。 EDO页面模式允许在一个1024的随机访问
与存取周期时间尽可能短，每16位字为20 ns单列。
上下字节的字节写入控制，使得
IS41C16100适合在16位和32位宽的数据总线系统。
这些特性使得IS41C16100and IS41LV16100非常适合
对高带宽图形，数字信号处理，高
高性能计算系统和外设应用。
该IS41C16100和IS41LV16100封装在一个42引脚400-
万SOJ和400密耳50-（ 44- ）引脚TSOP （ II型） 。无铅400-
MIL 50-（ 44- ）选项可用了。
关键时序参数
销刀豆网络gurations
50 （44） -pin TSOP （类型II ）
42引脚SOJ
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
-50
50
13
25
20
84
-60
60
15
30
25
104
单位
ns
ns
ns
ns
ns
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
分钟。 EDO页面模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
引脚说明
A0-A9
I/O0-15
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上部列地址选通
下列地址选通
动力
地
无连接
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS41C16100
IS41LV16100
功能框图
ISSI
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
CAS
WE
OE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
1,048,576 x 16
地址
缓冲器
A0-A9
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IS41C16100
IS41LV16100
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
EDO页面模式读取
(2)
第一个周期：
第二个周期：
任何周期：
第一个周期：
第二个周期：
第一个周期：
第二个周期：
读
(2)
写
(1,3)
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L→H → L
L→H → L
L
→ L
LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
UCAS
H
L
H
L
L
H
L
L
→ L
→ L
L-H
→ L
→ L
→ L
→ L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
H
H
L
L
→ L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
L
L
X
X
L-H
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
NA / COL
不适用/不适用
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
NA / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
I / O
ISSI
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
EDO页面模式写
(1)
EDO页面模式
(1,2)
读 - 写
隐藏刷新
RAS-只
刷新
CBR刷新
(4)
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.早期只写。
4.至少有一个2的
CAS
信号必须被激活（LCAS或
UCAS ） 。
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IS41C16100
IS41LV16100
功能说明
该IS41C16100和IS41LV16100是CMOS DRAM的
用于高速带宽，低功率应用进行优化。
在读或写周期，每个位是唯一
通过16位地址寻址。这些输入
10位（ A0- A9）在时刻。行地址被锁存在
的行地址选通（RAS）的。列地址是
由列地址选通（ CAS）锁存。
RAS
用于
锁存第9位，
CAS
用于锁存后者9位。
该IS41C16100和IS41LV16100有两个
CAS
CON-
trols ，
LCAS
和
UCAS 。
该
LCAS
和
UCAS
内部输入
生成
CAS
以相同的方式对信号起作用
单身
CAS
输入另一1M ×16的DRAM 。关键differ-
EnCE的是，每个
CAS
控制其相应的I / O
三态逻辑（与结合
OE
和
WE
和
RAS ） 。 LCAS
控制I / O 0至I / O7与
UCAS
控制I / O 8通过I / O15 。
该IS41C16100和IS41LV16100
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
（ LCAS或
UCAS ）
过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16100和IS41LV16100两个
字节读和字节写周期的能力。
ISSI
同时举行
CAS
低。在
CAS先于RAS
刷新
周期，内部9位计数器提供的行AD-
礼服和外部地址输入将被忽略。
CAS先于RAS
是刷新-only模式，没有数据
访问或设备的选择是允许的。因此，输出
在循环过程中保持在高阻状态。
自刷新周期
在自刷新允许用户动态刷新，数据
保留模式在128毫秒延长更新周期。
即每行125微秒使用分布式CBR刷新的时候。
该功能还允许用户的一个充分的选择
静态，低功耗数据保持方式。可选的自
刷新功能是通过执行CBR刷新启动
周期并持有
RAS
LOW指定吨
RAS
.
在自刷新模式时，通过驱动终止
RAS
高为吨的最小时间
RP
。这个延迟使得对于
任何内部刷新周期的完成，可能是在
进程的时间
RAS
低到高的转变。
如果该DRAM控制器采用分布式刷新序列
在退出自刷新不要求脉冲串刷新。
然而，如果该DRAM控制器利用
RAS-只
or
爆刷新序列，所有1024行必须刷新
平均内部刷新速率内，前
恢复正常工作。
存储周期
存储器周期是由带启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或
最低吨前中止
RAS
时间已经过期。新
周期不能启动，直到最小的预充电
时间T
RP
, t
CP
是否已经过去。
读周期
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE ，
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
这些参数之间的时序关系。
扩展数据输出页面模式
EDO页面模式操作允许之内的所有1024列
所选择的行以高数据速率进行随机访问。
在EDO页面模式读取周期，数据输出被保持到
NEXT
CAS
周期的下降沿，而不是上升沿边缘。
出于这个原因，在EDO页中的有效数据输出时间
用快速页面模式相比方式被延长。在
在快速页面方式中，有效数据输出时间变
较短的
CAS
周期时间变短。 There-
脱颖而出，在EDO页模式，定时在读周期保证金
比的快速页面模式，即使大
CAS
周期时间变短。
在EDO页模式中，由于扩展的数据的功能，该
CAS
周期时间可以比在快速页面模式短
如果定时余量是相同的。
江户时代页面模式允许同时读取和写入操作
在一个系统蒸发散
RAS
周期，但性能
等同于在此情况下，快速页模式。
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200 μs的需要之后至少8
初始化周期（周期的任意组合载
荷兰国际集团一
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
与跟踪
V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE ，
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE ，
以先到为准。
自动刷新周期
保留数据， 1024刷新周期需要在每
16毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器。
1.计时每1024行地址（ A0到A9 ）
同
RAS
至少每隔128毫秒。任何读，写，读
修改 - 写或
RAS-只
周期刷新寻址的行。
2.使用
CAS先于RAS
刷新周期。
CAS-直至─
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刷新由下降沿激活
RAS ，
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IS41LV16100
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
商业工作温度
工业Operationg温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
-1.0到+7.0
-0.5到+4.6
50
1
0至+70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
ISSI
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在这些
或超出本规范的业务部门所标明的任何其他条件不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND ）。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
商业环境温度
工业环境温度
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3V
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A9
输入电容：
RAS ， UCAS ， LCAS ， WE ， OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
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04/16/03
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