ISL6526
数据表
2004年8月
FN9055.5
单同步降压脉宽
调制（PWM）控制器
该ISL6526使简单的工作，从实施的
完整的控制和保护方案的DC- DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道
在同步降压拓扑结构的MOSFET ，在ISL6526
集成了控制，输出调节，监测和
保护功能集成到单个封装中。
该ISL6526提供了简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。输出
电压可以被精确地调节到低至0.8V ，用
±1.5 ％，比温线最大耐受
电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性，同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和6V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 ％到100％ 。
保护从过电流条件被设置
监测第r
DS （ ON）
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从3.3V至5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 ％，负载，线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0％至100％占空比
无损，可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS （ ON）
转换器可以提供和吸收电流
小尺寸转换器
- 内部固定频率振荡器
- ISL6526 ：为300kHz
- ISL6526A ： 600kHz的
内部软启动
14引脚SOIC或16引脚， 5x5的QFN
QFN封装：
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高
PCB的效率，并具有更薄的外形
无铅可用
应用
电源微处理器
- 电脑
- 嵌入式控制器
子系统电源
- PCI / AGP / GTL +总线
- ACPI电源控制
- DDR SDRAM总线终端供应
电缆调制解调器，机顶盒和DSL调制解调器
DSP和核通信处理器供应
内存用品
个人电脑外围设备
工业电源
3.3V -输入DC- DC稳压器
低电压分布式电源
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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ISL6526
订购信息
产品编号
ISL6526CBZ （注1 ）
ISL6526ACBZ （注1 ）
ISL6526CR
ISL6526ACR
ISL6526IB
ISL6526IBZ （注1 ）
ISL6526AIB
ISL6526IRZ （注1 ）
ISL6526AIR
ISL6526AIRZ （注1 ）
ISL6526EVAL1
ISL6526EVAL2
ISL6526AEVAL1
ISL6526AEVAL2
注意事项：
1. Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料制成，造型
塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板终止完成，这
是既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅
产品分类MSL在达到或无铅峰值回流温度
超过IPC / JEDEC J STD- 020B标准的无铅要求。
2.添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
温度范围（ ℃）
0到70
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC （无铅）
14 Ld的SOIC （无铅）
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC （无铅）
14 Ld的SOIC
PKG DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
L16.5x5B
L16.5x5B
M14.15
M14.15
M14.15
16 Ld的5×5 QFN （无铅） L16.5x5B
16 Ld的5×5 QFN
L16.5x5B
16 Ld的5×5 QFN （无铅） L16.5x5B
ISL6526 SOIC评估板
ISL6526 QFN评估板
ISL6526A SOIC评估板
ISL6526A QFN评估板
引脚配置
ISL6526
14 LEAD （ SOIC ）
顶视图
GND 1
LGATE 2
CPVOUT 3
CT1 4
CT2 5
6 OCSET
7 FB
14 UGATE
13 BOOT
12相
11 VCC
10 CPGND
9启用
8 COMP
OCSET
4
5
NC
6
FB
7
COMP
8
启用
9
NC
CPVOUT
CT1
CT2
1
2
3
ISL6526
16引脚5X5 （ QFN ）
顶视图
UGATE
14
LGATE
BOOT
13
12相
11 VCC
10 CPGND
GND
15
16
2
ISL6526
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
绝对的启动电压，V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . +6.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
不适用
QFN封装（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
35
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3V ± 10 ％
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
3.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ，
该
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星CPVOUT POR阈值
推荐工作条件，除非另有说明V
CC
= 3.3V ±5％和T
A
= 25°C
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
BIAS
6.1
6.9
7.7
mA
POR
广告
产业
4.25
4.10
0.3
4.30
4.30
0.6
4.42
4.50
0.9
V
V
V
CPVOUT POR阈值迟滞
振荡器
频率
f
OSC
IC = ISL6526C ，商业
IC = ISL6526I ，工业
IC = ISL6526AC ，商业
IC = ISL6526AI ，工业
斜坡幅度
参考
参考电压容差
标称参考电压
电荷泵
标称电荷泵输出
充电泵输出调节
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
软启动
软启动斜率
广告
产业
增益带宽积
SR
通过设计保证
V
CPVOUT
V
VCC
= 3.3V ，无负载
V
REF
V
OSC
275
250
575
550
-
300
300
600
600
1.5
325
340
625
640
-
千赫
千赫
千赫
千赫
V
P-P
-
-
-
0.800
1.5
-
%
V
-
-
5.1
2
-
-
V
%
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
6.2
6.2
-
-
7.3
7.6
ms
ms
5
QQ：2881677436 复制
