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PD - 93907

汽车MOSFET

典型应用

q

q

IRF1407

HEXFET

功率MOSFET

D

集成起动发电机

42伏汽车电气系统

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

V

DSS

= 75V

G

S

好处

q

q

q

q

q

q

R

DS （ ON）

= 0.0078

I

D

= 130AV

描述

专为汽车应用中，这种平面条纹

HEXFET设计

功率MOSFET采用了最新的处理

技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。

这HEXFET功率MOSFET的附加功能是175 ° C的结

工作温度，开关速度快，提高了重复的

雪崩额定值。这些优势结合起来，使这个设计非常

高效，可靠的装置，用于在汽车应用和各种用途

各种其它应用。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

Q

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩EnergyR

雪崩CurrentQ

重复性雪崩EnergyW

峰值二极管恢复的dv / dt

S

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

130V

92V

520

330

2.2

± 20

390

看到图12a ， 12b中，15，16

4.6

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.45

–––

62

单位

° C / W

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1

10/11/01

IRF1407

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

U

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

Q

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。

75

–––

–––

2.0

74

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.09

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

160

35

54

11

150

150

140

4.5

7.5

5600

890

190

5800

560

1100

马克斯。

–––

–––

0.0078

4.0

–––

20

250

200

-200

250

52

81

–––

–––

–––

–––

–––

单位

V

V /°C的

V

S

A

nA

nC

ns

nH

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 78A

T

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

V

DS

= 25V ，我

D

= 78A

V

DS

= 75V, V

GS

= 0V

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

D

= 78A

V

DS

= 60V

V

GS

= 10VT

V

DD

= 38V

I

D

= 78A

R

G

= 2.5

V

GS

= 10V

T

D

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

而中心的模具接触

S

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0KHz ，见图。五

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0KHz

V

GS

= 0V, V

DS

= 60V ， = 1.0KHz

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至60V

源极 - 漏极额定值和特性

分钟。典型值。马克斯。单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 130V

展示

A

G

整体反转

––– ––– 520

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 78A ，V

GS

= 0V ？吨

––– 110 170

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 78A

––– 390 590

NC的di / dt = 100A / μs的

T

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

Q

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

R

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.13mH

R

G

= 25, I

AS

= 78A 。（参见图12）。

S

I

SD

≤

78A ， di / dt的

≤

320A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

T

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

U

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

V ？计算

基于最大允许连续电流

结温。套餐限制电流为75A 。

W'有限公司

经t

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

2

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IRF1407

1000

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

4.5V

4.5V

10

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

3.0

I

D

= 130A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 25°C

2.5

TJ = 175℃

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

2.0

100.00

（归一化）

1.5

1.0

0.5

10.00

3.0

5.0

7.0

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

9.0

11.0

13.0

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF1407

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，C

gs

gd

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

15

I

D

=

78A

12

V

DS

= 60V

V

DS

= 37V

V

DS

= 15V

C，电容（pF ）

西塞

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

10000

9

1000

科斯

6

3

CRSS

100

1

10

100

0

0

40

80

120

160

200

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

TJ = 175℃

10.00

T J = 25°C

1.00

VGS = 0V

0.10

0.0

1.0

2.0

3.0

VSD ，源toDrain电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

1

10

1msec

10msec

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF1407

140

不限按包

120

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

100

-

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

80

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

60

40

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

20

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

(Z

thJC

)

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

热响应

0.05

0.02

0.01

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

0.00001

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

J

= P

DM

X Z

thJC

P

DM

t

1

t

2

+T

C

1

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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